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频率合成器技术发展动态 被引量：39
1
作者 万天才 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期366-370,376,共6页
　介绍了频率合成器的种类、技术发展动态;分析比较了国内外频率合成器的发展现状,并对我国频率合成器的发展提出了建议。
关键词 锁相环 锁相式频率合成器 直接数字频率合成器 VCO 相位噪声
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基于虚拟仪器的高速混合信号自动测试系统设计 被引量：30
2
作者 俞宙 李静 +1 位作者 魏亚峰 骆才学 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第S1期94-101,共8页
传统半导体测试系统有两种组成形式,一种是基于台式分立仪器组建,通过GPIB等仪器控制总线连接,这种架构的好处是结构简单、组合与分拆方便,既可合起组成系统又可分立完成独立测试,但缺点是构架稳定性差、测量通道资源少、不易维护、不... 传统半导体测试系统有两种组成形式,一种是基于台式分立仪器组建,通过GPIB等仪器控制总线连接,这种架构的好处是结构简单、组合与分拆方便,既可合起组成系统又可分立完成独立测试,但缺点是构架稳定性差、测量通道资源少、不易维护、不利于生产线大批量测试用;另一种形式是自动测试系统(ATE),如爱德万93000等,ATE系统资源丰富、功能强大,是目前集成电路量产测试的主要设备,主要用在封测生产线上,其缺点是成本高、专用性强、维护保养难度大。介绍了一种基于NI公司的虚拟仪器系统自动测试系统,此系统由多通道PMU、高速LVDS I/O、电源、SMU等多种模块化仪器组成,结合自行设计的高性能信号路由、机箱,配以必要的外部仪器、DUT LoardBoard板,组成功能全面的混合信号自动测试系统。测试系统采用LabVIEW和TestStand编程,界面友善、通用性强。该系统现已完成14位2GSPS D/A转换器测试开发,指标满足要求。 展开更多
关键词 虚拟仪器 高速 自动测试 混合信号
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SiGe HBT基区渡越时间模型 被引量：11
3
作者 林大松 张鹤鸣 +2 位作者 戴显英 孙建诚 何林 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期456-461,共6页
建立了SiGeHBT基区渡越时间模型 .该模型考虑了电流密度及基区掺杂和Ge组分所引起的各种物理效应 ,适用于基区掺杂和Ge组分为均匀和非均匀分布 ,以及器件在小电流到大电流密度下的应用 .模拟结果表明 ,基区集电结边界处载流子浓度引起... 建立了SiGeHBT基区渡越时间模型 .该模型考虑了电流密度及基区掺杂和Ge组分所引起的各种物理效应 ,适用于基区掺杂和Ge组分为均匀和非均匀分布 ,以及器件在小电流到大电流密度下的应用 .模拟结果表明 ,基区集电结边界处载流子浓度引起的基区附加延时对基区渡越时间有较大的影响 . 展开更多
关键词 异质结双极晶体管 锗化硅 HBT 基区渡越时间模型
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一种新型无运放CMOS带隙基准电路 被引量：13
4
作者 冯树 王永禄 张跃龙 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期336-339,共4页
介绍了带隙基准原理和常规的带隙基准电路,设计了一种新型无运放带隙基准电路。该电路利用MOS电流镜和负反馈箝位技术,避免了运放的使用,从而消除了运放带隙基准电路中运放的失调电压和电源抑制比等对基准源精度的影响。该新型电路比传... 介绍了带隙基准原理和常规的带隙基准电路,设计了一种新型无运放带隙基准电路。该电路利用MOS电流镜和负反馈箝位技术,避免了运放的使用,从而消除了运放带隙基准电路中运放的失调电压和电源抑制比等对基准源精度的影响。该新型电路比传统无运放带隙基准电路具有更高的精度和电源抑制比。基于0.18μm标准CMOS工艺,在Cadence Spectre环境下仿真。采用2.5V电源电压,在-40℃～125℃温度范围的温度系数为6.73×10-6/℃,电源抑制比为54.8dB,功耗仅有0.25mW。 展开更多
