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半导体量子电子和光电子器件 被引量:14
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作者 傅英 徐文兰 陆卫 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2001年第3期255-277,共23页
本文阐述了半导体异质结构电子的量子特性 ,如电子波输运、库仑阻塞效应等。介绍了几种新颖、典型的量子电子器件和量子光电子器件的物理模型和基本原理。这些器件包括了单电子晶体管、共振隧穿二极管、高电子迁移率晶体管、δ掺杂场效... 本文阐述了半导体异质结构电子的量子特性 ,如电子波输运、库仑阻塞效应等。介绍了几种新颖、典型的量子电子器件和量子光电子器件的物理模型和基本原理。这些器件包括了单电子晶体管、共振隧穿二极管、高电子迁移率晶体管、δ掺杂场效应晶体管、量子点元胞自动机、量子阱红外探测器、埋沟异质结半导体激光器、量子级联激光器等。给出了作者在半导体量子器件物理方面的最新研究结果。 展开更多
关键词 半导体 异质结构 量子器件 电子波输运 库仑阻塞 光电子器件 电子
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层状钙钛矿结构铁电薄膜SrBi_2Ta_2O_9的掺杂改性研究 被引量:17
2
作者 杨平雄 邓红梅 褚君浩 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第7期1222-1228,共7页
研究了Nb掺杂对层状钙钛矿结构铁电薄膜SrBi2Ta2O9(SBT)的改性,分析了其改性机理.利用光声光谱技术对不同含量Nb掺杂SBT薄膜的可见光吸收进行了分析.结果表明掺杂SBT薄膜在580nm处的吸收带随Nb含量... 研究了Nb掺杂对层状钙钛矿结构铁电薄膜SrBi2Ta2O9(SBT)的改性,分析了其改性机理.利用光声光谱技术对不同含量Nb掺杂SBT薄膜的可见光吸收进行了分析.结果表明掺杂SBT薄膜在580nm处的吸收带随Nb含量的增加发生红移,这暗示掺杂SBT薄膜的能隙与Nb含量有关.对掺杂SBT薄膜的铁电性质研究表明,薄膜的剩余极化值依赖于薄膜中的Nb含量。 展开更多
关键词 SBT 铁电薄膜 掺杂 薄膜 改性
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新型亚波长陷光结构HgCdTe红外探测器研究进展 被引量:24
3
作者 胡伟达 梁健 +2 位作者 越方禹 陈效双 陆卫 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期25-36,51,共13页
综述了近几年来亚波长陷光结构Hg Cd Te红外探测器研究进展.系统介绍了一种结合有限元方法与时域有限差分方法对红外探测器的"光""电"特性进行联合模拟和设计方法,以及基于这种新的数值模拟方法对亚波长人工微结构H... 综述了近几年来亚波长陷光结构Hg Cd Te红外探测器研究进展.系统介绍了一种结合有限元方法与时域有限差分方法对红外探测器的"光""电"特性进行联合模拟和设计方法,以及基于这种新的数值模拟方法对亚波长人工微结构Hg Cd Te红外探测器的模拟和分析结果.理论分析和实验研制数据均显示这种新型亚波长人工微结构结构具有很好的陷光特性,在提高长波红外探测器性能方面具有潜在应用前景. 展开更多
关键词 HGCDTE红外探测器 亚波长人工微结构 陷光效应 长波红外探测器 金属表面等离子激元
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含片状粒子涂层的热辐射 被引量:18
4
作者 徐文兰 沈学础 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期151-155,共5页
用几何光学绕射理论研究了片状粒子的散射,由非均匀系统的热辐射传输方程求出了含片状粒子涂层的表观比辐射率.讨论了片状粒子的线度、体积比、涂层厚度等因素对涂层系统辐射性能的影响。
关键词 非均匀 涂层 热辐射 绕射 片状粒子
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氧化钒热敏薄膜的制备及其性质的研究 被引量:11
5
作者 周进 茹国平 +1 位作者 李炳宗 梁平治 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期291-295,共5页
