S1240专用MBLIC LSI 被引量：1

1

作者 潘桂忠 蒋培成 +1 位作者 任琦 赵彭年 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1998年第1期6-9,共4页

本文叙述S1240数字程控电话交换机专用的一种用户接口电路（MBLIC）的结构与功能。采用以双极工艺为基础的BiCMOS制造技术，使用相同的结深度，实现了高、低压双极型管（15V，70V）与CMOS管（15V）的结合，制造出MBLICLSI，并通过比利... 本文叙述S1240数字程控电话交换机专用的一种用户接口电路（MBLIC）的结构与功能。采用以双极工艺为基础的BiCMOS制造技术，使用相同的结深度，实现了高、低压双极型管（15V，70V）与CMOS管（15V）的结合，制造出MBLICLSI，并通过比利时贝尔电话公司质量认证。 展开更多

关键词 MBLIC LSI BICMOS 程控交换机 电话交换机 S1240

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S1240专用DSP LSI

2

作者 潘桂忠 任琦 赵彭年 《微电子学与计算机》 EI CSCD 北大核心 1997年第2期5-8,47,共5页

本文描述了采用等比例缩小基本规则和N阱HCMOS双层POly技术，制造出S1240数字程控电话交换机专用的数字信号处理器（DSP）。电路典型工作频率为4MHz，功耗＜75mW，达到了国外同类产品性能指标。

关键词 电话交换机 程控电话交换机 DSP LSI

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S1240专用DUSP LSI

3

作者 潘桂忠 马鑫荣 +1 位作者 徐鼎 赵彭年 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1997年第3期3-6,41,共5页

本文叙述S1240数字程控电话交换机专用的双交换端口（DUSP）的结构与功能。采用D／E型MOS制造技术。电路典型工作频率为4MHz，功耗为750mW，并通过比利时贝尔电话公司质量认证考核。

关键词 DUSP 程控交换机 双交换端口

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CMOS芯片结构与制程技术分析 被引量：19

4

作者 潘桂忠 《集成电路应用》 2017年第4期43-46,共4页

提出通常接口与芯片剖面(或平面/剖面)结构,并依该结构得到的制程组成电路设计与芯片制造的新接口,介绍了剖面(或平面/剖面)结构技术。设计电路电气特性不仅与电路和版图结构、而且与模型参数、芯片结构参数以及制程等因素都有关。芯片... 提出通常接口与芯片剖面(或平面/剖面)结构,并依该结构得到的制程组成电路设计与芯片制造的新接口,介绍了剖面(或平面/剖面)结构技术。设计电路电气特性不仅与电路和版图结构、而且与模型参数、芯片结构参数以及制程等因素都有关。芯片制造一般都要对制程作修改、补充,还需要调整和磨合过程,才能得到合格的芯片。 展开更多

关键词 集成电路制造工艺 接口 剖面结构技术 制程的磨合

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LV/HV兼容CMOS芯片与制程结构 被引量：6

5

作者 潘桂忠 《集成电路应用》 2017年第7期21-25,共5页

LV/HV兼容CMOS技术,该技术能够实现低压5 V与高压100~700 V(或更高)兼容的CMOS工艺。为了便于高低压MOS器件兼容集成,采用具有漂移区的偏置栅结构的HV MOS器件。改变漂移区的长度,宽度,结深度以及掺杂浓度等可以得到高电压。采用MOS集... LV/HV兼容CMOS技术,该技术能够实现低压5 V与高压100~700 V(或更高)兼容的CMOS工艺。为了便于高低压MOS器件兼容集成,采用具有漂移区的偏置栅结构的HV MOS器件。改变漂移区的长度,宽度,结深度以及掺杂浓度等可以得到高电压。采用MOS集成电路芯片结构设计、工艺与制造技术,依该技术得到了芯片制程结构。 展开更多

关键词 集成电路制造工艺 偏置栅结构 LV/HV兼容CMOS芯片结构 制程平面 剖面结构

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一种适合于听觉神经刺激的可编程双相恒流脉冲发生器 被引量：4