关键词 带隙基准电压源 无运放基准源 启动电路
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一种数字下变频抽取滤波器的设计 被引量：9
5
作者 兰金保 王娜 +2 位作者 张瑞涛 刘林涛 李儒章 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期1-5,共5页
对一个针对数字下变频应用的抽取滤波器从设计指标到版图实现的设计过程进行了详细介绍。该抽取滤波器实现了20倍的降采样,由CIC滤波器、CIC补偿滤波器和半带滤波器三级依次串联而成。通过利用抽取滤波器的等价变换和多项分解性质,各滤... 对一个针对数字下变频应用的抽取滤波器从设计指标到版图实现的设计过程进行了详细介绍。该抽取滤波器实现了20倍的降采样,由CIC滤波器、CIC补偿滤波器和半带滤波器三级依次串联而成。通过利用抽取滤波器的等价变换和多项分解性质,各滤波器级的硬件电路开销和运行功耗都得到了降低。 展开更多
关键词 抽取滤波器 CIC滤波器 CIC补偿滤波器 半带滤波器
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一种数控跳频滤波器电路的设计 被引量：6
6
作者 王斌 刘家树 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期473-475,共3页
介绍了一种工作于超短波频段的数控跳频滤波器电路结构的设计。该数控跳频滤波器由数字控制电路和模拟滤波电路组成,输入调谐码通过可编程逻辑器件形成控制码,控制滤波器线性跳频。该滤波器具有跳频点数多、跳频速度快等优点,并在不同... 介绍了一种工作于超短波频段的数控跳频滤波器电路结构的设计。该数控跳频滤波器由数字控制电路和模拟滤波电路组成,输入调谐码通过可编程逻辑器件形成控制码,控制滤波器线性跳频。该滤波器具有跳频点数多、跳频速度快等优点,并在不同的跳频点都具有良好的电参数指标。 展开更多
关键词 滤波器 数控跳频滤波器 可编程逻辑器件
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一种高增益宽带共栅CMOS电流模跨阻放大器 被引量：4
7
作者 杨仕强 方健 +2 位作者 张波 张正璠 李肇基 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期308-310,共3页
文章提出了一种高增益宽带共栅CMOS电流模跨阻放大器,从理论上对电路进行了分析。采用0.5μmCMOS工艺进行HSPICE仿真,结果表明,该电路结构能达到57dBΩ跨阻增益,1.5GHz带宽,6.4pA/sqrt(Hz)等效输入总电流噪声;在输入电流为200μA时,其... 文章提出了一种高增益宽带共栅CMOS电流模跨阻放大器,从理论上对电路进行了分析。采用0.5μmCMOS工艺进行HSPICE仿真,结果表明,该电路结构能达到57dBΩ跨阻增益,1.5GHz带宽,6.4pA/sqrt(Hz)等效输入总电流噪声;在输入电流为200μA时,其输出电压的动态摆幅达到220mV,功耗仅为76mW。 展开更多
关键词 共栅 电流模 跨阻放大器 高增益 宽带
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一种低温漂高电源抑制比带隙基准源的设计 被引量：11
8
作者 青旭东 钟黎 +2 位作者 王永禄 秦少宏 陈振中 《电子技术应用》 2018年第1期17-19,23,共4页
在传统的电流模电压基准结构下,基于一阶补偿后的电压基准输出特性,设计了一个简单的高、低温补偿电路,在宽的温度范围内(-50~150℃),显著提高了电压基准的精度。同时,对电路进行简单的改进,输出电压获得了高的电源抑制比。对设计的电... 在传统的电流模电压基准结构下,基于一阶补偿后的电压基准输出特性,设计了一个简单的高、低温补偿电路,在宽的温度范围内(-50~150℃),显著提高了电压基准的精度。同时,对电路进行简单的改进,输出电压获得了高的电源抑制比。对设计的电路采用TSMC 65 nm CMOS工艺模型进行仿真,在1.5 V的电源电压下,PSRR为-83.6 d B,温度系数为2.27 ppm/℃。 展开更多
