掺铋BaF_2晶体的制备及其近红外发光研究 被引量：4

1

作者 周朋 苏良碧 +4 位作者 李红军 喻军 郑丽和 杨秋红 徐军 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期2827-2830,共4页

通过温度梯度法制备了Bi2O3:BaF2以及BiF3:BaF2晶体.在Bi2O3:BaF2晶体中观察到了发光峰位于961nm,半高宽202nm的超宽带红外发光.在BiF3:BaF2晶体中检测到Bi2+和Bi3+可见区的发光,但是没有观察到红外发光.通过γ射线辐照实现了BiF3:BaF2... 通过温度梯度法制备了Bi2O3:BaF2以及BiF3:BaF2晶体.在Bi2O3:BaF2晶体中观察到了发光峰位于961nm,半高宽202nm的超宽带红外发光.在BiF3:BaF2晶体中检测到Bi2+和Bi3+可见区的发光,但是没有观察到红外发光.通过γ射线辐照实现了BiF3:BaF2晶体的近红外发光,发光峰位于1135nm,半高宽192nm.讨论了Bi2O3和BiF3掺杂BaF2晶体的红外发光的机理. 展开更多

关键词 近红外发光 铋 氟化钡晶体 Γ辐照

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半导体激光器抽运的连续锁模镱钠共掺氟化钙激光器 被引量：3

2

作者 葛文琦 柴路 +6 位作者 闫杰 胡明列 王清月 苏良碧 李红军 郑丽和 徐军 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第11期2803-2806,共4页

报道了半导体激光器抽运的连续锁模镱钠共掺氟化钙(Yb,Na∶CaF2)激光器中,利用半导体可饱和吸收镜(SESAM)启动被动锁模,SF10棱镜对进行腔内色散补偿,在吸收抽运功率为9 W的条件下,采用1%的耦合输出镜,获得了脉冲宽度为406 fs,输出功率为... 报道了半导体激光器抽运的连续锁模镱钠共掺氟化钙(Yb,Na∶CaF2)激光器中,利用半导体可饱和吸收镜(SESAM)启动被动锁模,SF10棱镜对进行腔内色散补偿,在吸收抽运功率为9 W的条件下,采用1%的耦合输出镜,获得了脉冲宽度为406 fs,输出功率为80 mW,中心波长在1043 nm附近,重复频率为94.8 MHz的连续脉冲序列。 展开更多

关键词 激光器 激光二极管抽运 Yb Na∶CaF2晶体 锁模

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Bi_2O_3-SiO_2玻璃及玻璃陶瓷近红外发光性能的研究 被引量：3

3

作者 刘军芳 苏良碧 徐军 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第8期859-863,共5页

采用高温熔融法制备了Bi2O3-SiO2玻璃及玻璃陶瓷,测试了样品的近红外光区及可见光区的发射谱、激发谱及荧光寿命。在808 nm波长光的激发下,Bi2O3-SiO2玻璃及玻璃陶瓷中均发现了近红外发光。当Bi2O3含量较低时(30mol%、40mol%、50mol%),... 采用高温熔融法制备了Bi2O3-SiO2玻璃及玻璃陶瓷,测试了样品的近红外光区及可见光区的发射谱、激发谱及荧光寿命。在808 nm波长光的激发下,Bi2O3-SiO2玻璃及玻璃陶瓷中均发现了近红外发光。当Bi2O3含量较低时(30mol%、40mol%、50mol%),发光中心位于1336 nm(或1300 nm),为宽带发光;随Bi2O3含量的增加,1070 nm左右出现了窄带近红外发光峰,且逐渐成为最强发光峰,与此同时,1336 nm(或1300 nm)的宽带发光转变为窄带发光。1336 nm(或1300 nm)与1070 nm发射峰的荧光寿命及激发谱均存在较大的区别,初步分析认为这两个发射峰归属于不同的发光中心,1336 nm(或1300 nm)发射峰源于低价态Bi离子。 展开更多

关键词 近红外发光 Bi离子 玻璃陶瓷

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掺铋离子BaO-B_2O_3玻璃的制备及其近红外发光性能的研究 被引量：1