6

作者 曾晓军 洪志良 +2 位作者 任俊彦 晁英伟 陈康民 《微电子学》 CAS CSCD 1994年第5期21-25,共5页

正向设计了一种适合于听觉神经刺激的可编程双相恒流脉冲发生器，它可根据耳聋患者的要求和不同的语音信号，控制刺激电流脉冲的幅度和宽度，以及脉冲之间的间隙。本文阐述了电路的设计要求和方法，并给出了实验结果。采用标准３μｍｐ... 正向设计了一种适合于听觉神经刺激的可编程双相恒流脉冲发生器，它可根据耳聋患者的要求和不同的语音信号，控制刺激电流脉冲的幅度和宽度，以及脉冲之间的间隙。本文阐述了电路的设计要求和方法，并给出了实验结果。采用标准３μｍｐ阱ＣＭＯＳ工艺，在上海贝岭微电子制造有限公司流片。目前已成功地用于多道人工电子耳蜗接收刺激器中。 展开更多

关键词 电流源 双相 脉冲发生器 听觉神经刺激

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BL0932双向电能计量电度表集成电路 被引量：2

7

作者 陈克贤 《集成电路应用》 1996年第1期35-39,共5页

BL0932 IC是国内目前广泛使用的单相反窃电电子电度表的核心芯片。BL0932是BL0931的改进型芯片。它继承了BL0931原来具有的线性好、测量动态范围宽,反潜动等所有的优点,还提供了真正的防窃电的功能,使用BL0932制成的电子电度表具有比以... BL0932 IC是国内目前广泛使用的单相反窃电电子电度表的核心芯片。BL0932是BL0931的改进型芯片。它继承了BL0931原来具有的线性好、测量动态范围宽,反潜动等所有的优点,还提供了真正的防窃电的功能,使用BL0932制成的电子电度表具有比以往更好的可靠性。 展开更多

关键词 电度表 集成电路 电能计量

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用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量硅中注入硼的深度分布及扩展电阻探针技术分辨率的估算 被引量：1

8

作者 杨恒青 颜佳骅 +1 位作者 陈俭 曹永明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期290-297,共8页

利用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量了硅中注入硼的深度分布 .在适当的测量深度 ,用扩展电阻探针技术测得的结果对二次离子质谱技术测量的结果进行了标定 ,从而得到硅片中硼原子的深度分布 .用近似模型估算了扩展电阻探针针尖半径... 利用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量了硅中注入硼的深度分布 .在适当的测量深度 ,用扩展电阻探针技术测得的结果对二次离子质谱技术测量的结果进行了标定 ,从而得到硅片中硼原子的深度分布 .用近似模型估算了扩展电阻探针针尖半径对测试分辨率的影响 .若探针针尖半径为r0 ,测量斜面的角度为 ξ ,在用扩展电阻探针技术测量载流子浓度的深度分布时 ,可以近似认为深度分辨率为 7 86r0 sinξ.还定性讨论了样品表面耗尽层对扩展电阻探针技术的影响 . 展开更多

