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离子束合成Ti-O薄膜对热解碳生物材料表面改性的研究 被引量：15
1
作者 黄楠 杨萍 +9 位作者 曾晓兰 刘志农 柳襄怀 张峰 郑志宏 周祖尧 奚廷斐 田文华 王春仁 雷学会 《中国生物医学工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期199-205,共7页
采用离子束增强沉积在低温各向同性热解碳表面进行了Ｔｉ－Ｏ薄膜合成研究，获得了化学计量比及非化学计量比的ＴｉＯ２薄膜，采用动态凝血时间测定、血小板粘附行为研究、全血动态接触研究、溶血率测定等方法进行了血液相容性评价，用... 采用离子束增强沉积在低温各向同性热解碳表面进行了Ｔｉ－Ｏ薄膜合成研究，获得了化学计量比及非化学计量比的ＴｉＯ２薄膜，采用动态凝血时间测定、血小板粘附行为研究、全血动态接触研究、溶血率测定等方法进行了血液相容性评价，用声发射薄膜结合力测定、针盘磨损试验及显微硬度分析研究了热解碳表面薄膜的力学性质。研究表明，经Ｔｉ－Ｏ薄膜沉积，热解碳的血液相容性和表面力学性质获得了改善，提出了血液相容性机理模型。 展开更多
关键词 离子束 热解碳 生物材料 血液相容性
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Ti-O/Ti-N复合薄膜的离子束合成及人工心脏瓣膜材料表面改性研究 被引量：2
2
作者 黄楠 杨萍 +10 位作者 曾小兰 蔡光军 陈元儒 柳襄怀 张峰 郑志宏 周祖尧 奚廷斐 王春仁 田文华 雷学会 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 1997年第1期40-46,共7页
采用离子束增强沉积（ＩＢＥＤ）等方法在热解碳、钛及钴合金等人工心脏瓣膜材料表面制备Ｔｉ－Ｏ、Ｔｉ－Ｎ及其复合薄膜。对薄膜的成分、结构进行了研究，测定了材料的电阻率，对薄膜材料的血液相容性和力学性能进行了系统的研究。结... 采用离子束增强沉积（ＩＢＥＤ）等方法在热解碳、钛及钴合金等人工心脏瓣膜材料表面制备Ｔｉ－Ｏ、Ｔｉ－Ｎ及其复合薄膜。对薄膜的成分、结构进行了研究，测定了材料的电阻率，对薄膜材料的血液相容性和力学性能进行了系统的研究。结果表明：合成薄膜具有优于热解碳的血液相容性和力学性能，提出了材料的血液相容性机理模型。 展开更多
关键词 人工心脏 瓣膜材料 氧化钛 氮化钛 离子束合成
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金刚石薄膜电子场发射研究进展 被引量：2
3
作者 茅东升 赵俊 +7 位作者 李炜 王曦 柳襄怀 诸玉坤 周江云 范忠 李琼 徐静芳 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期27-31,共5页
综述了近年来金刚石和类金刚石薄膜电子场发射性能的研究进展。金刚石薄膜是出色的场发射材料,由于其很低的或者是负的电子亲和势(导带能级位于真空能级之上)和良好的化学稳定性,在真空微电子和场发射显示领域具有广阔的应用前景。
关键词 金刚石 薄膜 电子场发射性能 研究进展 制备
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硅基氧化物薄膜的结构及光吸收特性的研究 被引量：1
4
作者 吴雪梅 董业民 +5 位作者 诸葛兰剑 叶春暖 汤乃云 俞跃辉 宁兆元 姚伟国 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期209-211,共3页
采用射频磁控共溅射方法制备了纳米Ge颗粒尺寸的Ge SiO2 薄膜、非晶Si SiO2 薄膜和非晶AlSiO复合薄膜 ,分析了样品的结构 ,研究发现 3类样品均存在较强的光吸收 ,对于Ge SiO2 薄膜观察到光吸收边随Ge颗粒尺寸变小而蓝移的现象 ,这主要... 采用射频磁控共溅射方法制备了纳米Ge颗粒尺寸的Ge SiO2 薄膜、非晶Si SiO2 薄膜和非晶AlSiO复合薄膜 ,分析了样品的结构 ,研究发现 3类样品均存在较强的光吸收 ,对于Ge SiO2 薄膜观察到光吸收边随Ge颗粒尺寸变小而蓝移的现象 ,这主要是由于Ge颗粒的量子限域效应所引起的。而对于非晶样品也出现了光吸收边蓝移和能隙展宽的现象 。 展开更多
关键词 硅基氧化物薄膜 结构 光吸收特性
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氮离子注入形成SOI结构的外延研究
5