4

作者 刘军芳 苏良碧 +1 位作者 唐慧丽 徐军 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第12期517-522,共6页

采用高温熔融法制备了掺Bi离子的BaO-B_2O_3玻璃,测定了样品玻璃的近红外以及可见光区的激发、发射谱、荧光衰减曲线以及Raman光谱.在808 nm波长光的激发下,在掺Bi离子的BaO-B_2O_3玻璃中发现了近红外发光现象,且存在多个发光峰,讨论了... 采用高温熔融法制备了掺Bi离子的BaO-B_2O_3玻璃,测定了样品玻璃的近红外以及可见光区的激发、发射谱、荧光衰减曲线以及Raman光谱.在808 nm波长光的激发下,在掺Bi离子的BaO-B_2O_3玻璃中发现了近红外发光现象,且存在多个发光峰,讨论了玻璃网络结构对Bi离子发光的影响,对其发光机理进行了初步的探讨. 展开更多

关键词 近红外发光 Bi离子 硼酸盐基团

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掺杂的Bi_4Ge_3O_(12)晶体的近红外发光性能 被引量：1

5

作者 俞平胜 苏良碧 徐军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第3期283-287,共5页

生长了Mg、Ca离子掺杂(提拉法)和Cl离子掺杂(坩埚下降法)的Bi4Ge3O12(BGO)晶体,测试了晶体样品的吸收谱、光致发光谱和发光衰减时间等。这些掺杂的BGO晶体的可见光发光比纯BGO有所减弱,但在808 nm和980 nm激光二极管(LD)激发下出现了纯... 生长了Mg、Ca离子掺杂(提拉法)和Cl离子掺杂(坩埚下降法)的Bi4Ge3O12(BGO)晶体,测试了晶体样品的吸收谱、光致发光谱和发光衰减时间等。这些掺杂的BGO晶体的可见光发光比纯BGO有所减弱,但在808 nm和980 nm激光二极管(LD)激发下出现了纯BGO几乎没有的近红外发光,归因于改变了能级的Bi离子或可能出现的低价态Bi离子。掺杂对近红外发光的影响跟掺杂离子价态有关,同价态的掺杂离子对近红外发光的影响相差不大。 展开更多

关键词 Bi4Ge3O12 光致发光 近红外

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红色Bi_4Ge_3O_(12)晶体在低温下的发光性能 被引量：1

6

作者 俞平胜 苏良碧 +1 位作者 王庆国 徐军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期828-832,共5页

用下降法制备了Bi4Ge3O12晶体,发现生长出来的圆柱状晶体外侧呈现淡红色。对红色Bi4Ge3O12晶体进行了低温(至8 K)下的近红外发射光谱及衰减寿命等测试分析。发现低温时(200 K以下)红色Bi4Ge3O12在1 150 nm等波长处有较强的发射峰,强度... 用下降法制备了Bi4Ge3O12晶体,发现生长出来的圆柱状晶体外侧呈现淡红色。对红色Bi4Ge3O12晶体进行了低温(至8 K)下的近红外发射光谱及衰减寿命等测试分析。发现低温时(200 K以下)红色Bi4Ge3O12在1 150 nm等波长处有较强的发射峰,强度随温度降低而增强,衰减时间为几百μs。 展开更多

关键词 红色Bi4Ge3O12 低温 发光

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退火处理对W:Bi_4Ge_3O_(12)和Bi_(12)GeO_(20)晶体发光性能的影响

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作者 俞平胜 苏良碧 +4 位作者 唐慧丽 郭鑫 赵衡煜 杨秋红 徐军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期825-829,共5页