报道一种制备氧化钒热敏薄膜的新方法 .采用离子束溅射 V2 O5粉末靶淀积和氮氢混合气体热处理相结合的薄膜技术 ,可制备热敏性能较好的低价氧化钒薄膜 VOx(x<2 .5 ) .对不同温度退火后氧化钒薄膜在 10~ 10 0℃范围内测定了薄层电阻... 报道一种制备氧化钒热敏薄膜的新方法 .采用离子束溅射 V2 O5粉末靶淀积和氮氢混合气体热处理相结合的薄膜技术 ,可制备热敏性能较好的低价氧化钒薄膜 VOx(x<2 .5 ) .对不同温度退火后氧化钒薄膜在 10~ 10 0℃范围内测定了薄层电阻随温度的变化 ,得到的电阻温度系数 (TCR)值为 (- 1~ - 4) % K- 1 .研究结果表明通过这种方法可在较低温度下制备氧化钒薄膜 ,这种薄膜具有较低的电阻率和较高的 TCR值 。 展开更多
关键词 氧化钒 非致冷红外微测辐射热计 离子束溅射 电阻温度系数 氮氢退火 热敏薄膜
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偏振成像技术的研究进展及应用 被引量:21
6
作者 周强国 黄志明 周炜 《红外技术》 CSCD 北大核心 2021年第9期817-828,共12页
偏振成像技术的优势是把信息量从3个自由度,即光强、光谱和空间,扩充到7个自由度,包括光强、光谱、空间、偏振度、偏振方位角、偏振椭率和旋转方向,这种观测信息量的丰富有利于提高对研究目标探测的精确度。本文首先介绍在近几十年内偏... 偏振成像技术的优势是把信息量从3个自由度,即光强、光谱和空间,扩充到7个自由度,包括光强、光谱、空间、偏振度、偏振方位角、偏振椭率和旋转方向,这种观测信息量的丰富有利于提高对研究目标探测的精确度。本文首先介绍在近几十年内偏振成像技术在国内外的研究进展,其次介绍偏振技术在军事及民用领域的典型应用,最后对我国在偏振成像技术方面存在的问题给出合理的建议。 展开更多
关键词 偏振特性 目标探测 偏振态 目标识别
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中波双色光伏型HgCdTe红外探测器模拟研究 被引量:17
7
作者 徐向晏 叶振华 +1 位作者 李志锋 陆卫 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期164-169,共6页
基于二维数值模型,对光伏型中波(MW1/MW2)HgCdTe双色红外探测器作了模拟计算,器件采用n-p-p-p-n结构、同时工作模式.计算了双色器件光谱响应及量子效率,重点分析了两个波段间的信号串音问题,以及高组分势垒层的作用.模拟结果显示,MW1(中... 基于二维数值模型,对光伏型中波(MW1/MW2)HgCdTe双色红外探测器作了模拟计算,器件采用n-p-p-p-n结构、同时工作模式.计算了双色器件光谱响应及量子效率,重点分析了两个波段间的信号串音问题,以及高组分势垒层的作用.模拟结果显示,MW1(中波1,波长较短)对MW2(中波2,波长较长)的串音是辐射透过MW1区在MW2区中吸收引起的,串音与光吸收比近似成正比,而载流子扩散效应可以忽略不计.高组分阻挡层对载流子扩散引起的串音有显著的抑制作用,如果没有势垒层,载流子扩散引起的串音十分明显,甚至成为串音的主导因素.对于60×60μm2探测单元MW1和MW2的结电容大约为1.75pF/pixel. 展开更多
关键词 碲镉汞 中波双色红外探测器 光谱响应 串音 结电容
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电场作用下高分子中自陷束缚激子的极化 被引量:17
8
作者 傅柔励 叶红娟 +4 位作者 李蕾 傅荣堂 缪健 孙鑫 张志林 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期94-101,共8页
用同时计入电场、对称破缺项te和电子晶格相互作用的紧束缚模型研究了电场作用下高分子中的自陷束缚激子.发现电场使高分子中自陷束缚激子内电荷发生转移,出现极化.极化程度随场强增加,也与te有关.并发现te≤0.1eV时... 用同时计入电场、对称破缺项te和电子晶格相互作用的紧束缚模型研究了电场作用下高分子中的自陷束缚激子.发现电场使高分子中自陷束缚激子内电荷发生转移,出现极化.极化程度随场强增加,也与te有关.并发现te≤0.1eV时,双激子态表现出反向极化特性,这一特性可根据极化的量子力学理论得到理解:对高分子的自陷束缚激子,其禁带中央附近存在两个靠得很近的定域电子态即上定域态和下定域态,用微扰论说明了上定域态是反向极化而下定域态为正向极化;双激子态即上定域态被占而下定域态空着,当te不大时,双激子态的极化就是反向的. 展开更多
关键词 电致发光器件 电场 高分子 自陷束缚 激子 极化
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纳米硅薄膜的Raman光谱 被引量:15