作者 林成鲁 李金华 +1 位作者 方予韦 邹世昌 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第6期453-456,共4页
用大束流(50μA/cm^2)、高剂量(1.8×10^(18)/cm^2)的190keV N^+注入Si〈100〉中,然后在SiO_2覆盖保护下于1220℃退火二小时形成SOI结构.为了增加SOI材料上层单晶Si的厚度以应用于器件制作,将退火得到的SOI样品经化学处理后作外延生... 用大束流(50μA/cm^2)、高剂量(1.8×10^(18)/cm^2)的190keV N^+注入Si〈100〉中,然后在SiO_2覆盖保护下于1220℃退火二小时形成SOI结构.为了增加SOI材料上层单晶Si的厚度以应用于器件制作,将退火得到的SOI样品经化学处理后作外延生长.外延后获得的SOI材料,上层单晶Si厚度为0.8-1.0μm;Si_3N_4埋层的厚度为2800A;上、下Si-Si_3N_4界面陡峭.测试分析结果表明,利用N^+注入与气相外延生长能获得质量好的SOI材料. 展开更多
关键词 离子注入 退火 外延生长 SOI材料
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大剂量P^＋离子注入单晶硅的研究
6
作者 高剑侠 朱德彰 +1 位作者 曹德新 周祖尧 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第2期65-68,共4页
采用４８０ｋｅＶＰ＋离子注入单晶硅，注入剂量为１×１０１６ｃｍ－２。采用ＲＢＳ、ＴＥＭ技术测试样品，发现样品经６００℃退火后，距样品表面约２４０ｎｍ处有一条低密度缺陷带。研究表明，这一现象与Ｐ＋的剂量及退火温度有关。
关键词 退火 缺陷 离子注入 单晶硅 硼离子
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金属及合金中射程参数的研究
7
作者 王德宁 王渭源 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1990年第3期A184-A188,共5页
本文应用金属中Wigner-Sietz(W-S)半径数据和引入等效电荷概念,结合Ziegler的质子注入数据,导出了计算重离子注入各种金属中的电子阻止本领S_c(E)的公式,计算结果与文献中的实测值结果甚为一致。同样,应用合金中的W-S半径,导出了适用于... 本文应用金属中Wigner-Sietz(W-S)半径数据和引入等效电荷概念,结合Ziegler的质子注入数据,导出了计算重离子注入各种金属中的电子阻止本领S_c(E)的公式,计算结果与文献中的实测值结果甚为一致。同样,应用合金中的W-S半径,导出了适用于合金硼化物和CsCl型合金的S_c(E)计算公式。计算结果表明,公式对单硼或二硼化合物符合得较好,而对一些复杂结构的合金以及Cr_5B_3和W_2B_5是不适合的。对CsCl型合金,S_c(E)对Bragg定律的偏离系数γ和合金中电荷转移量成正比,后者越大表明金属键越强,则合金对离子的阻止本领越大,这与实验结果是吻合的。合金中两元素在同一周期中位置相差越远,这种趋势越明显。不同周期元素组成的合金更加强了这种趋势。 展开更多
关键词 金属 合金 射程参数 研究
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硅中注As_2^+和As^+引起损伤的比较
8
作者 林成鲁 方子韦 邹世昌 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1989年第5期297-300,共4页
本文比较了室温下每原子质量单位能量相同的As_2^+和As^+注入(100)Si所引入的辐射损伤。结果表明,As_2^+注入引入的辐射损伤大于As^+注入的辐射损伤,损伤增强因子N_D(mol)/2N_D(atom)在5keV/atom至250keV/atom注入能量范围内随入射离子... 本文比较了室温下每原子质量单位能量相同的As_2^+和As^+注入(100)Si所引入的辐射损伤。结果表明,As_2^+注入引入的辐射损伤大于As^+注入的辐射损伤,损伤增强因子N_D(mol)/2N_D(atom)在5keV/atom至250keV/atom注入能量范围内随入射离子的能量的增大而增加。 展开更多
关键词 辐射损伤 As2 注入能量 入射离子 增强因子 原子数 损伤行为 透射电子显微镜 损伤区 背散射
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金属薄片上无定形硅(SOM)的激光再结晶研究
9