通过提拉法制备了W∶Bi4Ge3O12和Bi12GeO20晶体,测试了晶体的吸收光谱、光致发光谱和发光衰减时间等。W∶Bi4Ge3O12的可见光发光强度比纯Bi4Ge3O12有所增强,而且N2中退火处理对W∶Bi4Ge3O12发光有进一步增强作用。Bi12GeO20在N2中退火... 通过提拉法制备了W∶Bi4Ge3O12和Bi12GeO20晶体,测试了晶体的吸收光谱、光致发光谱和发光衰减时间等。W∶Bi4Ge3O12的可见光发光强度比纯Bi4Ge3O12有所增强,而且N2中退火处理对W∶Bi4Ge3O12发光有进一步增强作用。Bi12GeO20在N2中退火处理后在745 nm附近有发光峰,其衰减时间为10μs左右。两种晶体退火处理后发光均增强,认为是低价Bi离子发光所致。 展开更多

关键词 W∶Bi4Ge3O12 Bi12GeO20 光致发光 退火

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YAG和LuAG晶体中的反位缺陷 被引量：21

8

作者 冯锡淇 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期785-794,共10页

YAG不仅是最重要的固体激光材料,也是有希望的闪烁材料,自YAG晶体问世以来,晶体缺陷研究对YAG晶体的性能改进和发展起到了十分关键的作用.反位缺陷是YAG和LuAG晶体中一种特殊类型的缺陷,它对晶体中载流子的输运过程和其它性质有重要影响... YAG不仅是最重要的固体激光材料,也是有希望的闪烁材料,自YAG晶体问世以来,晶体缺陷研究对YAG晶体的性能改进和发展起到了十分关键的作用.反位缺陷是YAG和LuAG晶体中一种特殊类型的缺陷,它对晶体中载流子的输运过程和其它性质有重要影响,本文介绍YAG和LuAG晶体中反位缺陷的类型、产生原因及其对性能的影响和作用机制.最后,还对如何测定反位缺陷和抑制反位缺陷的方法进行了简略讨论. 展开更多

关键词 反位缺陷 非化学计量配比 陷阱 闪烁性能

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铁和钛在山东昌乐深蓝色蓝宝石中的致色作用 被引量：9

9

作者 韩孝朕 郭守国 +2 位作者 康燕 李永生 冯锡淇 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第10期1483-1488,共6页

在测试了仅含有Fe^2＋–Ti4＋离子对的合成刚玉的光吸收谱的基础上,对山东昌乐深蓝色蓝宝石的光吸收谱和偏振吸收谱进行测试,在其光吸收谱中观察到了由Fe^2＋–Fe^3＋离子对的价间电荷转移跃迁产生的位于近红外区的宽吸收带,并对铁和钛... 在测试了仅含有Fe^2＋–Ti4＋离子对的合成刚玉的光吸收谱的基础上,对山东昌乐深蓝色蓝宝石的光吸收谱和偏振吸收谱进行测试,在其光吸收谱中观察到了由Fe^2＋–Fe^3＋离子对的价间电荷转移跃迁产生的位于近红外区的宽吸收带,并对铁和钛在山东昌乐深蓝色蓝宝石中的致色作用进行了讨论。用山东昌乐深蓝色蓝宝石的光吸收谱证实了1993年Fritsch提出的＂单独的Fe^2＋–Fe^3＋离子对也可以使刚玉宝石呈现蓝色＂的观点,即Fe^2＋–Fe^3＋离子对是天然蓝色蓝宝石除Fe^2＋–Ti4＋离子对之外的第2种呈色机制。 展开更多

关键词 蓝宝石 呈色机制 光吸收谱 Fe2+–Fe3+离子对

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固态照明/显示用荧光陶瓷研究进展 被引量：25

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作者 李江 李万圆 +1 位作者 刘欣 刘强 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第5期580-604,共25页

固态照明作为第四代照明光源因其高效、环保的优势在近30年来得到了飞速发展,广泛应用于各种场景(例如汽车大灯、投影显示、工业生产和远距离照明)。而大功率、高亮度的白色发光二极管(W-LED)及激光照明技术对颜色转换材料的服役稳定性... 固态照明作为第四代照明光源因其高效、环保的优势在近30年来得到了飞速发展,广泛应用于各种场景(例如汽车大灯、投影显示、工业生产和远距离照明)。而大功率、高亮度的白色发光二极管(W-LED)及激光照明技术对颜色转换材料的服役稳定性提出了新的要求,荧光陶瓷以其能承受高功率激发密度的独特优势应运而生。本文综合评述了固态照明/显示用荧光陶瓷的最新研究进展,阐明了光源的评估标准,总结了白光及几种单色发光荧光陶瓷在大功率照明和投影显示领域的发展和应用。并阐述了荧光陶瓷中光提取效率、显色指数(CRI)和相关色温(CCT)的提升策略,讨论了激光照明中的发光饱和与发光均匀性问题。最后对荧光陶瓷在固态照明/显示应用中的前景和挑战进行了展望。 展开更多