9
作者 徐刚毅 王天民 +4 位作者 李国华 王金良 何宇亮 马智训 郑国珍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第12期1170-1176,共7页
通过等离子增强化学气相沉积法 ,制备了本征和掺磷的氢化纳米硅薄膜 (nc- Si:H) ,研究了晶粒尺寸和掺杂浓度对纳米硅薄膜喇曼谱的影响 .结果表明晶粒变小和掺杂浓度增加都使纳米晶粒的 TO模峰位逐渐偏离声子限制模型的计算值 .X射线衍... 通过等离子增强化学气相沉积法 ,制备了本征和掺磷的氢化纳米硅薄膜 (nc- Si:H) ,研究了晶粒尺寸和掺杂浓度对纳米硅薄膜喇曼谱的影响 .结果表明晶粒变小和掺杂浓度增加都使纳米晶粒的 TO模峰位逐渐偏离声子限制模型的计算值 .X射线衍射和高分辨电镜像的结果表明晶粒变小导致硅晶粒应力增加 ,而掺杂使晶粒内部杂质和缺陷增多 ,这些因素破坏了晶粒内晶格的平移对称性 ,进一步减小声子的平均自由程 ,导致实验值偏离理论计算值 .晶格平移对称性的破缺还体现在 ,随晶粒尺寸减小或掺杂浓度增加 ,喇曼谱中 TA、LA振动模的相对散射强度增加 . 展开更多
关键词 纳米硅薄膜 喇曼谱 声子限制模型
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红外物理与技术发展 被引量:11
10
作者 刘普霖 《世界科技研究与发展》 CSCD 2003年第1期27-37,共11页
经过长期探索 ,人们掌握了红外辐射的基本规律 ,不断研制出新型、优质红外探测器件 ,发展了红外光谱和红外成像等重要技术 ,并使之在当代许多领域 ,尤其在遥感、军事及其它高科技领域占据突出地位。
关键词 红外辐射 红外探测 红外光谱 红外成像
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64×64元GaAs/AlGaAs多量子阱长波红外焦平面研制 被引量:15
11
作者 李宁 李娜 +8 位作者 陆卫 沈学础 陈伯良 梁平治 丁瑞军 黄绮 周钧铭 金莉 李宏伟 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期427-430,共4页
报道了64×64 元GaAs/AlGaAs 多量子阱凝视型红外焦平面的研制,器件的平均响应率为RP= 7.24×105V/W,器件的平均黑体探测率为Db = 5.40×108cm ·Hz1/2/W ,峰值波长为λP= 8.2μm ,不均匀性小于20% 。
关键词 多量子阱 凝视型 红外焦平面 长波 红外探测器
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正常人和冠心病人穴位红外辐射光谱的差异性 被引量:14
12
作者 章毓清 丁光宏 +6 位作者 沈雪勇 刘汉平 姚伟 邓海平 魏建子 黄志明 褚君浩 《中国针灸》 CAS CSCD 北大核心 2004年第12期846-849,共4页
目的 :探究正常人与冠心病人的穴位红外辐射是否存在差异。方法 :测量 4 7例正常人和 5 0例冠心病病人的体表几个穴位的红外辐射 ,并将两者的数据进行统计处理。结果 :正常人与冠心病人的穴位红外辐射存在着差异。结论 :人体穴位的红外... 目的 :探究正常人与冠心病人的穴位红外辐射是否存在差异。方法 :测量 4 7例正常人和 5 0例冠心病病人的体表几个穴位的红外辐射 ,并将两者的数据进行统计处理。结果 :正常人与冠心病人的穴位红外辐射存在着差异。结论 :人体穴位的红外辐射的确可从一定程度上反映人体内部的生理信息 ,为通过人体穴位红外辐射光谱非接触诊断疾病提供了一种可能途径。 展开更多
关键词 正常人 人体穴位 冠心病人 红外辐射光谱 诊断 人体内 触诊
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相机标定方法及进展研究综述 被引量:12
13
作者 黄文文 彭小红 +1 位作者 李丽圆 李潇雁 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2023年第16期1-11,共11页
相机标定是摄影测量学和计算机视觉的重要基础之一。首先介绍了相机标定的应用及分类;然后,概述了标定理论基础,包括空间坐标系转换、几何成像模型、内外参数解算方法,并从传统和智能化两大方面对相机标定方法进行阐述,传统标定方面介... 相机标定是摄影测量学和计算机视觉的重要基础之一。首先介绍了相机标定的应用及分类;然后,概述了标定理论基础,包括空间坐标系转换、几何成像模型、内外参数解算方法,并从传统和智能化两大方面对相机标定方法进行阐述,传统标定方面介绍了基于参照物、主动视觉及自标定方法,并对3种方法优缺点进行了详细对比分析,智能化标定方面介绍了误差反向传播、多层感知器及卷积神经网络在标定过程的应用;接着,总结了相机标定方法的常用评价指标;最后,进行了归纳总结,并给出了相机标定技术的发展方向,可为相机标定相关领域研究者提供参考。 展开更多
