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运算放大器电路的噪声分析和设计 被引量:50
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作者 何峥嵘 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期148-153,共6页
简要介绍了运算放大器电路包含的噪声类型。运用标准的电路理论和噪声模型,计算运算放大器电路的噪声。结合反相、同相和差分输入的运算放大器电路分析举例,讨论了推算运算放大器电路噪声的方法。最后,给设计人员提供了有关噪声设计的... 简要介绍了运算放大器电路包含的噪声类型。运用标准的电路理论和噪声模型,计算运算放大器电路的噪声。结合反相、同相和差分输入的运算放大器电路分析举例,讨论了推算运算放大器电路噪声的方法。最后,给设计人员提供了有关噪声设计的建议和方法。 展开更多
关键词 运算放大器 噪声 谱密度 均方值 总的均方根噪声
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盐雾试验条件对试验结果的影响 被引量:43
2
作者 唐毅 宋爱民 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期289-292,共4页
盐雾试验利用人工模拟盐雾环境考核元器件的耐腐蚀性能,为改变元器件外壳质量提供试验依据。文章通过分组试验,对比影响盐雾试验有效性的各主要因素,列举试验温度、氯化钠溶液浓度和pH值、盐雾沉降率,以及产品放置角度等因素发生变化时... 盐雾试验利用人工模拟盐雾环境考核元器件的耐腐蚀性能,为改变元器件外壳质量提供试验依据。文章通过分组试验,对比影响盐雾试验有效性的各主要因素,列举试验温度、氯化钠溶液浓度和pH值、盐雾沉降率,以及产品放置角度等因素发生变化时的试验结果,从理论上分析以上外界因素对中性盐雾试验结果的影响。 展开更多
关键词 环境试验 盐雾试验 盐雾腐蚀 盐雾沉降率
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人工神经网络的发展及现状 被引量:37
3
作者 徐学良 《微电子学》 CSCD 北大核心 2017年第2期239-242,共4页
人脑由复杂的神经网络构成,拥有极强的信息处理、学习和记忆能力,并且具有功耗低、神经元密度高等特点。利用现有的电路元件搭建出类似大脑功能的人工神经网络成为当今人工智能研究的热点。在人工神经网络的研究中,信息的编码、神经元... 人脑由复杂的神经网络构成,拥有极强的信息处理、学习和记忆能力,并且具有功耗低、神经元密度高等特点。利用现有的电路元件搭建出类似大脑功能的人工神经网络成为当今人工智能研究的热点。在人工神经网络的研究中,信息的编码、神经元模型的建立以及突触的选择是最关键的3个要素。分别介绍了4种不同种类的编码方式和4种不同类型的神经元模型。对忆阻器用作神经突触的特点进行了简要阐述,并对其数学模型和对应的工作方式作了详细概括。 展开更多
关键词 人工神经网络 忆阻器 神经元 突触
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开关电源技术发展综述 被引量:27
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作者 张纯亚 何林 章治国 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期255-260,272,共7页
随着电力电子技术的迅速发展,高频开关电源已被广泛应用于计算机、通信、工业自动化和航天航空等领域。从硬开关技术、软开关技术、同步整流技术、数字控制技术、复合结构技术等开关电源的五个技术发展阶段,对高频开关电源技术的发展路... 随着电力电子技术的迅速发展,高频开关电源已被广泛应用于计算机、通信、工业自动化和航天航空等领域。从硬开关技术、软开关技术、同步整流技术、数字控制技术、复合结构技术等开关电源的五个技术发展阶段,对高频开关电源技术的发展路径进行了阐述,总结了各种技术的特点,并展望了开关电源技术的发展方向。 展开更多
关键词 开关电源 硬开关 软开关 同步整流 数字控制 复合结构
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振动试验夹具的设计 被引量:21
5
作者 胡波 何林 《电子产品可靠性与环境试验》 2005年第3期45-48,共4页
夹具是振动试验常用的工件之一,它的刚度、质量、重心的定位等动态特性参数是影响产品试验真实再现的重要因素。介绍了夹具的设计原则,提出了夹具设计中常见的问题和注意事项,并介绍了相关夹具的测试方法。
