采用标准CMOS工艺设计出PDP(Plasma Display Panel)选址芯片,重点设计出一种高压结构—HV-CMOS(High Voltage CMOS)结构,采用单阱非外延工艺以降低生产难度和成本,实现了高低压之间的兼容。同时采用TSUPREM-4对该结构进行工艺模拟、并用...采用标准CMOS工艺设计出PDP(Plasma Display Panel)选址芯片,重点设计出一种高压结构—HV-CMOS(High Voltage CMOS)结构,采用单阱非外延工艺以降低生产难度和成本,实现了高低压之间的兼容。同时采用TSUPREM-4对该结构进行工艺模拟、并用MEDICI分析其电流—电压和击穿等特性,说明该结构可以满足设计要求。展开更多
电池寿命是移动设备的关键设计参数之一。由于电池容量消耗的非线性和与负载轮廓相关的特性,最大化电池寿命是个相当困难的问题。研究了在考虑电池放电特性情况下动态电压调节策略(DVS,dynamic voltage scaling)最小化电池容量消耗的问...电池寿命是移动设备的关键设计参数之一。由于电池容量消耗的非线性和与负载轮廓相关的特性,最大化电池寿命是个相当困难的问题。研究了在考虑电池放电特性情况下动态电压调节策略(DVS,dynamic voltage scaling)最小化电池容量消耗的问题。针对现有考虑电池放电特性的DVS策略中空闲时间分配不合理的缺陷,提出了空闲时间分布调整过程,用于优化空闲时间分布从而减少电池容量消耗,并分析了该过程对任务调度的影响。实验结果表明对现有考虑电池放电特性的DVS策略形成的任务调度进行空闲时间分布调整将进一步减少电池容量消耗。展开更多
文摘采用标准CMOS工艺设计出PDP(Plasma Display Panel)选址芯片,重点设计出一种高压结构—HV-CMOS(High Voltage CMOS)结构,采用单阱非外延工艺以降低生产难度和成本,实现了高低压之间的兼容。同时采用TSUPREM-4对该结构进行工艺模拟、并用MEDICI分析其电流—电压和击穿等特性,说明该结构可以满足设计要求。
文摘电池寿命是移动设备的关键设计参数之一。由于电池容量消耗的非线性和与负载轮廓相关的特性,最大化电池寿命是个相当困难的问题。研究了在考虑电池放电特性情况下动态电压调节策略(DVS,dynamic voltage scaling)最小化电池容量消耗的问题。针对现有考虑电池放电特性的DVS策略中空闲时间分配不合理的缺陷,提出了空闲时间分布调整过程,用于优化空闲时间分布从而减少电池容量消耗,并分析了该过程对任务调度的影响。实验结果表明对现有考虑电池放电特性的DVS策略形成的任务调度进行空闲时间分布调整将进一步减少电池容量消耗。
