用俄歇电子谱法研究锡铅焊料的抗氧化机理 被引量：12

1

作者 吴申庆 邵力为 +1 位作者 刘洁美 姜文标 《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1989年第4期74-79,共6页

用AES-350型俄歇电子能谱仪对普通锡铅焊料和抗氧化焊料自液态冷却的自由表面进行分析研究,证明普通焊料表面因Sn的富集,易于形成不断增厚的氧化层;而微量元素Ga在抗氧化焊料表面富集倾向远大于Sn,并形成不到10nm的富Ga表面保护膜。本... 用AES-350型俄歇电子能谱仪对普通锡铅焊料和抗氧化焊料自液态冷却的自由表面进行分析研究,证明普通焊料表面因Sn的富集,易于形成不断增厚的氧化层;而微量元素Ga在抗氧化焊料表面富集倾向远大于Sn,并形成不到10nm的富Ga表面保护膜。本文指出,在保护膜内高价Ga离子使表面层离子排列空位增加并使比电导降低,是产生抗氧化性的原因。 展开更多

关键词 电子谱法 锡 铅 焊料 抗氧化

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偏转系统的计算机模拟与优化 被引量：6

2

作者 张晓兵 尹涵春 《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1998年第2期26-31,共6页

在偏转系统的计算机辅助设计中应用商用电磁场计算软件ＥＭＡＳ（ＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｍａｇｎｅｔｉｃｆｉｅｌｄＡｎａｌｙｓｉｓＳｙｓｔｅｍ）与表面磁荷法相结合计算空间任意一点磁场、用龙格库塔法计算电子轨迹、用局部优化法进... 在偏转系统的计算机辅助设计中应用商用电磁场计算软件ＥＭＡＳ（ＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｍａｇｎｅｔｉｃｆｉｅｌｄＡｎａｌｙｓｉｓＳｙｓｔｅｍ）与表面磁荷法相结合计算空间任意一点磁场、用龙格库塔法计算电子轨迹、用局部优化法进行偏转系统优化的计算方法． 展开更多

关键词 显像管 偏转系统 CAD 计算机模拟

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液晶显示之外的其它平板显示技术的发展概况及展望 被引量：5

3

作者 汪琛 童林夙 屠彦 《电子器件》 CAS 1995年第3期168-175,共8页

本文讨论了近年来除液晶显示之外的其它几种主要的平板显示技术的发展情况。比较了它们在性能上主要优缺点，并对它们今后的发展前景做了预测。最后介绍了有关平板ＣＲＴ的最新发展情况。

关键词 平板显示技术 等离子体显示 电致发光显示 发展

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新技术的结晶:头盔显示器 被引量：2

4

作者 张晓兵 《电子产品世界》 2000年第11期60-61,共2页

关键词 头盔显示器 液晶显示器 平板显示器

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大偏转角偏转象差的分析与校正 被引量：3

5

作者 张晓兵 尹涵春 +1 位作者 张雄 童林夙 《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1996年第3期19-23,共5页

应用多极场理论，研究了大偏转角情况下的偏转象差，给出了应用十极场做五级象差校正时的场表达式，计算了在多种情况下十极场对五级象差校正的影响，分析了多极场象差校正的方法．

关键词 多极场 大偏转角 偏转象差 象差校正 电子偏转

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计算二维静电场的非正交有限差分算法 被引量：2

6

作者 汪琛 王保平 童林夙 《计算物理》 CSCD 北大核心 1997年第3期305-310,共6页

讨论了计算二维静电场的非正交有限差分算法，给出了数值计算公式。通过对一些实例的计算以及与理论解的比较，结果表明非正交有限差分算法具有数值网格与边界吻合的特点，只要较少的离散网格就可以达到较高的精度。

关键词 非正交 曲线坐标系 有限差分法 二维 静电场

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偏转像差中的Dilemma效应 被引量：2

7

作者 张晓兵 尹涵春 童林夙 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第12期100-103,共4页

本文应用多极场像差校正理论，通过对大偏转角下五级偏转像差中的彗差进行分析得出，在五级偏转彗差中存在Ｄｉｌｅｍｍａ效应，即五级彗差的某种线性组合是一常数，它不受十极场的影响．五级彗差应在这个常数为０或较小值时，通过调整... 本文应用多极场像差校正理论，通过对大偏转角下五级偏转像差中的彗差进行分析得出，在五级偏转彗差中存在Ｄｉｌｅｍｍａ效应，即五级彗差的某种线性组合是一常数，它不受十极场的影响．五级彗差应在这个常数为０或较小值时，通过调整十极场分布进行校正，对影响Ｄｉｌｅｍｍａ常数的因素进行了计算分析。 展开更多