关键词 试验夹具 一阶共振频率 传递系数比
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关于A/D与D/A转换器发展动向的一些思考 被引量:6
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作者 许居衍 徐世六 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1998年第4期217-223,共7页
概述了A/D、D/A转换器的发展动向,分析了其在模拟集成电路中的地位,提出了A/D、D/A转换器的主流产品和主流技术,在此基础上阐述了我国A/D、D/A转换器的发展概况,最后提出了发展我国A/D、D/A转换器的建议。
关键词 模拟集成电路 A/D转换器 D/A转换器
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低压差电压调节器技术发展动态 被引量:10
7
作者 赖凡 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期411-417,共7页
 介绍了电源和功率管理集成电路市场,描述了低压差(LDO)电压调节器技术的发展进程和未来趋势;对国内外LDO产品和技术现状进行了比较,提出了发展LDO的建议。
关键词 电压调节器 LDO CMOS PMOS DMOS
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运算放大器共模抑制比的仿真与测试 被引量:21
8
作者 黄晓宗 黄文刚 +4 位作者 刘伦才 晏开华 何峥嵘 王成鹤 王国强 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期154-158,共5页
从运算放大器共模抑制比(CMRR)定义开始,对多种仿真和测试方法进行分析和比较,深入论述辅助元器件(如电阻和辅助放大器)对待测器件(DUT)仿真和测试结果的影响,分别总结出适合于仿真和测试的方法,为运算放大器设计过程中的仿真验证和封... 从运算放大器共模抑制比(CMRR)定义开始,对多种仿真和测试方法进行分析和比较,深入论述辅助元器件(如电阻和辅助放大器)对待测器件(DUT)仿真和测试结果的影响,分别总结出适合于仿真和测试的方法,为运算放大器设计过程中的仿真验证和封装后的测试提供参考。 展开更多
关键词 运算放大器 共模抑制比 仿真 测试
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数据转换器发展近况 被引量:5
9
作者 郭树田 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1998年第4期224-232,共9页
扼要介绍了A/D和D/A转换器的市场规模、产品种类、典型电路设计技术和工艺技术,展望了国内外数据转换器技术和产品的发展动态。文章指出,16位100~200MHz及8~10位10GHz的高性能A/D转换器是重点发展目标。
关键词 A/D 转换器 D/A 模拟集成电路 数据转换器
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AuSn合金在电子封装中的应用及研究进展 被引量:19
10
作者 李金龙 谈侃侃 +3 位作者 张志红 胡琼 罗俊 李双江 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期539-546,共8页
AuSn合金焊料因其具有优良的抗腐蚀、抗疲劳特性和高强度、高可靠性等优点而在气密性封装、射频和微波封装、发光二极管(LED)、倒装芯片(Flip-chip)、激光二极管(LD)、芯片尺寸封装(CSP)等方面得到广泛的应用。从电子封装无铅化和合金... AuSn合金焊料因其具有优良的抗腐蚀、抗疲劳特性和高强度、高可靠性等优点而在气密性封装、射频和微波封装、发光二极管(LED)、倒装芯片(Flip-chip)、激光二极管(LD)、芯片尺寸封装(CSP)等方面得到广泛的应用。从电子封装无铅化和合金焊料的可靠性等方面,对AuSn合金焊料的物相结构和材料性能进行了讨论,并对AuSn合金焊料在电子封装中的应用及其研究进展进行了总结和展望。 展开更多
关键词 AuSn 合金焊料 电子封装
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高性能模拟集成电路工艺技术 被引量:7
11
作者 何开全 谭开洲 李荣强 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期398-401,共4页
