最佳线性过滤器的时域综合法 被引量：4

1

作者 张苹迦 《数据采集与处理》 CSCD 1990年第4期26-33,共8页

本文提出一种最佳线性过滤器的时域综合方法,这个方法不仅可直接应用于以图表或数列给出的相关函数,更主要的可避免应用频率域法时为解决可实现性问题而遇到的困难。

关键词 线性过滤器 时域综合法 信号 噪声

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压电陶瓷高温极化及其试验装置的研究 被引量：3

2

作者 金同寿 王春涛 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1993年第2期21-25,共5页

利用受控的场致有序化的顺电-铁电相变,选择较高的降温升压速率,可使极化趋于更加完全。本研究推荐;采用极化试验装置和配有高频全波倍压检出器的样品试验盒;使极化温度稍高于样品的铁电居里温度,极化场强取数十至数百伏每毫米,降温升... 利用受控的场致有序化的顺电-铁电相变,选择较高的降温升压速率,可使极化趋于更加完全。本研究推荐;采用极化试验装置和配有高频全波倍压检出器的样品试验盒;使极化温度稍高于样品的铁电居里温度,极化场强取数十至数百伏每毫米,降温升压速率在样品击穿性能允许的情况下取得高些,终止极化温度较居里温度低100℃以上时,测试数据和分析结果稳定可靠,样品极化效果很好。 展开更多

关键词 压电陶瓷 高温极化 试验设备

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新型漂洗发射极晶体管——低频低噪声器件 被引量：1

3

作者 刘炳国 洪垣 肖金生 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1989年第2期148-154,共7页

本文论述了进一步降低晶体管低频噪声的限制,利用磷通过热生长薄氧化层扩散制成新型漂洗发射极晶体管,讨论了器件在降低进入晶体的过量磷原子、控制诱生缺陷和发射区边缘缺陷的作用。实验结果表明,漂洗发射极晶体管的小电流增益均匀性好... 本文论述了进一步降低晶体管低频噪声的限制,利用磷通过热生长薄氧化层扩散制成新型漂洗发射极晶体管,讨论了器件在降低进入晶体的过量磷原子、控制诱生缺陷和发射区边缘缺陷的作用。实验结果表明,漂洗发射极晶体管的小电流增益均匀性好,具有良好的低频噪声特性,是一种工艺比较简化,性能较好的低频低噪声器件。 展开更多

关键词 漂洗 晶体管 低频 低噪声 发射极

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三漏CMOS磁敏器件

4

作者 汪东旭 《传感技术学报》 CAS CSCD 1990年第4期51-54,共4页

采用矩形结构的霍尔元件作为磁敏电路中敏感部分的硅霍尔磁敏器件已相当成熟,但磁灵敏度不大,仅约10~2V/AT.因此探讨具有高灵敏度的磁敏器件,对于工艺相当成熟的硅材料来说仍然很有意义.从硅的MOS器件来看,早先由Gallagher和Corak提出用... 采用矩形结构的霍尔元件作为磁敏电路中敏感部分的硅霍尔磁敏器件已相当成熟,但磁灵敏度不大,仅约10~2V/AT.因此探讨具有高灵敏度的磁敏器件,对于工艺相当成熟的硅材料来说仍然很有意义.从硅的MOS器件来看,早先由Gallagher和Corak提出用MOS表面的反型导电层做MOS霍尔元件,曾达到10~3V/AT的灵敏度.而后由Fry和Hoey提出用双漏MOS场效应晶体管做成灵敏度达10~4V/AT的磁敏元件.由于负载电阻大,稳定性较差,Popovic和Baltes又进一步用这种晶体管做成CMOS差分放大器结构形式,得到了有同样灵敏度且较稳定的磁敏器件. 展开更多

关键词 磁敏器件 三漏 霍尔元件 场效应晶体管 差分放大器 矩形结构 沟道长度 导电层 负载电阻 单端输出

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超高介TiO_2晶界层电容器陶瓷

5

作者 李其凤 郑安泉 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1989年第1期35-37,共3页

本文介绍了对掺杂Ta、Ba的TiO_2晶界层电容器陶瓷的研究结果。这种陶瓷只需一次烧成就可形成晶界层结构,其介电常数高达10~5,不仅可望成为制作晶界层电容器的理想瓷料,而且有可能用于开发比电容更高的独石型晶界层电容器。

关键词 电容器 陶瓷 TIO2 晶界层 介电常数

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Fuzzy矩阵A_(Sr=1)的最小向量分解式及若干特性

6

作者 张世伟 陆余楚 朱文兴 《江苏工学院学报》 1989年第4期86-92,共7页

本文建立了Fuzzy矩阵A_(Sr=1)的最小向量分解式和有关结果,并在此基础上,讨论了Fuzzy矩阵A_(Sr=1)的幂零、幂等、传递、正则等有关特性。

关键词 FUZZY矩阵 Аsr=1 最小向量 分解式

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高速微功耗改进型肖特基晶体管逻辑

7

作者 刘炳国 洪垣 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1990年第1期34-38,共5页

研制了一种应用漂洗发射极晶体管和U型槽隔离技术的改进型肖特基晶体管逻辑电路(MSTL),它不仅具有标准STL高速度和ISL工艺简化的优点,与采用多晶硅发射极晶体管和氧化隔离技术的MSTL比较,进一步简化了工艺,且能在微功耗下工作.实验表明... 研制了一种应用漂洗发射极晶体管和U型槽隔离技术的改进型肖特基晶体管逻辑电路(MSTL),它不仅具有标准STL高速度和ISL工艺简化的优点,与采用多晶硅发射极晶体管和氧化隔离技术的MSTL比较,进一步简化了工艺,且能在微功耗下工作.实验表明,采用4μm的设计规则,在50μA的工作电流下,传输延迟时间为3.2ns,速度功耗乘积为0.24pJ,集成度为190门/mm^2. 展开更多