关键词 相机标定 摄影测量 计算机视觉 智能标定 神经网络
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HgTe/HgCdTe量子阱中巨大电子Rashba自旋分裂 被引量:15
14
作者 仇志军 桂永胜 +3 位作者 疏小舟 戴宁 郭少令 禇君浩 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期1186-1190,共5页
主要研究具有倒置能带结构的n HgTe HgCdTe第三类量子阱Shubnikov deHaas(SdH)振荡中的拍频现象 .发现在量子阱中电子存在强烈的Rashba自旋分裂 ,通过对SdH振荡进行三种不同方法的分析 :SdH振荡对 1 B关系的快速傅里叶变换、SdH振荡中... 主要研究具有倒置能带结构的n HgTe HgCdTe第三类量子阱Shubnikov deHaas(SdH)振荡中的拍频现象 .发现在量子阱中电子存在强烈的Rashba自旋分裂 ,通过对SdH振荡进行三种不同方法的分析 :SdH振荡对 1 B关系的快速傅里叶变换、SdH振荡中拍频节点分析和对SdH振荡拍频数值拟合 ,得到了完全一致的电子Rashba自旋分裂能量 (2 8— 3 6meV) 展开更多
关键词 量子阱 Rashba自旋分裂 能带结构 碲化汞 汞镉碲 半导体异质结
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脑部恶性肿瘤组织切片的红外光谱研究 被引量:8
15
作者 陆逸仙 张岳灿 +2 位作者 褚君浩 郑卫民 黄志明 《中国临床神经科学》 2000年第4期278-279,共2页
目的:探讨脑部恶性肿瘤细胞和正常细胞组织。方法:利用Fourier红外光谱仪在室温下对10例脑部恶性胶质细胞瘤(Ⅱ级)、1例正常组织切片进行微区红外透射光谱测量。结果:发现被测的10例恶性胶质细胞瘤都具有相同的光谱特... 目的:探讨脑部恶性肿瘤细胞和正常细胞组织。方法:利用Fourier红外光谱仪在室温下对10例脑部恶性胶质细胞瘤(Ⅱ级)、1例正常组织切片进行微区红外透射光谱测量。结果:发现被测的10例恶性胶质细胞瘤都具有相同的光谱特征,而较正常组织的光谱曲线具有明显的区别。实验发现脑部恶性胶质细胞瘤光谱中位于 1080cm-1吸收带增强、以及位于 1375cm-1、1462 cm-1和 1475cm-1的吸收峰明显增强的现象。结论:由于肿瘤细胞的异型性、形态、结构变异而导致的异常吸收特征。 展开更多
关键词 脑部胶质细胞瘤 组织切片 红外光谱仪
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红外光电子学中的新族--量子阱红外探测器 被引量:13
16
作者 陆卫 李宁 +2 位作者 甄红楼 徐文兰 熊大元 《中国科学(G辑)》 CSCD 北大核心 2009年第3期336-343,共8页
回顾了近10年基于半导体中量子限制效应红外探测器的进展.主要关注的是二维限制结构,即量子阱结构,形成的区别与传统红外光子探测的子带跃迁机理.在红外光电子领域作为新族的量子阱红外探测器(quantum well infrared photo-detector,QW... 回顾了近10年基于半导体中量子限制效应红外探测器的进展.主要关注的是二维限制结构,即量子阱结构,形成的区别与传统红外光子探测的子带跃迁机理.在红外光电子领域作为新族的量子阱红外探测器(quantum well infrared photo-detector,QWIP)与最典型的红外探测器代表碲镉汞红外探测器进行了各自特色的分析,包括基本工作机理和材料与器件的制备技术等方面.对于QWIP发展的回顾提升了与碲镉汞红外探测器之间的互补关系.也给出了对于QWIP在未来发展方面的基本趋势. 展开更多
关键词 红外光电子学 量子阱红外探测器 研究进展 发展趋势
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悬臂式RF MEMS开关的设计与研制 被引量:9
17
作者 郭方敏 赖宗声 +7 位作者 朱自强 贾铭 初建朋 范忠 朱荣锦 戈肖鸿 杨根庆 陆卫 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期1190-1195,共6页
