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TiN、Ti插入层对ITO与GaN欧姆接触性能影响的研究
1
作者
孟文利
张育民
+2 位作者
孙远航
王建峰
徐科
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2023年第9期1609-1616,共8页
透明半导体铟锡氧化物(ITO)作为电极能够降低光导开关电极边缘电流集聚效应和提高脉冲激光的利用率。本文通过在ITO与GaN界面之间分别插入10 nm的Ti与TiN,研究Ti、TiN对ITO与GaN欧姆接触性能的影响。I-V测试结果表明,随着退火温度升高,...
透明半导体铟锡氧化物(ITO)作为电极能够降低光导开关电极边缘电流集聚效应和提高脉冲激光的利用率。本文通过在ITO与GaN界面之间分别插入10 nm的Ti与TiN,研究Ti、TiN对ITO与GaN欧姆接触性能的影响。I-V测试结果表明,随着退火温度升高,插入TiN的光导开关一直保持欧姆接触特性,而插入Ti的光导开关由欧姆接触转变为肖特基接触。通过TEM测试发现,当以Ti作为插入层时,ITO通过插入层向插入层与GaN的界面扩散,在接触界面形成Ti的氧化物及空洞。透射光谱显示,不同退火温度下插入Ti层的透过率均低于38.3%,而以TiN作为插入层时透过率为38.8%~55.0%。因此含有TiN的光导开关具有更稳定的电学性能和更高的透过率,这为GaN光导开关在高温高功率领域的应用提供了参考。
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关键词
GaN光导开关
ITO
TI
TIN
欧姆接触
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职称材料
双目图像校正VLSI硬件电路结构设计
被引量：
1
2
作者
卫钦智
陈松
《信息技术与网络安全》
2019年第6期90-96,共7页
针对已有立体视觉中双目图像校正算法计算复杂度较高,不适合硬件实现的问题,提出了一种双目图像几何校正模型,并设计了VLSI硬件电路结构。利用网格模板标定法获取畸变校正模型参数,进行单目畸变图像的校正;再借助双目标定算法获得双目...
针对已有立体视觉中双目图像校正算法计算复杂度较高,不适合硬件实现的问题,提出了一种双目图像几何校正模型,并设计了VLSI硬件电路结构。利用网格模板标定法获取畸变校正模型参数,进行单目畸变图像的校正;再借助双目标定算法获得双目图像校正外部参数,得到立体校正模型,进行立体校正。结合畸变校正模型和立体校正模型,设计一个新的双目图像几何校正模型,并基于此模型设计双目图像几何校正VLSI硬件电路结构,具有较好的几何校正效果,也能够保证校正后的双目图像分辨率。
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关键词
立体视觉
双目图像
几何校正
实时性
FPGA
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职称材料
一种自适应死区时间控制的降压转换器
被引量：
1
3
作者
田畅
林福江
《信息技术与网络安全》
2019年第3期82-85,共4页
由于便携式设备的发展和普及,DC-DC降压转换器被大量应用于使用锂电池供电的系统里。为了提高效率,防止PMOS、NMOS功率管同时开启所引入的损耗,设计了此自适应死区时间控制电路。采用这种结构可以使NMOS功率管的开启与否由PMOS关断后一...
