ULSI介质CMP用大粒径硅溶胶纳米研磨料的合成及应用研究 被引量：8

1

作者 张楷亮 宋志棠 +2 位作者 张建新 檀柏梅 刘玉岭 《电子器件》 CAS 2004年第4期556-558,563,共4页

针对超大规模集成电路多层互连结构中介质 CMP抛光速率低 ,急需的大粒径硅溶胶研磨料 ,本文采用改进的粒径生长控制工艺制备介质 CMP用大粒径硅溶胶 ,并采用 TEM、激光粒度分析仪和 Zeta电位测试仪等先进手段对其粒径大小、粒径分布和... 针对超大规模集成电路多层互连结构中介质 CMP抛光速率低 ,急需的大粒径硅溶胶研磨料 ,本文采用改进的粒径生长控制工艺制备介质 CMP用大粒径硅溶胶 ,并采用 TEM、激光粒度分析仪和 Zeta电位测试仪等先进手段对其粒径大小、粒径分布和稳定性进行了表征。以低分散度硅溶胶纳米研磨料配制抛光浆料进行了二氧化硅介质的 CMP研究 ,结果表明 ,平均粒径 1 0 3 .4nm的硅溶胶浆料的去除速率达 63 0 nm/min,有效解决了二氧化硅介质 展开更多

关键词 超大规模集成电路 化学机械抛光 纳米研磨料 硅溶胶 大粒径

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多层互连工艺中铜布线化学机械抛光研究进展 被引量：6

2

作者 陈苏 张楷亮 +1 位作者 宋志棠 封松林 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第8期21-24,共4页

对ULSI中多层铜布线的CMP进行了分析,主要针对铜抛光液的研究现状以及进展进行综述,重点比较了各种不同种类抛光液的抛光效果,以及抛光液对铜和介电层的选择性研究,并提出了目前需要解决的问题,对今后铜抛光研究方向及方法进行了进一步... 对ULSI中多层铜布线的CMP进行了分析,主要针对铜抛光液的研究现状以及进展进行综述,重点比较了各种不同种类抛光液的抛光效果,以及抛光液对铜和介电层的选择性研究,并提出了目前需要解决的问题,对今后铜抛光研究方向及方法进行了进一步探讨。 展开更多

关键词 超大规模集成电路 化学机械抛光 铜 抛光液 多层互连

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低能Ar^+离子束辅助沉积择优取向Pt(111)膜 被引量：3

3

作者 江炳尧 蒋军 +5 位作者 冯涛 任琮欣 张正选 宋志棠 柳襄怀 郑里平 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期774-775,778,共3页

　采用低能Ar+离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上沉积Pt膜,离子/原子到达比分别为0.1、0.2、0.3。若Ar+离子的入射角为0°,XRD谱分析表明,沉积的Pt膜均呈(111)和(200)混合晶向;当Ar+离子的入射角为45°,沉积的Pt膜均呈很强... 　采用低能Ar+离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上沉积Pt膜,离子/原子到达比分别为0.1、0.2、0.3。若Ar+离子的入射角为0°,XRD谱分析表明,沉积的Pt膜均呈(111)和(200)混合晶向;当Ar+离子的入射角为45°,沉积的Pt膜均呈很强的(111)择优取向。因此若合理控制Ar+离子束的入射角,可在Mo/Si(100)衬底上制备出具有显著择优取向的Pt(111)薄膜。本文采用MonteCarlo方法模拟低能Ar+离子注入Pt单晶所引起的原子级联碰撞过程,得出Ar+离子入射单晶铂(200)晶面时,Ar+离子的溅射率与入射角的关系,对Pt膜择优取向的机理作了初步的探讨和分析。 展开更多

关键词 离子束辅助沉积 Pt膜 择优取向

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低能Ar离子束辅助沉积Ag(111)薄膜 被引量：1

4

作者 江炳尧 蒋军 +4 位作者 冯涛 任琮欣 张正选 柳襄怀 郑里平 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期34-39,共6页