关键词 颜色转换 荧光陶瓷 高发光效率 高发光品质

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太阳光泵浦Cr,Nd∶YAG透明陶瓷的光谱特性和激光参数 被引量：8

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作者 王晴晴 石云 +2 位作者 冯亚刚 谢腾飞 李江 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第11期1365-1372,共8页

太阳光泵浦激光器可将太阳光直接转化为激光,在空间太阳能发电站、深海等领域有着极大的应用前景,而Cr,Nd∶YAG是一种很有潜力的太阳光泵浦激光介质。本文以高纯Y2O3、α-Al2O3、Nd2O3、Cr2O3粉体作为原料,采用固相反应法结合真空烧结... 太阳光泵浦激光器可将太阳光直接转化为激光,在空间太阳能发电站、深海等领域有着极大的应用前景,而Cr,Nd∶YAG是一种很有潜力的太阳光泵浦激光介质。本文以高纯Y2O3、α-Al2O3、Nd2O3、Cr2O3粉体作为原料,采用固相反应法结合真空烧结技术制备了高光学质量的0.1%Cr,1.0%Nd∶YAG透明陶瓷,并研究了其光谱特性和激光参数。根据太阳辐照光谱和Cr,Nd∶YAG陶瓷的吸收和发射光谱,计算了不同条件下Cr,Nd∶YAG陶瓷激光器的泵浦率、阈值太阳聚光比、有效发射截面、饱和光强和阈值输入功率等激光参数。研究发现0.1%Cr,1.0%Nd∶YAG陶瓷(厚度为1.0 mm)在370 nm和1064 nm处的直线透过率分别为81.5%和84.0%,晶胞密度为4.57 g/cm^3,光学散射损耗为1.4%cm^-1,吸收带内的太阳辐照度约是太阳常数的42%。上述研究结果表明Cr,Nd∶YAG陶瓷是理想的太阳光泵浦激光介质,可通过优化聚光系统、泵浦方式和陶瓷尺寸获得高功率激光输出。 展开更多

关键词 Cr Nd∶YAG陶瓷 太阳光泵浦 光谱特性 激光参数

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光学浮区法生长掺铟氧化镓单晶及其性能 被引量：4

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作者 吴庆辉 唐慧丽 +4 位作者 苏良碧 罗平 钱小波 吴锋 徐军 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期548-552,共5页

采用光学浮区法生长了尺寸f(7~9 mm)×(30~35 mm)的β-Ga_2O_3:In单晶。X射线衍射物相分析表明,β-Ga_2O_3:In单晶仍属于单斜晶系。研究了不同In掺杂量的β-Ga_2O_3:In单晶的吸收光谱和电学性能。结果表明:与纯β-Ga_2O_3单晶相比,... 采用光学浮区法生长了尺寸f(7~9 mm)×(30~35 mm)的β-Ga_2O_3:In单晶。X射线衍射物相分析表明,β-Ga_2O_3:In单晶仍属于单斜晶系。研究了不同In掺杂量的β-Ga_2O_3:In单晶的吸收光谱和电学性能。结果表明:与纯β-Ga_2O_3单晶相比,β-Ga_2O_3:In单晶在红外波段存在明显吸收。β-Ga_2O_3:In单晶的电导率在10^(–2)量级,Holl载流子浓度可以达到6×10^(19)/cm^2,说明掺杂In^(3+)对β-Ga_2O_3单晶的电学性能有明显改善。 展开更多

关键词 铟掺杂氧化镓单晶 晶体生长 浮区法

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