关键词 扩展电阻探针技术 硅 深度分布 分辨率 二次离子质谱 硼离子注入

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通用红外线遥控系统 被引量：2

9

作者 施良驹 《电子技术（上海）》 北大核心 1993年第6期7-12,共6页

文中介绍了一种常用的红外线遥控系统的组成、工作原理、使用要点和应用线路。为进一步灵活使用该系统于各个领域打下基础。

关键词 红外辐射 遥控 红外遥控系统

原文传递

BL1101及BL1101A具有免提的音频/脉冲拨号电路 被引量：1

10

作者 刘亿 《集成电路应用》 1996年第2期25-31,共7页

BL1101及BL1101A是我公司最近开发成功的单片硅栅CMOS拨号集成电路,可根据需要通过电话机上的键盘输入,送出双音多频(DTMF)或脉冲(PULSE)二种形式的拨号信号,同时具有免提拨号和最后一次电话号码(最多32位)的重拨等功能。双音多频信号... BL1101及BL1101A是我公司最近开发成功的单片硅栅CMOS拨号集成电路,可根据需要通过电话机上的键盘输入,送出双音多频(DTMF)或脉冲(PULSE)二种形式的拨号信号,同时具有免提拨号和最后一次电话号码(最多32位)的重拨等功能。双音多频信号是指在音频工作状态按数字键时,该数字键对应的行和列分别发出两组不同频率的正弦波信号,这两组信号(行组和列组)叠加后组成的信号即为双音多频信号。BL1101及BL1101A分别与W91330及W91330A兼容。 展开更多

关键词 电话机 脉冲拨号电路 音频信号 BL1101 BL1101A

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成品制造部洁净室噪声治理 被引量：1

11

作者 郁惠芬 《噪声与振动控制》 CSCD 1997年第3期22-27,共6页

关键词 电子成品 成品制造部 洁净室 噪声 治理

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我们是如何对原材料供应商和外加工分包商进行控制的 被引量：1

12

《电子质量》 1997年第10期27-28,共2页

上海贝岭微电子制造有限公司在这里向我们介绍了他们在对原材料供应商和外加工分包商进行控制方面的成功经验。

关键词 ISO9001 电子工业 质量管理 供应商 分包商

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HF缓冲溶液处理Si（111）表面的化学稳定性椭偏谱研究

13

作者 苏毅 张秀珠 +4 位作者 陈良尧 包宗明 钱佑华 薛自 盛伯苓 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第3期207-211,共5页

首次采用椭偏光谱仪检测ＨＦ缓冲溶液（ＢＨＦ）处理的Ｓｉ（１１１）表面在空气中的化学稳定性．研究表明：随着Ｓｉ暴露在空气中时间的增长，Ｓｉ的赝介电常数虚部ε２的Ｅ２临界点峰值随之下降，而Ｅ１临界点峰值却随之上升；在ｐＨ... 首次采用椭偏光谱仪检测ＨＦ缓冲溶液（ＢＨＦ）处理的Ｓｉ（１１１）表面在空气中的化学稳定性．研究表明：随着Ｓｉ暴露在空气中时间的增长，Ｓｉ的赝介电常数虚部ε２的Ｅ２临界点峰值随之下降，而Ｅ１临界点峰值却随之上升；在ｐＨ＝５．３的ＢＨＦ中腐蚀，再经去离子水漂洗后，可得到较稳定的Ｓｉ（１１１）表面，在空气中一小时之内基本不氧化． 展开更多

关键词 HF缓冲溶液 硅(111)表面 化学稳定性 椭偏谱

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BiCMOS结构中阱特性的研究

14

作者 鲍荣生 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1999年第5期331-335,共5页

叙述了以双极型工艺为主体的BiCMOS结构中p阱电阻比值非线性的特性及其与芯片合格率的关系。在p阱下面采用埋层,抑制或消除了BiCMOS中p阱结构的寄生效应。

关键词 半导体工艺 BICMOS 阱电阻 埋层 LSI/VLSI

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模拟用户接口电路

15

作者 任崎 《电子技术（上海）》 北大核心 1992年第2期28-29,39,共3页

本文介绍用于1240数字程控交换机模拟用户模块的专用大规模集成电路(简称MBLIC)。它采用高压(70V)BIMOS工艺,芯片尺寸5.5×5.6(mm),28脚双列直插陶瓷封装,功耗400mW(典型值)。MBLIC主要完成以下功能: 1.向用户线馈电; 2.AC/DC回路... 本文介绍用于1240数字程控交换机模拟用户模块的专用大规模集成电路(简称MBLIC)。它采用高压(70V)BIMOS工艺,芯片尺寸5.5×5.6(mm),28脚双列直插陶瓷封装,功耗400mW(典型值)。MBLIC主要完成以下功能: 1.向用户线馈电; 2.AC/DC回路阻抗合成; 3.将语音信号和12/16kHz计费信号耦合到用户线; 4.实现二/四线转换; 5. 展开更多