采用低能Ar离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上制备Ag膜。实验发现,用Ar离子束溅射沉积的Ag膜呈(111)择优取向。若在溅射沉积Ag膜的同时,用能量为500eV的Ar离子束沿衬底法线方向对Ag膜进行辅助轰击,当离子/原子到达比为0.06时,Ag膜... 采用低能Ar离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上制备Ag膜。实验发现,用Ar离子束溅射沉积的Ag膜呈(111)择优取向。若在溅射沉积Ag膜的同时,用能量为500eV的Ar离子束沿衬底法线方向对Ag膜进行辅助轰击,当离子/原子到达比为0.06时,Ag膜呈(111)择优取向;当离子/原子到达比增大到0.18时,Ag膜呈(111)和(100)混合晶向。若Ar离子的入射角为35.26°,离子/原子到达比为0.06时,Ag膜呈(111)择优取向;当离子/原子比增大到0.18时,Ag膜呈(111)和微弱的(100)混合晶向。若Ar离子的入射角为54.7°,离子/原子到达比为0.06时,沉积的Ag膜呈很强的(111)择优取向。 展开更多

关键词 离子束辅助沉积 Ag膜 沟道效应 择优取向

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离子束辅助沉积铪膜抑制栅电子发射性能研究 被引量：2

5

作者 蒋军 江炳尧 +5 位作者 郑志宏 任琮欣 冯涛 王曦 柳襄怀 邹世昌 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期1673-1675,共3页

利用离子束辅助沉积(IBAD)方法在Mo栅极表面沉积铪膜,采用模拟二极管方法测量和比较阴极活性物质Ba、BaO蒸发在镀铪和纯钼栅极表面的电子发射性能。实验结果表明,镀铪栅极抑制电子发射性能较好,并初步探讨了离子束辅助沉积铪膜抑制栅电... 利用离子束辅助沉积(IBAD)方法在Mo栅极表面沉积铪膜,采用模拟二极管方法测量和比较阴极活性物质Ba、BaO蒸发在镀铪和纯钼栅极表面的电子发射性能。实验结果表明,镀铪栅极抑制电子发射性能较好,并初步探讨了离子束辅助沉积铪膜抑制栅电子发射的机理。 展开更多

关键词 抑制电子发射 铪 离子束辅助沉积 钼栅极

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CNT-FED点阵显示器件的研制及其驱动电路设计

6

作者 戴丽娟 冯涛 +4 位作者 蒋军 王曦 柳襄怀 李琼 张峰 《光电子技术》 CAS 2006年第2期91-93,共3页

采用丝网印刷技术和等离子体表面处理方法,制备了16×16点阵式碳纳米管场发射显示器件(Carbon N anotube F ield Em ission D isp lay,CNT-FED)。根据CNT-FED的结构特点,研究了CNT-FED的显示驱动原理,设计了以51单片机为控制核心的... 采用丝网印刷技术和等离子体表面处理方法,制备了16×16点阵式碳纳米管场发射显示器件(Carbon N anotube F ield Em ission D isp lay,CNT-FED)。根据CNT-FED的结构特点,研究了CNT-FED的显示驱动原理,设计了以51单片机为控制核心的驱动电路,实现了点阵式显示器件的动态显示。 展开更多

关键词 碳纳米管 场发射显示器 驱动电路 丝网印刷

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CH_4+Ar混合等离子体注入新工艺

7

作者 邢玉梅 俞跃辉 +2 位作者 陈可炜 郑志宏 杨文伟 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2005年第3期328-330,334,共4页

采用CH4+Ar混合等离子体对p-Si(100)进行剂量为5.0×1017cm-2,能量分别为40keV及80keV的碳离子注入,靶温控制在700°C左右;注入后将样品在1250°C的氩气中退火5h。通过红外反射光谱、掠角X-射线衍射以及剖面透射电镜对退火... 采用CH4+Ar混合等离子体对p-Si(100)进行剂量为5.0×1017cm-2,能量分别为40keV及80keV的碳离子注入,靶温控制在700°C左右;注入后将样品在1250°C的氩气中退火5h。通过红外反射光谱、掠角X-射线衍射以及剖面透射电镜对退火前后的样品进行分析,其结果证明了结晶质量较好的多晶β-SiC不连续埋层的形成。 展开更多

