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等离子体活性氮源的研制 被引量：2
1
作者 王善忠 许颐璐 +6 位作者 姬荣斌 巫艳 俞锦陛 乔怡敏 于梅芳 杨建荣 何力 《光电子技术》 CAS 1998年第1期54-59,共6页
ZnSe基材料是研制蓝绿色发光器件的首选材料之一。本文报道一种自己研制的、以石英管为主体结构材料的、可适用于ZnSe基材料分子束外延掺杂的简易等离子体活性氛源。该氛源采用射频激励方式激活氮分子。在适当生长条件下，利用装备有该... ZnSe基材料是研制蓝绿色发光器件的首选材料之一。本文报道一种自己研制的、以石英管为主体结构材料的、可适用于ZnSe基材料分子束外延掺杂的简易等离子体活性氛源。该氛源采用射频激励方式激活氮分子。在适当生长条件下，利用装备有该氮源的国产FW－Ⅲ型分子束外延设备，成功地生长出了p型ZnSe优质单晶薄膜。SIMS测量表明，薄膜中氮浓度高达～2．3×1020cm－3；C-V测量表明，净空穴浓度［Na］－［Nd］为～5×1017cm-3，已经达到制备原理性蓝绿色激光二极管的要求（～4．0×1017cm-3）。 展开更多
关键词 射频激励 等离子体 活性氮源 发光器件
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分子束外延HgCdTe材料生长参数的实时监测研究 被引量：2
2
作者 王善力 于梅芳 +4 位作者 乔怡敏 杨建荣 巫艳 袁诗鑫 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期287-291,共5页
报道了用椭圆偏振技术和红外辐射测温技术对ＨｇＣｄＴｅ生长关键参数实时监测的结果，建立了ＨｇＣｄＴｅ材料在生长温度下的标准光学常数数据库，在研究中对生长过程中材料的发射率以及红外辐射强度进行了理论分析，为生长温度的实时... 报道了用椭圆偏振技术和红外辐射测温技术对ＨｇＣｄＴｅ生长关键参数实时监测的结果，建立了ＨｇＣｄＴｅ材料在生长温度下的标准光学常数数据库，在研究中对生长过程中材料的发射率以及红外辐射强度进行了理论分析，为生长温度的实时精确控制提供了理论依据，并在实验上获得了小于±１℃的生长温度控制精度． 展开更多
关键词 分子束外延 实时监测 红外辐射测温 汞镉碲
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Be基蓝绿激光器载流子约束的LCAO理论研究 被引量：1
3
作者 王善忠 何力 沈学础 《量子电子学报》 CAS CSCD 1998年第1期1-9,共9页
本征的强离子性，使ZnSe基半导体蓝绿激光器易于形成堆垛层错等退化缺陷，严重地影响了器件的寿命。人们便开始将注意力投向离子性较低的Be基化合物，希望用Be基Ⅱ-Ⅵ族材料取代ZnSe基材料，抑制蓝绿激光器的退化。要研制半导体激光器... 本征的强离子性，使ZnSe基半导体蓝绿激光器易于形成堆垛层错等退化缺陷，严重地影响了器件的寿命。人们便开始将注意力投向离子性较低的Be基化合物，希望用Be基Ⅱ-Ⅵ族材料取代ZnSe基材料，抑制蓝绿激光器的退化。要研制半导体激光器，电学限制层对发光活性层中载流子的约束能力（即能带的offset值）是最重要的基本参数之一。由于对Be基化合物的了解十分有限，本文从基本的原子参数出发，用原子轨道线性组合（LCAO）理论计算了所有Ⅱ-Ⅵ族化合物价带顶的相对位置，结合带隙的实验值，给出了Ⅱ-Ⅵ族化合物导带底的相对位置。简要分析了二元化合物用于BeTe中载流于约束的可能性。根据虚晶近似，用插值方法计算了与GaAs匹配的Be基四元合金相对与BeTe价带、导带的offset。对各四元合金的特征进行了分析对比，讨论了Be基四元合金用作我流子约束层的可能性。为制作Be基半导体蓝绿激光器提供了能带剪裁的理论依据。 展开更多
关键词 蓝绿激光器 LCAO理论 半导体激光器
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Be基Ⅱ-Ⅵ族宽带四元合金的晶格参数与带隙参数 被引量：1
4
作者 王善忠 何力 沈学础 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期245-253,共9页
分析了三元合金ｂｏｗｉｎｇ参数的计算公式，指出Ｚ值应当为替换原子的价电子数；通过与实验值的比较，将三元合金分为共阳离子型和共阴离子型两类；对共阳离子体系忽略库仑屏蔽作用，库仑屏蔽参数Ｓｃｒ取零，对共阴离子体系具有较强... 分析了三元合金ｂｏｗｉｎｇ参数的计算公式，指出Ｚ值应当为替换原子的价电子数；通过与实验值的比较，将三元合金分为共阳离子型和共阴离子型两类；对共阳离子体系忽略库仑屏蔽作用，库仑屏蔽参数Ｓｃｒ取零，对共阴离子体系具有较强的屏蔽作用，Ｓｃｒ取０．３０．用二元化合物的晶格常数、带隙参数插值计算获得了三元合金的晶格常数、带隙参数．用三元合金的晶格常数、带隙参数插值获得了四元合金的晶格常数、带隙参数，直观地给出了带隙、晶格常数与组分的关系．本文同时修正了Ａ１－ｘ－ｙＢｘＣｙＤ型四元合金带隙的计算公式． 展开更多