作者 林成鲁 邢昆山 +3 位作者 陈莉芝 许学敏 谭松生 邹世昌 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第7期416-419,411,共5页
以CW Ar^+激光对非晶硅再结晶得到了SOM(Silicon on Metal)多晶硅新材料。其晶粒大小为10×40μm^2,杂质分布均匀,电学性能大大改善.用这种SOM材料已制备成功在1bar压力范围内灵敏度为6mV/V的性能良好的压力传感器。
关键词 激光 非晶硅 再结晶 SOM
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Si/Pd/GaAs欧姆接触的激光退火
10
作者 方芳 S.S.Lau 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第S1期175-178,共4页
利用连续Ar^+激光对淀积在砷化镓上的Si/Pd进行退火,形成Si/Pd_2Si/GaAs(6.9×10^(17)cm^(-3))接触,得到了比接触电阻率为2.75×10^(-6)Ω·cm^2的非合金欧姆接触。经410℃,8小时,形成气中退火后表明:激光退火形成的欧姆接... 利用连续Ar^+激光对淀积在砷化镓上的Si/Pd进行退火,形成Si/Pd_2Si/GaAs(6.9×10^(17)cm^(-3))接触,得到了比接触电阻率为2.75×10^(-6)Ω·cm^2的非合金欧姆接触。经410℃,8小时,形成气中退火后表明:激光退火形成的欧姆接触具有良好的热稳定性。 展开更多
关键词 欧姆接触 比接触电阻率 激光退火
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F^＋＋B^＋双注入浅结研究
11
作者 李金华 林成鲁 +2 位作者 冒建军 何建军 邹世昌 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第10期704-710,共7页
对不同条件的Ｆ＋＋Ｂ＋双注入样品和对应能量的Ｂ＋和ＢＦ２＋注入样品，作１１００℃．１０秒的瞬时热退火，然后用扩展电阻仪测量其载流子分布和结深．结果显示，用１×１１５／ｃｍ２的Ｆ＋预注入能有效地抑制低能Ｂ＋注入的沟... 对不同条件的Ｆ＋＋Ｂ＋双注入样品和对应能量的Ｂ＋和ＢＦ２＋注入样品，作１１００℃．１０秒的瞬时热退火，然后用扩展电阻仪测量其载流子分布和结深．结果显示，用１×１１５／ｃｍ２的Ｆ＋预注入能有效地抑制低能Ｂ＋注入的沟道效应，获得陡直的浅结．对样品的结特性测试表明，Ｆ＋＋Ｂ＋双注入样品的结漏电与Ｂ＋注入样品一致，小于对应能量的ＢＦ２＋注入样品．ＲＢＳ／Ｃ分析表明，只要在材底近表面附近单晶中有高浓度的间隙原子区，就能抑制低能Ｂ＋注入的沟道效应。 展开更多
关键词 离子注入 MOS器件 浅结
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纳米材料的结构、性能及应用 被引量：56
12
作者 丁星兆 柳襄怀 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期1-5,共5页
综述了纳米材料的微观结构特征、宏观性能以及近年来在各个领域中的实际应用。
关键词 纳米材料 微观结构 应用 宏观性能 制备
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氧化钛薄膜的血液相容性机理探讨 被引量：12
13
作者 张峰 李昌荣 +2 位作者 王向晖 郑志宏 柳襄怀 《生物医学工程学杂志》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期146-150,共5页
考察了影响氧化钛薄膜血液相容性的因素，提出了对血液相容性机理的看法，认为血液相容性是表面能和功函数共同作用的结果。表面能决定蛋白质吸附，而功函数决定蛋白质分解，并给出了一个表面能区域。指出一个良好血液相溶性材料，不仅... 考察了影响氧化钛薄膜血液相容性的因素，提出了对血液相容性机理的看法，认为血液相容性是表面能和功函数共同作用的结果。表面能决定蛋白质吸附，而功函数决定蛋白质分解，并给出了一个表面能区域。指出一个良好血液相溶性材料，不仅要有合适的表面能，还要有较小的功函数。 展开更多
关键词 氧化钛薄膜 血液相容性 离子束增强沉积
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低能Cu_6团簇在Cu(001)表面和Au(001)表面沉积的分子动力学模拟研究 被引量：14
14
作者 徐毅 潘正瑛 王月霞 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期88-94,共7页