关键词 甲烷 等离子体 碳化硅 离子注入

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HfC涂覆碳纳米管增强场发射性能研究 被引量：1

8

作者 蒋军 冯涛 +6 位作者 张继华 戴丽娟 程新红 宋朝瑞 王曦 柳襄怀 邹世昌 《真空电子技术》 2006年第1期48-50,57,共4页

利用PECVD方法在硅衬底上生长碳纳米管薄膜,然后采用IBAD方法在薄膜上沉积5 nm的Hf,在高温下退火后在表面形成HfC。研究了经过HfC处理前后碳纳米管膜的场发射性能,结果表明经过HfC处理后碳纳米管膜的场发射性能得到明显改善,并对提高碳... 利用PECVD方法在硅衬底上生长碳纳米管薄膜,然后采用IBAD方法在薄膜上沉积5 nm的Hf,在高温下退火后在表面形成HfC。研究了经过HfC处理前后碳纳米管膜的场发射性能,结果表明经过HfC处理后碳纳米管膜的场发射性能得到明显改善,并对提高碳纳米管场发射性能的机理进行了探讨。此方法为提高碳纳米管场发射性能提供了一种新的思路。 展开更多

关键词 碳纳米管 场发射 碳化铪

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相变存储器器件单元测试系统 被引量：7

9

作者 梁爽 宋志棠 +2 位作者 刘波 陈小刚 封松林 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第8期614-617,共4页

通过计算机控制脉冲信号发生器和数字信号源等硬件设备,实现对硫系化合物随机存储器(C-RAM)器件性能的测试。该系统主要有电流与电压关系测试、电压与电流关系测试、电阻与所加的脉冲信号关系的测试和疲劳特性测试等模块组成。通过这些... 通过计算机控制脉冲信号发生器和数字信号源等硬件设备,实现对硫系化合物随机存储器(C-RAM)器件性能的测试。该系统主要有电流与电压关系测试、电压与电流关系测试、电阻与所加的脉冲信号关系的测试和疲劳特性测试等模块组成。通过这些测试从而找出写脉冲信号与擦脉冲信号的高度和宽度的最佳参数、C-RAM器件的阈值电压、循环寿命等重要参数。此系统不仅为研究C-RAM器件的速度、功耗、可靠性等提供了一个途径,又为C-RAM的工艺和结构参数的研究提供了试验平台。 展开更多

关键词 硫系化合物随机存储器 远程控制 测试系统 相变

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ULSI关键工艺技术——纳米级化学机械抛光 被引量：3

10

作者 张楷亮 宋志棠 +1 位作者 封松林 Chen Bomy 《微纳电子技术》 CAS 2005年第7期336-339,共4页

IC器件尺寸的纳米化,要求高的光刻曝光分辨率,在采用短波长和大数值孔径曝光系统提高分辨率的同时导致了焦深变浅,进而对晶片表面的平坦化要求越来越高。在比较了IC工艺中的四种平坦化技术基础上,重点综述了唯一可以实现全局平坦化的化... IC器件尺寸的纳米化,要求高的光刻曝光分辨率,在采用短波长和大数值孔径曝光系统提高分辨率的同时导致了焦深变浅,进而对晶片表面的平坦化要求越来越高。在比较了IC工艺中的四种平坦化技术基础上,重点综述了唯一可以实现全局平坦化的化学机械抛光(CMP)方法的发展、应用及展望。 展开更多

关键词 超大规模集成电路 化学机械抛光 纳米 抛光液 全局平坦化

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SOI在射频电路中的应用 被引量：2

11

作者 骆苏华 刘卫丽 +5 位作者 张苗 狄增峰 王石冶 宋志棠 孙晓玮 林成鲁 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期67-70,共4页

随着射频电路(RF)工作频率和集成度的提高,衬底材料对电路性能的影响越来越大。 SOI(Silicon-on-Insulator)结构以其良好的电学性能,为系统设计提供了灵活性。与CMOS工艺的 兼容使它能将数字电路与模拟电路混合,在射频电路应用方面显示... 随着射频电路(RF)工作频率和集成度的提高,衬底材料对电路性能的影响越来越大。 SOI(Silicon-on-Insulator)结构以其良好的电学性能,为系统设计提供了灵活性。与CMOS工艺的 兼容使它能将数字电路与模拟电路混合,在射频电路应用方面显示巨大优势。文章分析了RF电路 发展中遇到的挑战和SOI在RF电路中的应用优势,综述了SOI RF电路的最新进展。 展开更多

关键词 射频集成电路 高阻SOI FD-SOI CMOS SIMOX

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