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题名N掺杂ZnO薄膜的荧光特性研究
被引量：5
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作者
王金香
沈洪雪
彭小波
王芸
刘银
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机构
安徽理工大学材料科学与工程学院
中国建材国际工程集团有限公司浮法玻璃新技术国家重点实验室
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出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第8期932-935,共4页
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基金
安徽省自然科学基金(No.1208085ME84)资助
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文摘
以N2为掺杂源,通过改变O2∶N2比,利用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了具有[002]择优取向的N掺杂ZnO薄膜,研究了ZnO薄膜的光致发光谱随着N掺入量的不同而变化的规律.结果表明,薄膜主衍射峰为402nm处的发光峰;由于N掺杂量的不同,有的薄膜在445nm和524nm处也有发光发存在,但随着薄膜N含量的不同,其发光峰强度明显不同,其峰位也发生了相应的红移或者蓝移.当O2∶N2为10∶15时,制备的薄膜N掺杂量最大,光学性能最好,此工艺为研究ZnO薄膜的缺陷类型及导电类型提供了重要的研究参考.
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关键词
氮掺杂
磁控溅射
光致发光谱
受主杂质
蓝移
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Keywords
N-doped
Magnetron sputtering
Photoluminescence
Acceptor impurity
Blue shift
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分类号
TN3
[电子电信—物理电子学]
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