采用分子动力学方法和混合的Finnis Sinclain势得到了Cu6团簇的最稳定结构———正八面体结构 .模拟了此结构的Cu6团簇在入射能量 (Ein)范围为 0～ 30eV/原子下与Cu(0 0 1)和Au(0 0 1)表面皮秒 (ps)级时间内的相互作用 .计算结果表明在... 采用分子动力学方法和混合的Finnis Sinclain势得到了Cu6团簇的最稳定结构———正八面体结构 .模拟了此结构的Cu6团簇在入射能量 (Ein)范围为 0～ 30eV/原子下与Cu(0 0 1)和Au(0 0 1)表面皮秒 (ps)级时间内的相互作用 .计算结果表明在此能量范围内 ,由于荷能团簇原子与表面的相互作用 ,团簇原子由原来的正八面体Cu6结构演变为fcc结构沉积在衬底表面 .随着Ein的增加 ,团簇原子的穿透深度及与表面原子的交换增加 .到能量增加至一阈值 ,衬底表面观察到空位及间隙子损伤 .与Cu表面相比 ,Cu6在Au表面的损伤阈能略高 .得出团簇原子在表面的再构是在很短的时间 (ps量级 )内发生 ,在该时间范围级联碰撞对团簇再构起主要作用 .本工作支持相关的实验结果 ,低能团簇束沉积 (LECBD)有利于纳米表面的形成 ,进而改变团簇沉积能量 ,可控制表面纳米薄膜的结构 . 展开更多
关键词 分子动力学 低能团簇 金属表面 沉积 薄膜
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用离子束增强沉积从V_2O_5粉末制备高热电阻温度系数VO_2薄膜 被引量：20
15
作者 李金华 袁宁一 +1 位作者 陈王丽华 林成鲁 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第8期1788-1792,共5页
采用了一种用离子束增强沉积从V2 O5粉末直接制备VO2 薄膜的新方法 ,将纯度为 99 7%的V2 O5粉末压成溅射靶 ,在用Ar离子束溅射的同时 ,用氩氢混合束对沉积膜作高剂量离子注入 ,使沉积膜中V2 O5的V—O键断裂 ,进而被注入的氢还原 ,退火... 采用了一种用离子束增强沉积从V2 O5粉末直接制备VO2 薄膜的新方法 ,将纯度为 99 7%的V2 O5粉末压成溅射靶 ,在用Ar离子束溅射的同时 ,用氩氢混合束对沉积膜作高剂量离子注入 ,使沉积膜中V2 O5的V—O键断裂 ,进而被注入的氢还原 ,退火后获得热电阻温度系数 (TCR)高达 4 %的VO2 薄膜 .高剂量的氩氢混合束注入对薄膜引入应力 ,使薄膜的转换温度降低、电阻 温度曲线斜率变大 。 展开更多
关键词 V2O5粉末 制备 离子束增强沉积 VO2薄膜 热电阻温度系数 氧化钒薄膜 五氧化二钒粉末 红外探测 红外成像
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单源低能离子束辅助沉积类金刚石薄膜摩擦性能的研究 被引量：12
16
作者 朱宏 柳襄怀 +3 位作者 任琮欣 邹世昌 刘惠文 张绪寿 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第2期118-125,共8页
目前，制各类金刚石薄膜的方法很多，然而其中的多数在沉积过程中都需要基体具有比较高的温度，这就不可避免地会对耐温性能较差的材料造成损伤，或使机械零部件发生变形和尺寸变化．因此，利用单源低能离子束辅助沉积法制备了非晶碳薄... 目前，制各类金刚石薄膜的方法很多，然而其中的多数在沉积过程中都需要基体具有比较高的温度，这就不可避免地会对耐温性能较差的材料造成损伤，或使机械零部件发生变形和尺寸变化．因此，利用单源低能离子束辅助沉积法制备了非晶碳薄膜，并且利用喇曼光谱和俄歇电子能谱研究了薄膜的结构，发现其为无定形的类金刚石薄膜，薄膜中的碳原子成键主要是ｓｐ２杂化键．研究表明，随着离子能量和束流的增大，薄膜的显微硬度、摩擦系数和寿命都增大．由于这种方法制备的类金刚石薄膜的含氢量较少，膜中ｓｐ２杂化键较多，性能更接近于石墨，故其摩擦性能较好．研究结果对深入认识类金刚石簿膜结构和在改进磁盘表面耐磨保护涂层等薄膜润滑性能方面，都具有重要的指导意义和实用价值。 展开更多
关键词 离子束辅助沉积 类金刚石薄膜 摩擦性能
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Si(001)表面层及近表面层原子行为的分子动力学模拟研究 被引量：6
17
作者 郏正明 杨根庆 +2 位作者 程兆年 柳襄怀 邹世昌 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第4期609-615,共7页