关键词 电话交换机 程控交换机 接口电路

原文传递

1240程控电话交换系统专用大规模集成电路的国产化

16

作者 马鑫荣 《电子技术（上海）》 北大核心 1992年第1期26-27,共2页

大规模集成电路是1240程控交换(简称S 12)系统中三种尖端技术之一。其国产化包括两个内容: 1.九种专用大规模集成电路制造技木的转让; 2.向用户大批量地提供使用寿命至少25年的高可靠电路。一、九种专用大规模集成电路功能简介 S 12系... 大规模集成电路是1240程控交换(简称S 12)系统中三种尖端技术之一。其国产化包括两个内容: 1.九种专用大规模集成电路制造技木的转让; 2.向用户大批量地提供使用寿命至少25年的高可靠电路。一、九种专用大规模集成电路功能简介 S 12系统是一种全分布控制的模块式程控电话交换机,其结构可大致分为三部分。核心部份是数字交换网络,外围是各种功能模块,例如模拟用户模块、时钟与信号音模块、数字中继模块、服务电路模块、维护及外设模块等,以及它们之间的终端控制单元。九种专用大规模集成电路在S12系统中的分布情况如表1所示。下面简述每一种专用大规模集成电路的主要功能(以模拟用户模块为例)。 1.DUSP(dual switch port) 它由两对交换端口组成,可对两路彼此不相干的4. 展开更多

关键词 程控交换机 集成电路 国产化 电话

原文传递

双处理机终端控制器DPTC

17

作者 徐鼎 《电子技术（上海）》 北大核心 1992年第5期29-32,共4页

一、概况在S1240数字程控交换机中,双处理机终端控制器DPTC(dual processor terminal control)广泛用作硬件接口电路。DPTC是两个终端控制单元A/B和终端电路之间的接口电路。使用两个终端控制单元是为了保证其中一个损坏时,另一个终端... 一、概况在S1240数字程控交换机中,双处理机终端控制器DPTC(dual processor terminal control)广泛用作硬件接口电路。DPTC是两个终端控制单元A/B和终端电路之间的接口电路。使用两个终端控制单元是为了保证其中一个损坏时,另一个终端控制单元仍能对终端电路进行控制,从而使通信的安全性大为增加。DPTC可控制用户电路、铃流电路、告警电路、测试电路等终端电路。主要功能如下: 1.两组PCM链路(PCMA和PCMB)分别与两个终端控制单元A/B接口,如图1所示。 展开更多

关键词 程控交换机 终端 控制器

原文传递

亚微安功耗的石英电子表电路

18

作者 温杰西 李艇 《集成电路应用》 1992年第1期22-25,共4页

本文对石英电子表电路BL1208的亚微安功耗电流的实现原理以及线路设计上所采用的新颖方法进行了详细的讨论,同时和常规方法比较,明显看出二者的优缺点。

关键词 石英电子表 电路

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数字微调石英电子表电路

19

作者 温杰西 李艇 《集成电路应用》 1992年第1期26-28,共3页

本文对数字微调石英电子表电路BL1209的电路特点及工作原理进行了讨论,同时对其特殊部分——调频电路作了详细分析,并在此基础上,简单介绍了BL1209电路的应用。

关键词 石英电子表 电路 微调

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1024级低电压低噪声模拟信号延时器件BL3207

20

作者 温杰西 余鸿彪 孙谦 《集成电路应用》 1992年第1期13-20,50,共9页

本文在器件分析基础上对BBD器件应用条件作了原理性分析,提出了BBD基本应用单元的概念。并对影响BBD使用的各种因素,包括直流转移特性、工作点选择、失真、频响、输出滤波器的设计等作了较详尽的说明,提出了BBD工作条件的正确选择原则。

关键词 信号延时器 BBD器件 BL3207

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