关键词 Dilemma效应 像差 显像管

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具有 120°偏转角的偏转线圈优化设计 被引量：1

8

作者 屠彦 《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1997年第4期32-37,共6页

研究了屏的位置与偏转角之间的关系以及彩色质量因子Ｑｋ与偏转角之间的关系．对１２０°偏转角的偏转线圈进行了优化设计，给出了优化结果．

关键词 电视 偏转线圈 优化设计 偏转角 彩色质量因子

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神经网络用于估算透镜尺寸误差对束斑的影响 被引量：1

9

作者 屠彦 张雄 《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1998年第6期54-58,共5页

将有限差分法与神经网络技术结合起来用于估算电子枪主透镜尺寸误差的存在对屏上电子束束斑的影响．与以往的计算方法相比，该方法可避免许多复杂计算，节省了计算时间．一旦网络训练完毕，在很短的时间内即可估算出电子枪主透镜尺寸误... 将有限差分法与神经网络技术结合起来用于估算电子枪主透镜尺寸误差的存在对屏上电子束束斑的影响．与以往的计算方法相比，该方法可避免许多复杂计算，节省了计算时间．一旦网络训练完毕，在很短的时间内即可估算出电子枪主透镜尺寸误差对屏上电子束束斑的影响，对提高ＣＲＴ的成品率很有帮助． 展开更多

关键词 估算 透镜 束斑 神经网络 有限差分 电子枪 尺寸误差 电子束

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微波、电磁场工程计算软件及方法发展概况

10

作者 赵力 《电子器件》 CAS 1994年第2期20-28,共9页

本文较为详细地讨论了微波、电磁场工程数值模拟技术的现状及应用前景，叙述了电磁场数值模拟过程，对各种常用计算方法进行了比较。

关键词 微波 电磁场工程 计算软件

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电场强度的三维数值计算方法的研究 被引量：1

11

作者 汪琛 尹涵春 +1 位作者 赵宏卫 童林夙 《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1996年第3期24-28,共5页

讨论了电子光学系统计算机辅助设计中涉及的电场强度的数值计算问题，提出了两种三维数值计算方法；并用所编制的程序计算了特定电场分布下的电场强度．结果表明，这两种方法的精度较高，能满足实际应用的需求．

关键词 电场强度 CAD 数值计算 电子光学系统

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掺砷多晶硅边缘场发射阴极阵列的特性研究

12

作者 赵宏卫 汪琛 +2 位作者 黄仲平 王保平 童林夙 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1997年第5期340-344,共5页

提出了一种T形结构的边缘场发射阴极，它具有比通常的场发射体的发射面积大得多的特点。首次采用低压化学气相沉积技术生长内层重掺砷、外层较掺砷的多晶硅薄膜；利用氢氟酸／硝酸／冰醋酸腐蚀液对不同掺砷浓度多晶硅选择性腐蚀的特点... 提出了一种T形结构的边缘场发射阴极，它具有比通常的场发射体的发射面积大得多的特点。首次采用低压化学气相沉积技术生长内层重掺砷、外层较掺砷的多晶硅薄膜；利用氢氟酸／硝酸／冰醋酸腐蚀液对不同掺砷浓度多晶硅选择性腐蚀的特点，成功制备了T形结构的多晶硅边缘场发射阵列（FEA）；本方法对于制备类似结构的边缘场发射器件有意义。在此基础上建立了三极管几何模型，最后采用有限差分法对该三极管模型进行了静电分析。 展开更多

关键词 场致发射阵列 边缘场致发射 多晶硅 平板显示器

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有限元法在玻壳应力分布计算中的应用

13

作者 托容基.彼得.克马努斯 张雄 童林夙 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1997年第5期345-350,共6页

利用有限元法模拟了35英寸110°彩色显像管玻壳的应力分析，得到了玻壳表面的应力分布。玻壳表面上最大的张应力植出现在CPT对称面的周边上。分析结果对显像管生产工艺起到了积极的指导作用．并且大大节省了时间和费用。