关键词 肖特基晶体管 双极型 集成电路

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四分之一波片的制备

8

作者 刘尚仁 《激光杂志》 CAS 1985年第6期307-308,共2页

本文叙述一种四分之一波片的制备方法。

关键词 四分之一波片 波长 云母片 反射镜 反光镜

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计算机系统模拟语言CSSP的设计和实现

9

作者 马范援 《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心 1989年第2期30-35,共6页

本文提出了用于计算机性能评价的CSSP模拟系统,该系统由计算机系统模拟语言CSSP和编译系统组成.CSSP是以PASCAL语言为基础、面向事件的计算机系统模拟语言,它兼有PASCAL语言和模拟语言的功能.

关键词 计算机系统 模拟语言 CSSP

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APPLEⅡ内外存储扩充技术和提高运行速度方法研究及实例分析

10

作者 沈欣 赵正德 《计算机应用研究》 CSCD 1990年第1期58-61,共4页

本文从软、硬件出发,深入剖析了APPLEⅡ的内外存储和分配技术,提出了节省内外存储空间的开支、加快系统的运行速度的一系列措施,以达到相对扩充存储量和提高工作效率的目的。

关键词 微机 内存 外存 存储扩充

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IBM PC特殊控制单元及BASIC语言的POKE、PEEK语句应用技术

11

作者 沈欣 《微型机与应用》 1989年第4期7-9,59,共4页

本文重点讨论有关PC分配给BASIC使用的低地址存储器段的特殊单元,即BASIC首次被调入时的数据段,并简要介绍一些常用外设的特殊控制单元的使用。

关键词 微机 控制单元 BASIC语言 POKE语句

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电容器并联时的损耗变化

12

作者 齐文 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1990年第4期63-64,共2页

电容器在交变电场作用下都要消耗部分能量,这部分能量损耗会使电容器发热,温度升高,从而改变电路中各项参数,所以电容器的损耗一直被当作衡量电容器质量优劣的一项重要指标。在实用电子线路制作中,为了匹配线路设计所需的电容量,有时以... 电容器在交变电场作用下都要消耗部分能量,这部分能量损耗会使电容器发热,温度升高,从而改变电路中各项参数,所以电容器的损耗一直被当作衡量电容器质量优劣的一项重要指标。在实用电子线路制作中,为了匹配线路设计所需的电容量,有时以两只小容量电容器并联接入替代大容量电容器使用。对于电容器并联时的损耗问题,设计者们往往未作详细实验研究,为此,本文对两只电容器并联时损耗tgδ值的变化,提供一些理论计算和试验结果。 展开更多

关键词 电容器 并联 能量损耗

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一种新的相关函数的测定方法

13

作者 张苹迦 《电子测量与仪器学报》 CSCD 1989年第3期1-9,共9页

本文将在信号是高斯分布的前提下提出一种不需要时间延迟、相乘和长时间积分的相关函数的测定方法。在实际工程问题中可以说大多数的各态遍历平稳随机信号都是或假定是具有高斯分布律的,因此文中所提出的方法是可以广泛应用的。

关键词 信号检测 相关函数 测定

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掺氧多晶硅(SIPOS)薄膜结晶学性质研究

14

作者 潘尧令 王云珍 王济身 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1990年第4期364-368,共5页

本文用XRD,RHEED和SEM对LPCVD掺氧多晶硅的结晶学性质进行了研究.结果表明,对于含氧量为8～37at%预淀积SIPOS薄膜其结构呈无定形.当进行高温热退火(T_a≥900℃)时,薄膜经历了一个再结晶过程.晶粒度的大小与退火条件有关;而修氧多晶硅中... 本文用XRD,RHEED和SEM对LPCVD掺氧多晶硅的结晶学性质进行了研究.结果表明,对于含氧量为8～37at%预淀积SIPOS薄膜其结构呈无定形.当进行高温热退火(T_a≥900℃)时,薄膜经历了一个再结晶过程.晶粒度的大小与退火条件有关;而修氧多晶硅中的含氧量对再结晶过程具有抑制作用. 展开更多

关键词 掺氧多晶硅 薄膜 结晶学 硅

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最佳线性过滤器构成的一种自适应系统 被引量：1

15

作者 张苹迦 《数据采集与处理》 CSCD 1993年第1期57-61,共5页

本文介绍一种基于时域综合法的由最佳线性过滤器构成的自适应系统。文中首先介绍噪音为白色噪音时的可变传递函数和最佳自适应过滤器。由于在一般情况噪音并非是白色噪音,这时过滤器的构成就比较困难,文中给出了这种自适应最佳过滤器的... 本文介绍一种基于时域综合法的由最佳线性过滤器构成的自适应系统。文中首先介绍噪音为白色噪音时的可变传递函数和最佳自适应过滤器。由于在一般情况噪音并非是白色噪音,这时过滤器的构成就比较困难,文中给出了这种自适应最佳过滤器的组成。 展开更多

关键词 自适应滤波器 最佳化 线性过滤器

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LPCVD掺氧多晶硅薄膜淀积及其特性

16

作者 潘尧令 王云珍 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第4期51-55,46,共6页

本文对LPCVD掺氧多晶硅的工艺特性进行了研究,尤其是分析和讨论了在LPCVD系统中淀积温度、反应气体流量比(N_2O/SiH_4)及硅烷(SiH_4)流量对SIPOS薄膜的工艺参数及薄膜性质的影响,并对LPCVD-SIPOS的有关性质进行了讨论。

关键词 多晶硅薄膜 掺氧 淀积 LPCVD

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