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晶体管阵列老炼时结温测量方法研究 被引量：2
1
作者 吕贤亮 麻力 +1 位作者 任翔 孙明 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2017年第9期26-29,共4页
对PNP晶体管阵列采用矩阵热阻法和温度敏感参数法(TSP)两种结温测量的方法进行对比分析研究,并采用红外热像进行试验验证。结果表明,采用矩阵热阻法可以综合考虑各芯片之间的耦合作用,但由于矩阵热阻法试验程序较为复杂,且需要多次换算... 对PNP晶体管阵列采用矩阵热阻法和温度敏感参数法(TSP)两种结温测量的方法进行对比分析研究,并采用红外热像进行试验验证。结果表明,采用矩阵热阻法可以综合考虑各芯片之间的耦合作用,但由于矩阵热阻法试验程序较为复杂,且需要多次换算,从而较容易引入误差。而温度敏感参数法操作简单,测量准确,可以实现实时监测阵列管工作状态下的结温。 展开更多
关键词 晶体管阵列 老炼 结温 温度敏感参数 矩阵热阻 红外热像
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垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管电学法热阻测试中测试电流的研究
2
作者 吕贤亮 黄东巍 +1 位作者 周钦沅 李旭 《电气技术》 2020年第8期28-32,39,共6页
本文针对垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管器件电学法热阻测试的关键参数——测试电流的影响因素进行研究,测试电流选择恰当与否是热阻测试的先决条件。通过理论分析和三款典型垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管器件的... 本文针对垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管器件电学法热阻测试的关键参数——测试电流的影响因素进行研究,测试电流选择恰当与否是热阻测试的先决条件。通过理论分析和三款典型垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管器件的试验验证,得出一种通过测试电流自升温、测试延迟时间及校温曲线这3个方面有效确定垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管器件电学法热阻测试时测试电流的方法。 展开更多
关键词 垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管器件 电学法热阻 测试电流 测试延迟时间 校温曲线
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