关键词 CPT玻壳 应力分析 CAD模拟 彩色显像管 HDTV

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光电倍增管的二维优化计算

14

作者 张晓兵 汤勇明 彭建中 《电子器件》 CAS 1999年第1期46-50,共5页

本文采用有限差分方法对光电倍增管的聚焦系统的电场进行了计算，并对聚焦圆筒的长度进行了优化。

关键词 有限差分 光电倍增管 收集效率 计算

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硅的等离子体深腐蚀

15

作者 C.D.Fung T.R.Linkowsk 袁璟 《电子器件》 CAS 1991年第1期60-62,共3页

湿法化学腐蚀已被广泛地应用于敏感器件传感结构的微细加工中.近年来,在VLSI中等离子体干法腐蚀已成为获得细线条图形的可行技术.然而,干法腐蚀工艺无论是等离子体腐蚀或反应离子腐蚀,相对于湿法腐蚀来说都是比较慢的.在需要深腐蚀的应... 湿法化学腐蚀已被广泛地应用于敏感器件传感结构的微细加工中.近年来,在VLSI中等离子体干法腐蚀已成为获得细线条图形的可行技术.然而,干法腐蚀工艺无论是等离子体腐蚀或反应离子腐蚀,相对于湿法腐蚀来说都是比较慢的.在需要深腐蚀的应用中(如电子束光刻的对准符号刻蚀,电路隔离槽或敏感器件的微细结构腐蚀)当前都着力提高腐蚀速率.在传感器的开发中,主要问题之一是封装,为简化到处于测量环境的传感器的外部连接,希望通过传感器背面进行连接.在化学传感器中,背面连接最为有利. 展开更多

关键词 硅 等离子体腐蚀 VLSI 敏感器件

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用于传感器、执行器及微结构制备中的硅熔键合

16

作者 PHILIPW.BARTH 黄如 《电子器件》 CAS 1991年第3期50-58,共9页

硅熔键合(SFB)是指不用中间粘合剂而将两硅片直接连结起来.该技术已应用于制备SOI衬底及硅功率器件,并也在硅传感器、执行器及其他微结构制备中得到广泛应用.本文回顾了SFB工艺技术的发展及目前的状况,阐述了以本世纪六十年代初期至今... 硅熔键合(SFB)是指不用中间粘合剂而将两硅片直接连结起来.该技术已应用于制备SOI衬底及硅功率器件,并也在硅传感器、执行器及其他微结构制备中得到广泛应用.本文回顾了SFB工艺技术的发展及目前的状况,阐述了以本世纪六十年代初期至今该技术的历史发展过程,讨论了将SFB技术与硅微机械加工相结合所必要的工艺技术,介绍了一些成功的SFB结构.同时比较了这些工艺技术,讨论了SFB结构的未来发展趋势. 展开更多

关键词 传感器 执行器 硅熔键合 工艺

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电场强度的三维数值计算

17

作者 汪琛 尹涵春 童林夙 《真空电子技术》 北大核心 1996年第2期34-38,共5页

本文讨论了电子光学系统计算机辅助设计中涉及的电场强度的三维数值计算问题，给出了一套数值计算公式；同时编程计算了特定电位分布下的电场强度。结果表明，此方法的精度较高，符合实际需求。

关键词 电场强度 插值 精度 数值计算 CAD

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新世纪的显示器件与展望

18

作者 童林夙 《显示器件技术》 2002年第1期1-8,27,共9页

本文评述了世纪之交的各类显示器件的现状、技术趋势，对各类显示器件的主要参数进行比较并对今后的显示器件发展方向作了预测。

关键词 阴极射线管 等离子体显示 液晶显示 电致发光显示 真空荧光显示 场致发射显示 平板显示 显示器件

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世纪之交的显示器件

19

作者 童林夙 《世界产品与技术》 2003年第7期26-37,43,共13页

本文评述了世纪之交的各类显示器件的现况、技术趋势,对各类显示器件的主 要参数进行比较并对今后的显示器件发展方向作了预测。

关键词 显示器 CRT 平板显示器 FPD 市场 FED PDP 技术参数

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静电场中电子轨迹的三维计算机模拟

20

作者 汪琛 尹涵春 童林夙 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第6期62-65,共4页

本文讨论了静电场中电子轨迹的三维计算机模拟．给出了相应的计算公式．文中还对几种轨迹存在解析解的三维静电结构进行了计算．结果表明，本文所述方法精度较高，能满足电子光学ＣＡＤ的实际需要，是数值求解非轴对称静电结构下电子轨... 本文讨论了静电场中电子轨迹的三维计算机模拟．给出了相应的计算公式．文中还对几种轨迹存在解析解的三维静电结构进行了计算．结果表明，本文所述方法精度较高，能满足电子光学ＣＡＤ的实际需要，是数值求解非轴对称静电结构下电子轨迹的有效方法． 展开更多

关键词 静电场 电子轨迹 计算机辅助设计

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