用分子动力学方法模拟了si(001)表面。提出利用二维偶对相关函数分析方法研究表面层和近表面层原于的行为。硅原子间的相互作用势采用含有两体和三体相互作用的Stilli-anger-Weber势。模拟温度为300K,模拟结果和二维偶对相关函数的分析... 用分子动力学方法模拟了si(001)表面。提出利用二维偶对相关函数分析方法研究表面层和近表面层原于的行为。硅原子间的相互作用势采用含有两体和三体相互作用的Stilli-anger-Weber势。模拟温度为300K,模拟结果和二维偶对相关函数的分析表明:表面层的大部分原子发生成键,键长为0.24nm;近表面层的其它几层原子仍保持原平面晶格构型。另外,对表面层和近表面层原子的弛豫问题也进行了模拟研究。 展开更多
关键词 硅 表面 势 分子动力学
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离子束增强沉积形成梯度薄膜 被引量：9
18
作者 柳襄怀 杨根庆 +3 位作者 王曦 郑志宏 黄巍 邹世昌 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 1994年第1期61-66,共6页
在金属衬底（Ａｌ、钢、铝－碳纤维、Ｎｉ３Ａｌ）上用离子束增强沉积形成氮硅化物的梯度薄膜．在薄膜的一侧有很高的电阻（１０７Ω），而在另一侧电阻根低（１Ω），在绝缘层和导电层之间电阻呈梯度变化．对梯度薄膜的组分、硬度、附... 在金属衬底（Ａｌ、钢、铝－碳纤维、Ｎｉ３Ａｌ）上用离子束增强沉积形成氮硅化物的梯度薄膜．在薄膜的一侧有很高的电阻（１０７Ω），而在另一侧电阻根低（１Ω），在绝缘层和导电层之间电阻呈梯度变化．对梯度薄膜的组分、硬度、附着力、疲劳寿命、抗腐蚀能力和抗高温氧化性能进行了测试和分析． 展开更多
关键词 离子束 增强沉积 梯度薄膜
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热解碳的氮离子注入处理及其血液相容性评价 被引量：6
19
作者 李昌荣 王向晖 +6 位作者 郑志宏 林梓鑫 俞柳江 张峰 柳襄怀 陈安清 蒋振斌 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2002年第1期63-68,共6页
主要报导了热解碳的氮离子注入处理、等离子体浸没离子注入及其血液相容性。用卢瑟福背散射、X射线衍射和喇曼光谱法分析样品的成份及结构。测试了注入前后热解碳样品的血小板粘附性能,经过注入处理的样品表面粘附较少的血小板,而且较... 主要报导了热解碳的氮离子注入处理、等离子体浸没离子注入及其血液相容性。用卢瑟福背散射、X射线衍射和喇曼光谱法分析样品的成份及结构。测试了注入前后热解碳样品的血小板粘附性能,经过注入处理的样品表面粘附较少的血小板,而且较少团簇及变形,优于临床应用的热解碳。蛋白质竞争吸附实验结果表明热解碳经PIII处理后,表面会吸附较多的白蛋白、较少的纤维蛋白原,具有更好的抗凝血性能。 展开更多
关键词 热解碳 离子注入 血液相容性 人工心脏瓣膜
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离子束溅射制备ZnO:Zn荧光薄膜 被引量：4
20
作者 李炜 茅东升 +6 位作者 张福民 王曦 柳襄怀 邹世昌 诸玉坤 李琼 徐静芳 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期33-40,共8页
用离子束溅射法制备了用于场发射显示器（ＦＥＤ）的ＺｎＯ：Ｚｎ荧光薄膜采用ＲＢＳ、ＸＲＤ、 ＡＦＭ、 Ｈａｌｌ和 ＰＬ谱等手段表征了热处理前后的薄膜 ＲＢＳ结果表明薄膜中存在一定数量的过量 Ｚｎ．沉积态的薄膜中同时含有非晶... 用离子束溅射法制备了用于场发射显示器（ＦＥＤ）的ＺｎＯ：Ｚｎ荧光薄膜采用ＲＢＳ、ＸＲＤ、 ＡＦＭ、 Ｈａｌｌ和 ＰＬ谱等手段表征了热处理前后的薄膜 ＲＢＳ结果表明薄膜中存在一定数量的过量 Ｚｎ．沉积态的薄膜中同时含有非晶相和晶相，其表面形貌表现出多种结构 Ｈａｌｌ检测发现，升高热处理温度能降低薄膜中的自由载流子浓度，说明过量Ｚｎ含量的下降；当热处理温度超过４００℃时，Ｈａｌｌ迁移率迅速上升，表明薄膜结晶性能的改善在 ＺｎＯ：Ｚｎ薄膜的 ＰＬ谱中检测到紫外／紫光、蓝／绿光两组荧光峰，一价氧空位（Ｖｏ）充当了蓝／绿光的发光中心薄膜的光致发光强度受热处理温度的影响很大，可能的原因包括薄膜结构缺陷的修复、成分均匀化和过量 Ｚｎ的蒸发。 展开更多
关键词 荧光薄膜 热处理 光致发光 场发射显示器 氧化锌 离子束溅射
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