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快速热处理对应变InGaAs/GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响 被引量:1
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作者 卢励吾 张砚华 +4 位作者 徐遵图 徐仲英 王占国 J.Wang WeikunGe 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期367-371,共5页
研究分子束外延 (MBE)生长的应变In0 .2 Ga0 .8As GaAs折射率梯度变化异质结单量子阱激光二极管的快速热处理 (RTA)效应 .结果表明 ,RTA移除了InGaAs GaAs界面非辐射中心 ,提高 77K光致发光效率和有源层电子发射 .同时Al和Ga原子互扩散 ... 研究分子束外延 (MBE)生长的应变In0 .2 Ga0 .8As GaAs折射率梯度变化异质结单量子阱激光二极管的快速热处理 (RTA)效应 .结果表明 ,RTA移除了InGaAs GaAs界面非辐射中心 ,提高 77K光致发光效率和有源层电子发射 .同时Al和Ga原子互扩散 ,也增加了AlGaAs波导层DX中心浓度 .RTA处理后样品电流冲击老化实验证明DX中心浓度呈现出相应的增加 .这表明DX中心可能是激光二极管性能退化的原因之一 . 展开更多
关键词 量子阱 快速热处理 电子发射 DX中心 激光二极管 RTA INGAAS/GAAS 半导体激光器 铟镓砷化合物 砷化镓
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Fiber Coupling of Laser Diode Bar to M ultimode Fiber Array 被引量:10
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作者 王晓薇 肖建伟 +6 位作者 马骁宇 王仲明 方高瞻 冯小明 刘媛媛 刘斌 张敬明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期464-467,共4页
A piece of multimode optical fiber with a low num er ical aperture (NA) is used as an inexpensive microlens to collimate the output r adiation of a laser diode bar in the high numerical aperture (NA) direction.The em... A piece of multimode optical fiber with a low num er ical aperture (NA) is used as an inexpensive microlens to collimate the output r adiation of a laser diode bar in the high numerical aperture (NA) direction.The emissions of the laser diode bar are coupled into multimode fiber array.The radi ation from individual ones of emitter regions is optically coupled into individu al ones of fiber array.Total coupling efficiency and fiber output power are 75% and 15W,respectively. 展开更多
关键词 fiber coupling laser diode bar multimode fiber array fast axis
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低阈值电流密度INGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器 被引量:2
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作者 徐遵图 徐俊英 +5 位作者 杨国文 张敬明 陈昌华 何晓曦 陈良惠 沈光地 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期321-324,共4页
利用分子束外延技术,生长了极低阈值电流密度、低内损耗、高量子效率的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器.在腔长900μm时,80μm宽接触激光器阈值电流密度是125A/cm2,在腔长为2000μm时是113A/cm2,这样低的阈值电流密度是目... 利用分子束外延技术,生长了极低阈值电流密度、低内损耗、高量子效率的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器.在腔长900μm时,80μm宽接触激光器阈值电流密度是125A/cm2,在腔长为2000μm时是113A/cm2,这样低的阈值电流密度是目前国内报道的最低值.激光器的内损耗和内量子效率分别是2cm-1和84%. 展开更多
关键词 量子阱激光器 分子束外延 低阈值电流密度
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High Brightness,High Power Density Fiber Coupling of High Power Laser Diode
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作者 王晓薇 肖建伟 +5 位作者 王仲明 马骁宇 刘宗顺 方高瞻 张敬明 冯小明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第9期1112-1115,共4页
The output radiation from the 100μm×1μm aperture of a high power Laser Diode (LD) is efficiently coupled into a 50μm multimode optical fiber.The fiber output of the high power LD with high brightness and high ... The output radiation from the 100μm×1μm aperture of a high power Laser Diode (LD) is efficiently coupled into a 50μm multimode optical fiber.The fiber output of the high power LD with high brightness and high power density is achieved.The power density is up to 3 6×104W/cm2 and the coupling efficiency is 70%.The extreme divergence and the astigmatism of high power LDs require the optics with complex lens structures and high performance.A double-curved lens with two crossed cylindrical lenses structured on both sides of the glass substrate is used in the coupling system. 展开更多
关键词 high power LD double-curved lens fiber coupling high brightness high power density
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AIN Monolithic Microchannel Cooled Heatsink for High Power Laser Diode Array 被引量:1
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作者 马杰慧 方高瞻 +1 位作者 蓝永生 马骁宇 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期476-479,共4页
A novel AIN monolithic microchannel cooled heatsink for high power laser diode array is introduced.The high power stack laser diode array with an AIN monolithic microchannel heatsink is fabricated and tested.The therm... A novel AIN monolithic microchannel cooled heatsink for high power laser diode array is introduced.The high power stack laser diode array with an AIN monolithic microchannel heatsink is fabricated and tested.The thermal impedance of a 10 stack laser diode array is 0 121℃/W.The pitch between two adjacent bars is 1 17mm.The power level of 611W is achieved under the 20% duty factor condition at an emission wavelength around 808nm. 展开更多
关键词 MICROCHANNEL MONOLITHIC AIN
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