 介绍了模拟集成电路工艺的发展过程和现状,讨论了国内的BiCMOS工艺、互补双极工艺(CB)、和SOI双极工艺的最新进展。重点介绍了BiCMOS工艺的研究与开发,指出了模拟集成电路工艺的发展趋势。
关键词 模拟集成电路 BICMOS 互补双极工艺 SOI 深槽介质隔离
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电压反馈和电流反馈运算放大器的比较 被引量:11
12
作者 庞佑兵 梁伟 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期132-135,139,共5页
 从闭环特性、开环特性、输入级、噪声等几个方面,对电流反馈(CFB)放大器和电压反馈(VFB)放大器进行了详细的比较,得出了CFB放大器和VFB放大器的一些基本特性和应用场合。通过对这两种电路的比较,有助于电路设计师在实际应用中选择最...  从闭环特性、开环特性、输入级、噪声等几个方面,对电流反馈(CFB)放大器和电压反馈(VFB)放大器进行了详细的比较,得出了CFB放大器和VFB放大器的一些基本特性和应用场合。通过对这两种电路的比较,有助于电路设计师在实际应用中选择最适合自己要求的运算放大器。 展开更多
关键词 电流反馈 电压反馈 运算放大器 开环特性 闭环特性 压摆率
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用于MEMS的硅湿法深槽刻蚀技术研究 被引量:12
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作者 张正元 徐世六 +2 位作者 刘玉奎 杨国渝 税国华 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期519-521,共3页
 针对用于MEMS的硅湿法深槽刻蚀技术,对KOH腐蚀液的配方、掩蔽技术等关键技术进行了研究,获得了优化的KOH腐蚀条件;利用该技术,成功地刻蚀出深度高达315μm、保护区域完好的深槽。为硅基MEMS体加工获得微机械结构提供了一个好方法。
关键词 湿法腐蚀 深槽刻蚀 掩蔽 MEMS 微机械结构
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基于CORDIC改进算法的高速DDS电路设计 被引量:19
14
作者 姚亚峰 付东兵 杨晓非 《华中科技大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期25-27,56,共4页
实现了一种改进的CORDIC算法,其迭代方向由输入角二进制表示时的各位位值直接确定,避免了CORDIC基本算法中迭代方向需由剩余角度计算结果决定的不足,提高了CORDIC算法的运行速度,并且基于这种改进的CORDIC算法和并行流水结构,完成了一... 实现了一种改进的CORDIC算法,其迭代方向由输入角二进制表示时的各位位值直接确定,避免了CORDIC基本算法中迭代方向需由剩余角度计算结果决定的不足,提高了CORDIC算法的运行速度,并且基于这种改进的CORDIC算法和并行流水结构,完成了一种高速直接数字频率合成(DDS)数字核心电路设计.该电路在Jazz公司0.35μm工艺(ri35sy101库)条件下达到1 GHz的工作频率,具有参数灵活可调特征,可作为IP应用于AD9858和AD9910等高端DDS芯片. 展开更多
关键词 电路设计 直接数字频率合成 超大规模集成电路 角度旋转 CORDIC算法
原文传递
低温陶瓷共烧技术——MCM-C发展新趋势 被引量:10
15
作者 冉建桥 刘欣 +1 位作者 唐哲 刘中其 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期287-290,共4页
介绍了目前国际上厚膜混合工艺技术的动态 ,指出了低温共烧陶瓷技术 (LTCC)是MCM- C发展的重要趋势。探讨了国内 MCM- C技术的现状 ,认为必须同 IC技术保持紧密的联系 。
关键词 低温共烧陶瓷 MCM-C 厚膜混合工艺
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微电子器件抗辐射加固技术发展研究 被引量:18
16
作者 王健安 谢家志 赖凡 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期225-228,236,共5页