关键词 电压基准源 低温漂 高电源抑制比
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低噪声CMOS图像传感器技术研究综述 被引量：10
9
作者 刘嵘侃 邢德智 +1 位作者 唐昭焕 徐炀 《半导体光电》 CAS 北大核心 2020年第6期768-773,共6页
文章总结了低噪声CMOS图像传感器代表性关键技术的最新研究进展。从CMOS图像传感器架构及各模块设计的角度,介绍了有源像素结构和图像传感器架构,分析了广泛采用的像素内源跟随CMOS图像传感器读出电路及其噪声等效模型,重点介绍了低噪声... 文章总结了低噪声CMOS图像传感器代表性关键技术的最新研究进展。从CMOS图像传感器架构及各模块设计的角度,介绍了有源像素结构和图像传感器架构,分析了广泛采用的像素内源跟随CMOS图像传感器读出电路及其噪声等效模型,重点介绍了低噪声CMOS图像传感器关键技术,包括共享参考像素差分共源放大器技术、相关多采样技术、像素内斩波技术,以及相关技术的电路级实现方式。 展开更多
关键词 CMOS图像传感器 低噪声 相关多采样 模拟集成电路
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SiGe HBT基区渡越时间与基区Ge组分剖面优化 被引量：9
10
作者 张鹤鸣 戴显英 +2 位作者 林大松 孙建诚 何林 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期305-308,共4页
建立了SiGeHBT基区渡越时间与基区Ge组分任意剖面分布的分析模型 ,模拟分析了它们之间的关系 ,得到了获得最小基区渡越时间的基区Ge组分剖面函数 .结果表明 ,优化的Ge组分剖面在基区从发射结处正比于 xα 增加 ,到x0 点时 ,Ge组分达峰... 建立了SiGeHBT基区渡越时间与基区Ge组分任意剖面分布的分析模型 ,模拟分析了它们之间的关系 ,得到了获得最小基区渡越时间的基区Ge组分剖面函数 .结果表明 ,优化的Ge组分剖面在基区从发射结处正比于 xα 增加 ,到x0 点时 ,Ge组分达峰值 ,并保持到收集结处 .α是大于 1的数 ,随基区中收集结侧相对发射结侧禁带变化量的增加而减小 ,x0 展开更多
关键词 HBT 组分剖面 基区渡越时间 锗化硅
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硅的深槽刻蚀技术研究 被引量：7
11
作者 欧益宏 周明来 张正元 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期45-47,共3页
　研究了采用等离子刻蚀机对硅进行深槽刻蚀中掩蔽层的选择及横向腐蚀的抑制等工艺问题。实验发现,以氟基气体作为工艺气体,铝或铝合金作为掩蔽层时,可以获得极高的选择比;通过增大射频功率,改变气体组分,气体流量等方法,可以较好地解... 　研究了采用等离子刻蚀机对硅进行深槽刻蚀中掩蔽层的选择及横向腐蚀的抑制等工艺问题。实验发现,以氟基气体作为工艺气体,铝或铝合金作为掩蔽层时,可以获得极高的选择比;通过增大射频功率,改变气体组分,气体流量等方法,可以较好地解决等离子刻蚀中的各向同性问题。 展开更多
关键词 硅 深槽刻蚀技术 等离子刻蚀机 掩蔽层 氟基气体 各向异性
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基于Cadence界面的工艺设计包设计方法 被引量：4
12
作者 杨伟 李儒章 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期504-508,共5页
详细阐述了基于Cadence界面的工艺设计包(PDK)的框架结构及设计方法;采用该方法,在Cadence界面上设计了一套实用的PDK库siscPDK;用实际的IC单元电路进行了验证,得到了正确的结果,证明了该方法的可行性。
关键词 工艺设计包 电子设计自动化 Cadence软件 集成电路