介绍了一种制作在低阻硅 (3~ 8Ω· cm)上的悬臂式 RF MEMS开关 .在 Cr/ Au CPW共面波导上 ,金 /Si Ox Ny/金三明治结构或电镀金作为悬置可动臂 ,静电受激作为开关机理 .当开关处于“关断”态 ,其隔离度小于- 35 d B(2 0~ 4 0 GHz... 介绍了一种制作在低阻硅 (3~ 8Ω· cm)上的悬臂式 RF MEMS开关 .在 Cr/ Au CPW共面波导上 ,金 /Si Ox Ny/金三明治结构或电镀金作为悬置可动臂 ,静电受激作为开关机理 .当开关处于“关断”态 ,其隔离度小于- 35 d B(2 0~ 4 0 GHz) ;阈值电压为 13V ;开关处于“开通”态 ,插入损耗为 4~ 7d B(1~ 10 GHz) ,反射损耗为 - 15 d B.另外 ,还分析了开关的悬臂梁弯曲度与驱动电压的关系 ,并应用 ANSYS软件对开关进行了电学。 展开更多
关键词 悬臂梁 插入损耗 隔离度 ANSYS软件 阈值电压
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HgCdTe红外探测器离子注入剂量优化研究 被引量:13
18
作者 陈贵宾 陆卫 +5 位作者 蔡炜颖 李志锋 陈效双 胡晓宁 何力 沈学础 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期911-914,共4页
在中波响应波段的p型Hg0 70 9Cd0 2 91 Te(MCT)分子束外延生长薄膜上 ,利用材料芯片技术获得叠加注入不同硼离子剂量的系列大光敏元面积 (5 0 0 μm× 5 0 0 μm)的n_op_p结 .通过测量液氮温度下不同离子注入剂量单元的电流 电压... 在中波响应波段的p型Hg0 70 9Cd0 2 91 Te(MCT)分子束外延生长薄膜上 ,利用材料芯片技术获得叠加注入不同硼离子剂量的系列大光敏元面积 (5 0 0 μm× 5 0 0 μm)的n_op_p结 .通过测量液氮温度下不同离子注入剂量单元的电流 电压特性和对零偏微分电阻R0 分析 ,观测到p_n结的性能与硼离子注入剂量明显的依赖关系 .在另一片薄膜材料(镉组分值为 0 2 74 3)上通过该方法获得R0 展开更多
关键词 碲镉汞薄膜 红外探测器 离子注入 分子束外延 P-N结 暗电流特性
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电场中高分子的发光和激子的解离 被引量:9
19
作者 李蕾 饶雪松 +3 位作者 孙鑫 傅柔励 褚君浩 张志林 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第9期1536-1541,共6页
研究了电场对高分子的发光及激子的影响.1在强电场中,激子会解离成正负极化子对,这可定量解释最近观察到的实验:(1)电场超过15MV/cm时,PPP衍生物的发光强度很快减弱;(2)电场对45MV/cm时,发光强度... 研究了电场对高分子的发光及激子的影响.1在强电场中,激子会解离成正负极化子对,这可定量解释最近观察到的实验:(1)电场超过15MV/cm时,PPP衍生物的发光强度很快减弱;(2)电场对45MV/cm时,发光强度减为24%;(3)电场使发光光谱向蓝色移动.2高分子中π电子具有“离域性”,易于极化.算得高分子中激子具有很大的极化率,比氢原子大三个数量级以上. 展开更多
关键词 高分子 电场 发光 激子 解离 电致发光
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溶胶—凝胶法制备三氧化钼电致变色薄膜的研究 被引量:9
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作者 孙艳 马珩 +2 位作者 段潜 陈静 戴宁 《光学仪器》 2004年第2期128-131,共4页
以钼的异丙醇盐为前驱体,用溶胶—凝胶法制备了MoO3电致变色膜。在不同温度下对样品进行热处理。用扫描电镜和X-射线衍射对热处理后的薄膜进行表面形貌和微观结构分析,结果显示薄膜在150°C退火为非结晶态,250°C退火部分结晶... 以钼的异丙醇盐为前驱体,用溶胶—凝胶法制备了MoO3电致变色膜。在不同温度下对样品进行热处理。用扫描电镜和X-射线衍射对热处理后的薄膜进行表面形貌和微观结构分析,结果显示薄膜在150°C退火为非结晶态,250°C退火部分结晶。对非晶态薄膜的光学性质研究表明,非晶态MoO3薄膜在可见光区具有较好的变色特性,550nm处透过率ΔT为33%。 展开更多
关键词 三氧化钼 电致变色薄膜 溶胶-凝胶 制备 热处理 扫描电镜 X-射线衍射
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