对微电子器件抗辐射加固的发展态势进行了分析研究。目前,对微电子器件进行抗辐射加固的主要技术是抗辐射加固设计和抗辐射加固工艺;微电子技术的进步促进了抗辐射加固的新设计技术、新工艺技术、封装技术和试验手段不断发展,刺激了完... 对微电子器件抗辐射加固的发展态势进行了分析研究。目前,对微电子器件进行抗辐射加固的主要技术是抗辐射加固设计和抗辐射加固工艺;微电子技术的进步促进了抗辐射加固的新设计技术、新工艺技术、封装技术和试验手段不断发展,刺激了完整有效的设计、验证体系和制造能力的形成;领先国家的技术发展重点在于加强设计、工艺、制造领域的抗辐射加固能力,提升微电子器件的抗辐射加固指标、容错能力和高可靠性品质。研究结果对建立完整的抗辐射加固体系,加速抗辐射加固技术发展具有一定的参考价值。 展开更多
关键词 微电子器件 抗辐射加固 SOI SIGE
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片式多层陶瓷电容失效模式研究 被引量:17
17
作者 刘锐 陈亚兰 +1 位作者 唐万军 姚世锋 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期449-452,共4页
介绍了片式陶瓷电容的基本结构和材料特性及其常见的短路、开路和参数漂移失效模式;分析了失效的主要原因。结合工程实践,从器件选型、用前筛选、版图及结构设计和装配工艺选择等方面,给出了提高多层陶瓷电容使用可靠性的建议。
关键词 陶瓷电容 失效模式 失效分析
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高速CORDIC算法的电路设计与实现 被引量:12
18
作者 姚亚峰 付东兵 杨晓非 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期346-348,共3页
CORDIC(coordinate rotation digital computing)算法能够通过简单的移位、加减运算得到任意输入角度的正弦或余弦值,具有速度快、精度灵活可调、硬件实现简单等优点。在深入分析CORDIC基本算法原理的基础上,实现了一种改进算法,这种改... CORDIC(coordinate rotation digital computing)算法能够通过简单的移位、加减运算得到任意输入角度的正弦或余弦值,具有速度快、精度灵活可调、硬件实现简单等优点。在深入分析CORDIC基本算法原理的基础上,实现了一种改进算法,这种改进算法的迭代方向由输入角二进制表示时的各位位值直接确定,避免了CORDIC基本算法中迭代方向需由剩余角度计算结果决定的不足,从而提高了CORDIC算法的运行速度,减小了电路规模,并且对算法的综合性能也有一定改善。 展开更多
关键词 坐标旋转数字计算算法 数字信号处理 数字电路
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MEMS器件制造工艺中的高深宽比硅干法刻蚀技术 被引量:11
19
作者 温梁 汪家友 +1 位作者 刘道广 杨银堂 《微纳电子技术》 CAS 2004年第6期30-34,共5页
硅的高深宽比刻蚀技术是MEMS领域中的一项关键工艺。在硅片上形成高深宽比沟槽并拥有垂直侧壁结构是现在先进MEMS器件的一个决定性要求。本文分别介绍了国际上近年来使用F基和Cl2等离子体获得高深宽比的刻蚀方法并进行了比较,总结了各... 硅的高深宽比刻蚀技术是MEMS领域中的一项关键工艺。在硅片上形成高深宽比沟槽并拥有垂直侧壁结构是现在先进MEMS器件的一个决定性要求。本文分别介绍了国际上近年来使用F基和Cl2等离子体获得高深宽比的刻蚀方法并进行了比较,总结了各自的优缺点及适用范围。 展开更多
关键词 MEMS 高深宽比 沟槽 刻蚀 等离子体
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一种LVDT信号调理电路的研究 被引量:14
20
作者 李勇 张俊安 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期320-325,共6页
介绍了一种LVDT信号调理电路的工作原理及其线路设计。该电路是单片式线性位移差分变压器(LVDT)信号调理电路,与LVDT配合,能够高精确性和高再现性地将LVDT的机械位移转换成单极性或双极性的直流电压。该电路内部设计有一个驱动LVDT的低... 介绍了一种LVDT信号调理电路的工作原理及其线路设计。该电路是单片式线性位移差分变压器(LVDT)信号调理电路,与LVDT配合,能够高精确性和高再现性地将LVDT的机械位移转换成单极性或双极性的直流电压。该电路内部设计有一个驱动LVDT的低失真正弦波振荡器,电路外围线路简单,使用方便。 展开更多
关键词 线性位移差分变压器 信号调理电路 正弦波振荡器
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