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SiGe/Si异质结双极晶体管研究 被引量：6
13
作者 李开成 刘道广 +1 位作者 张静 易强 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2000年第3期144-146,共3页
介绍了一种 Si Ge/Si分子束外延异质结双极晶体管 ( HBT)的研制。该器件采用 3μm工艺制作 ,测量得其电流放大系数β为 50 ,截止效率 f T 为 5.1 GHz,表明器件的直流特性和交流特性良好。器件的单片成品率在 90 %以上。
关键词 分子束外延 异质结双极晶体管 锗-硅合金
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光放大器对光载微波信号传输效率的改善 被引量：9
14
作者 肖永川 王超 +4 位作者 张浩 张亚标 庾财斌 瞿鹏飞 孙力军 《中国光学》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第5期995-1000,共6页
针对现有微波光传输系统存在电光转换效率不足的问题,本文设计了一种基于调制器低偏与光放大器相结合的光发射结构,通过充分利用链路增益与光功率水平之间的平方关系以及低偏链路传输效率与光功率呈近似线性变化的特点,实现了光载微波... 针对现有微波光传输系统存在电光转换效率不足的问题,本文设计了一种基于调制器低偏与光放大器相结合的光发射结构,通过充分利用链路增益与光功率水平之间的平方关系以及低偏链路传输效率与光功率呈近似线性变化的特点,实现了光载微波信号传输效率的有效提升。经过测试可知,本方案较常规正交点传输方式在射频增益方面提高了13.5 dB,同时不会使噪声系数产生明显恶化,并且本方案可以采用现成产品以实现低成本制作,在电子信息装备中具有广泛的应用潜力。 展开更多
关键词 微波光子 模拟光发射 调制器低偏 光放大器
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LPCVD多晶硅薄膜缺陷的形成及消除措施 被引量：5
15
作者 王胜强 刘玉奎 +1 位作者 黄磊 刘道广 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期484-487,共4页
描述了LPCVD多晶硅的常见缺陷及其分类。对缺陷产生的原因进行了分析,找出工艺设置和工艺操作过程容易出现的问题;并针对各类缺陷,提出了相应的解决措施,以达到完全消除缺陷,使工艺技术水平得到提升。
关键词 半导体工艺 低压化学汽相淀积 多晶硅 薄膜缺陷
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毫米波片上雷达技术研究进展 被引量：7
16
作者 李骏 王健安 赖凡 《微电子学》 CAS 北大核心 2019年第4期545-550,共6页
硅微电子技术的进步推动着雷达技术向着毫米波频段片上方向发展。片上雷达优良的性能和小型化优势使其在汽车及其他新领域获得越来越广泛的应用。阐述了基于SiGe BiCMOS和CMOS技术研制的几种主流硅毫米波片上雷达的电路结构、无源元件... 硅微电子技术的进步推动着雷达技术向着毫米波频段片上方向发展。片上雷达优良的性能和小型化优势使其在汽车及其他新领域获得越来越广泛的应用。阐述了基于SiGe BiCMOS和CMOS技术研制的几种主流硅毫米波片上雷达的电路结构、无源元件和封装技术,分析了其发展情况和面临的挑战,指出了片上毫米波雷达技术和应用的发展趋势。 展开更多
关键词 毫米波 片上雷达 SIGE BICMOS CMOS 收发器 天线
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通用二阶曲率补偿带隙基准电压源 被引量：7
17
作者 吴贵能 周玮 +1 位作者 李儒章 董少青 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期204-208,共5页