由于便携式设备的发展和普及,DC-DC降压转换器被大量应用于使用锂电池供电的系统里。为了提高效率,防止PMOS、NMOS功率管同时开启所引入的损耗,设计了此自适应死区时间控制电路。采用这种结构可以使NMOS功率管的开启与否由PMOS关断后一段时间决定,从而实现自适应死区时间,这不同于固定死区时间控制。采用0. 13μm CMOS工艺设计。仿真结果显示,在10 MHz的开关频率、4. 7μF外部电容及470 n H片外电感、3 V输入电压、1. 8 V输出电压时的峰值效率可以达到91%左右。
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关键词
自适应
死区时间
降压转换器
高效率
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职称材料
题名
TiN、Ti插入层对ITO与GaN欧姆接触性能影响的研究
1
作者
孟文利
张育民
孙远航
王建峰
徐科
机构
中国
科学技术
大学
国家
示范性
微电子学
院
中国
科学
院
苏州纳米
技术
与纳米仿生研究所
苏州纳维科技股份有限公司
江苏第三代半导体研究
院
出处
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2023年第9期1609-1616,共8页
基金
国家自然科学基金(12274360)
国家重点研发计划(2022YFB3605402,2022YFB3604301,2022YFB3605200)
+1 种基金
苏州市重点产业技术创新项目(SGC2021081)
江苏省重点研发计划(BE2020004,BE2021008)。
文摘
透明半导体铟锡氧化物(ITO)作为电极能够降低光导开关电极边缘电流集聚效应和提高脉冲激光的利用率。本文通过在ITO与GaN界面之间分别插入10 nm的Ti与TiN,研究Ti、TiN对ITO与GaN欧姆接触性能的影响。I-V测试结果表明,随着退火温度升高,插入TiN的光导开关一直保持欧姆接触特性,而插入Ti的光导开关由欧姆接触转变为肖特基接触。通过TEM测试发现,当以Ti作为插入层时,ITO通过插入层向插入层与GaN的界面扩散,在接触界面形成Ti的氧化物及空洞。透射光谱显示,不同退火温度下插入Ti层的透过率均低于38.3%,而以TiN作为插入层时透过率为38.8%~55.0%。因此含有TiN的光导开关具有更稳定的电学性能和更高的透过率,这为GaN光导开关在高温高功率领域的应用提供了参考。
关键词
GaN光导开关
ITO
TI
TIN
欧姆接触
Keywords
GaN photoconductive semiconductor switch
ITO
Ti
TiN
Ohmic contact
分类号
O472.4 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
双目图像校正VLSI硬件电路结构设计
被引量：
1
2
作者
卫钦智
陈松
机构
中国
科学技术
大学
国家
示范性
微电子学
院
出处
《信息技术与网络安全》
2019年第6期90-96,共7页
文摘
针对已有立体视觉中双目图像校正算法计算复杂度较高,不适合硬件实现的问题,提出了一种双目图像几何校正模型,并设计了VLSI硬件电路结构。利用网格模板标定法获取畸变校正模型参数,进行单目畸变图像的校正;再借助双目标定算法获得双目图像校正外部参数,得到立体校正模型,进行立体校正。结合畸变校正模型和立体校正模型,设计一个新的双目图像几何校正模型,并基于此模型设计双目图像几何校正VLSI硬件电路结构,具有较好的几何校正效果,也能够保证校正后的双目图像分辨率。
关键词
立体视觉
双目图像
几何校正
实时性
FPGA
Keywords
stereo vision
binocular image
geometric correct
real-time
FPGA
分类号
TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
一种自适应死区时间控制的降压转换器
被引量：
1
3
作者
田畅
林福江
机构
中国
科学技术
大学
国家
示范性
微电子学
院
出处
《信息技术与网络安全》
2019年第3期82-85,共4页
文摘
由于便携式设备的发展和普及,DC-DC降压转换器被大量应用于使用锂电池供电的系统里。为了提高效率,防止PMOS、NMOS功率管同时开启所引入的损耗,设计了此自适应死区时间控制电路。采用这种结构可以使NMOS功率管的开启与否由PMOS关断后一段时间决定,从而实现自适应死区时间,这不同于固定死区时间控制。采用0. 13μm CMOS工艺设计。仿真结果显示,在10 MHz的开关频率、4. 7μF外部电容及470 n H片外电感、3 V输入电压、1. 8 V输出电压时的峰值效率可以达到91%左右。
关键词
自适应
死区时间
降压转换器
高效率
Keywords
adaptive
dead time
buck converter
high efficiency
分类号
TM46 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
TiN、Ti插入层对ITO与GaN欧姆接触性能影响的研究
孟文利
张育民
孙远航
王建峰
徐科
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2023
0
下载PDF
职称材料
2
双目图像校正VLSI硬件电路结构设计
卫钦智
陈松
《信息技术与网络安全》
2019
1
下载PDF
职称材料
3
一种自适应死区时间控制的降压转换器
田畅
林福江
《信息技术与网络安全》
2019
1
下载PDF
职称材料
已选择
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