关键词 四元合金 铍 硒化锌 晶格参数 带隙参数
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新型蓝绿发光材料Znse/BeTe超晶格的能带剪裁
5
作者 王善忠 何力 沈学础 《量子电子学报》 CAS CSCD 1998年第3期245-252,共8页
由于器件的快速退化，101.5小时似乎成了Znse基蓝绿色半导体激光器难于逾越的寿命极限。分析退化机制，发现在强电流注入的半导体激光器中，热退化具有重要影响。研究表明，用作载流子限制层的宽带Ⅱ-Ⅵ族四元合金（如ZnMgSSe）只能对Z... 由于器件的快速退化，101.5小时似乎成了Znse基蓝绿色半导体激光器难于逾越的寿命极限。分析退化机制，发现在强电流注入的半导体激光器中，热退化具有重要影响。研究表明，用作载流子限制层的宽带Ⅱ-Ⅵ族四元合金（如ZnMgSSe）只能对ZnSe中的电子有效地限制，无法对空穴很好地限制;而对BeTe，却只能对空穴进行有效的限制，无法对电子很好地限制。这导致ZnSe（或BeTe）活性层空穴（或电子）漏电发热，引起退化。本文提出以ZnSe／BeTe超晶格为蓝绿发光层，并用包络函数理论具体计算了阱宽、垒宽对载流子能级的不同影响，考察了ZnSe、BeTe厚度比和超晶格周期对带隙、载流子限制能力的调节。为研制新型长寿命蓝绿色半导体激光器提供了一条新的途径。 展开更多
关键词 包络函数理论 能带剪裁 蓝绿色 半导体激光器
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HgCdTe分子束外延柔性制造技术研究
6
作者 何力 杨建荣 +3 位作者 王善力 巫艳 方维政 张勤跃 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 1999年第3期1-6,共6页
报道了近年来在ＨｇＣｄＴｅ分子束外延柔性制造技术研究中取得的初步结果，并对面临的任务进行了讨论。研究表明：ＨｇＣｄＴｅ分子束外延薄膜具有很好的组分均匀性、表面形貌、电学参数以及组分可重复性。用分子束外延ＨｇＣｄＴｅ薄... 报道了近年来在ＨｇＣｄＴｅ分子束外延柔性制造技术研究中取得的初步结果，并对面临的任务进行了讨论。研究表明：ＨｇＣｄＴｅ分子束外延薄膜具有很好的组分均匀性、表面形貌、电学参数以及组分可重复性。用分子束外延ＨｇＣｄＴｅ薄膜成功地研制出了３２×３２红外焦平面器件。 展开更多
关键词 分子束外延 焦平面探测器 红外探测器 HGCDTE
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CdZnTe晶片中的Zn组分的研究 被引量：4
7
作者 黄根生 张小平 +3 位作者 常勇 于福聚 杨建荣 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期460-464,共5页
用X 射线双晶衍射、光致发光谱和红外透射光谱研究了CdZnTe 晶体中的Zn 的组分.研究表明透射光谱的Syllaios经验公式结果与X 射线双晶衍射和光致发光谱精确测量结果对比,偏差小于4% .透射光谱可以做为测量Zn
关键词 CDZNTE 光致发光谱 锌 晶片 半导体
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掺氮ZnSe外延层的光致发光研究 被引量：1
8
作者 朱作明 刘南竹 +6 位作者 李国华 韩和相 汪兆平 王善忠 何力 姬荣斌 巫艳 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期13-18,共6页
报导了掺氮ＺｎＳｅ外延层的光致发光，研究了与氮受主有关的发光峰随温度和激发强度的变化关系．１０Ｋ下施主－受主对发光峰随激发强度的增加向高能方向移动，且峰强呈现饱和趋势．在１０～３００Ｋ温度范围光致发光谱表明，随着温度... 报导了掺氮ＺｎＳｅ外延层的光致发光，研究了与氮受主有关的发光峰随温度和激发强度的变化关系．１０Ｋ下施主－受主对发光峰随激发强度的增加向高能方向移动，且峰强呈现饱和趋势．在１０～３００Ｋ温度范围光致发光谱表明，随着温度增加，由于激子在受主束缚激子态和施主束缚激子态之间转移。 展开更多
关键词 光致发光 束缚激子 掺氮 硒化锌 外延层
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