详细分析了基本低压带隙基准电压源电路实现二阶温度曲率补偿成立的条件。采用0.35μm标准CMOS工艺库,在-50℃～+120℃温度范围内,通过选择合适的电阻比例及MOSFET的沟道调制效应系数λ,获得了任意输出电压值的二阶曲率补偿基准电压源,... 详细分析了基本低压带隙基准电压源电路实现二阶温度曲率补偿成立的条件。采用0.35μm标准CMOS工艺库,在-50℃～+120℃温度范围内,通过选择合适的电阻比例及MOSFET的沟道调制效应系数λ,获得了任意输出电压值的二阶曲率补偿基准电压源,且具有较低的温度系数。 展开更多
关键词 模拟集成电路 带隙基准电压源 曲率补偿 CMOS
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不同偏置条件下NPN双极晶体管的电离辐照效应 被引量：8
18
作者 费武雄 陆妩 +9 位作者 任迪远 郑玉展 王义元 陈睿 王志宽 杨永晖 李茂顺 兰博 崔江维 赵云 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期217-222,共6页
对NPN双极晶体管进行了不同剂量率、不同偏置条件下的电离辐射实验。研究结果表明:同一剂量率辐照时,无论是低剂量率还是高剂量率,辐照损伤均是基-射结反向偏置时最大,零偏置次之,正偏置最小。NPN双极晶体管在3种偏置下均可观察到明显... 对NPN双极晶体管进行了不同剂量率、不同偏置条件下的电离辐射实验。研究结果表明:同一剂量率辐照时,无论是低剂量率还是高剂量率,辐照损伤均是基-射结反向偏置时最大,零偏置次之,正偏置最小。NPN双极晶体管在3种偏置下均可观察到明显的低剂量率辐照损伤增强(ELDRS)效应,且偏置条件对ELDRS效应很明显,表现为基-射结正向偏置ELDRS效应最为显著,零偏次之,反向偏置最次。对出现这一实验结果的机理进行了探讨。 展开更多
关键词 NPN双极晶体管 60Coγ辐照 偏置 低剂量率辐照损伤增强
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变温辐照加速评估方法在不同工艺的NPN双极晶体管上的应用 被引量：8
19
作者 费武雄 陆妩 +9 位作者 任迪远 郑玉展 王义元 陈睿 李茂顺 兰博 崔江维 赵云 王志宽 杨永晖 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期1493-1497,共5页
对6种不同工艺的NPN双极晶体管进行了高、低剂量率及变温辐照的^(60)Coγ辐照实验。结果显示,6种工艺的NPN双极晶体管均有显著的低剂量率辐照损伤增强效应。而变温辐照损伤不仅明显高于室温高剂量率的辐照损伤,且能很好地模拟并保守地... 对6种不同工艺的NPN双极晶体管进行了高、低剂量率及变温辐照的^(60)Coγ辐照实验。结果显示,6种工艺的NPN双极晶体管均有显著的低剂量率辐照损伤增强效应。而变温辐照损伤不仅明显高于室温高剂量率的辐照损伤,且能很好地模拟并保守地评估不同工艺的NPN双极晶体管低剂量率的辐照损伤。对实验现象的机理进行了分析。 展开更多
关键词 NPN双极晶体管 ~60Coγ辐照 低剂量率辐照损伤增强 变温辐照 加速评估方法
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单片直接数字频率合成器产品发展综述 被引量：6
20
作者 张俊安 李广军 +2 位作者 张瑞涛 杨毓军 付东兵 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期676-680,共5页
综合论述了单片直接数字频率合成器(DDS)产品的现状、应用范围以及发展趋势。以目前国际上单片DDS产品公开发布的产品介绍资料为基础,根据DDS产品的性能和功能进行统计和分析,得到关于DDS产品的一些有用的结论。以DDS的不同功能特点为依... 综合论述了单片直接数字频率合成器(DDS)产品的现状、应用范围以及发展趋势。以目前国际上单片DDS产品公开发布的产品介绍资料为基础,根据DDS产品的性能和功能进行统计和分析,得到关于DDS产品的一些有用的结论。以DDS的不同功能特点为依据,分别介绍了其在不同领域的应用情况,最后给出单片DDS产品的发展趋势预测。 展开更多
关键词 直接数字频率合成器 综述 现状 发展趋势
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