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半导体硅上激光诱导选择性化学镀铜 被引量：3
1
作者 陈益芳 袁承超 +2 位作者 蒋华 张远明 陈云飞 《微纳电子技术》 CAS 2006年第3期150-153,共4页
利用YAG脉冲激光在n型硅基底上制备出了铜化学镀薄层,由激光剥离形成的微型图元通过化学镀铜工艺在硅基底上形成铜的微型结构。在化学镀工艺过程中为了使得化学镀铜沉积能够连续进行,要对基底表面先进行活化。实验表明,预处理及其后的... 利用YAG脉冲激光在n型硅基底上制备出了铜化学镀薄层,由激光剥离形成的微型图元通过化学镀铜工艺在硅基底上形成铜的微型结构。在化学镀工艺过程中为了使得化学镀铜沉积能够连续进行,要对基底表面先进行活化。实验表明,预处理及其后的清洗工艺对选择性镀膜质量影响很大;采用丙酮或硝酸水清洗,有助于获得清晰的微型图元结构。 展开更多
关键词 微型图元 激光 化学镀 活化 选择性镀膜
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变截面纳米线声子输运蒙特卡洛模拟 被引量：2
2
作者 王赞 赵睿杰 陈云飞 《中国科学：技术科学》 EI CSCD 北大核心 2010年第3期231-236,共6页
采用蒙特卡洛(MC)方法建立了声子在变截面硅纳米线内的输运模型,以渐扩几何体与渐缩几何体为物理模型,分别研究了在等热量与非等热量输入条件下2种模型的热整流效应和声子的输运特性.模拟结果表明在2种条件下,渐缩模型的热传导性能均高... 采用蒙特卡洛(MC)方法建立了声子在变截面硅纳米线内的输运模型,以渐扩几何体与渐缩几何体为物理模型,分别研究了在等热量与非等热量输入条件下2种模型的热整流效应和声子的输运特性.模拟结果表明在2种条件下,渐缩模型的热传导性能均高于渐扩模型.在非等热量输入的条件下,渐缩模型的热整流效应要大于等热量输入条件下的热整流效应.2种物理模型的主要区别在于体积的分布不同,虽然在纳米尺度下边界散射作用明显,但模拟结果表明边界散射对热传导的影响小于质量分布不同对声子输运的影响. 展开更多
关键词 蒙特卡洛 纳米线 变截面 热整流
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RF MEMS电感的研究与进展 被引量：1
3
作者 王彦丰 廖小平 黄庆安 《电子器件》 CAS 2004年第2期354-359,323,共7页
无线通信的迅速发展 ,对高性能电感有迫切的需要。本文介绍了目前电感的发展状况 ,包括表面螺旋电感、垂直平面螺旋电感、悬浮螺旋电感和螺线管电感。对各种电感的性能进行了比较 ,讨论了电感设计所需考虑的问题及相关因素 ,对各种电感... 无线通信的迅速发展 ,对高性能电感有迫切的需要。本文介绍了目前电感的发展状况 ,包括表面螺旋电感、垂直平面螺旋电感、悬浮螺旋电感和螺线管电感。对各种电感的性能进行了比较 ,讨论了电感设计所需考虑的问题及相关因素 ,对各种电感的加工工艺作了介绍。总结了各种电感的品种因数。 展开更多
关键词 微加工电感 邻近效应 趋肤效应
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RF等离子辅助热丝CVD法制备大面积β-SiC薄膜
4
作者 姜岩峰 郝达兵 黄庆安 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期180-183,197,共5页
采用RF辅助加热CVD方法,在76mm硅衬底上生长了β-SiC薄膜。设备为电容耦合式RF(13.56MHz)等离子体装置,反应气体为甲烷(CH4);通过控制反应系统内碳原子成核生长的条件,实现了大面积β-SiC薄膜的生长。对样品进行了XRD、AFM检查;退火后... 采用RF辅助加热CVD方法,在76mm硅衬底上生长了β-SiC薄膜。设备为电容耦合式RF(13.56MHz)等离子体装置,反应气体为甲烷(CH4);通过控制反应系统内碳原子成核生长的条件,实现了大面积β-SiC薄膜的生长。对样品进行了XRD、AFM检查;退火后整个样片膜厚均匀、一致性好、应力低、与衬底的粘附性好。 展开更多
关键词 碳化硅 成核生长 等离子化学汽相淀积
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力学参数测量时由残余电荷导致的误差分析
5
作者 姜岩峰 黄庆安 《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期204-206,211,共4页
分析了用静电牵引法测量悬臂梁结构力学参数时 ,由于绝缘层中残余电荷的存在 ,对测试结果带来的影响 ;并提出了利用C V特性曲线确定残余电荷数量的方法 ,将求出的残余电荷数量从静电力的角度进行等效 ,从而求出考虑残余电荷后带来的阈... 分析了用静电牵引法测量悬臂梁结构力学参数时 ,由于绝缘层中残余电荷的存在 ,对测试结果带来的影响 ;并提出了利用C V特性曲线确定残余电荷数量的方法 ,将求出的残余电荷数量从静电力的角度进行等效 ,从而求出考虑残余电荷后带来的阈值电压测试误差。该分析方法既适于提高悬臂梁、桥等用来测量力学参数的精度 。 展开更多
关键词 力学参数测量 残余电荷 误差分析 悬臂梁 阈值电压 MEMS器件
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InGaAs/InGaAsP超晶格薄膜导热系数测试
6
作者 陈震 杨决宽 +3 位作者 庄苹 陈敏华 朱健 陈云飞 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第13期1601-1605,共5页
采用3ω方法在100～320 K温度范围内测试了不同周期长度的InGaAs/InGaAsP超晶格薄膜的导热系数.结果表明对于周期性超晶格结构,随着温度的升高,热传导能力下降;比较周期长度不同的超晶格结构的测试结果,发现导热系数会随着周期长度的增... 采用3ω方法在100～320 K温度范围内测试了不同周期长度的InGaAs/InGaAsP超晶格薄膜的导热系数.结果表明对于周期性超晶格结构,随着温度的升高,热传导能力下降;比较周期长度不同的超晶格结构的测试结果,发现导热系数会随着周期长度的增大而减小,并在某一周期长度取得最小值,但随着周期长度的进一步增大,导热系数又出现上升趋势,表明在长周期超晶格结构中界面热阻是影响声子传输的主要因素.理论计算表明,对于短周期的超晶格结构,Bragg反射是造成产生最小值的原因之一,由于声子穿透率的下降,造成导热系数随着周期长度的增大而减小.理论与实验研究结果表明,随着周期长度的增大,声子的传输规律由声子的波动性过渡到粒子性,这对实现声子的剪裁具有重要意义,为设计超晶格结构提供理论基础. 展开更多
关键词 3ω实验 导热系数 超晶格 薄膜
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