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超薄SiO_2层的化合态结构和厚度 被引量：2
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作者 杜汇伟 沈玲 +3 位作者 丁虎 杨洁 赵磊 马忠权 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期461-466,共6页
用快速热处理对单面抛光硅片进行初始热氧化,800℃下在晶硅基表面制备出15,30和60 min三个时间段的超薄氧化硅层。采用角分辨X射线光电子谱(AR-XPS)技术分别分析了3种初始氧化硅层的厚度和化学组态。结果表明,这些氧化硅层的主要成分为S... 用快速热处理对单面抛光硅片进行初始热氧化,800℃下在晶硅基表面制备出15,30和60 min三个时间段的超薄氧化硅层。采用角分辨X射线光电子谱(AR-XPS)技术分别分析了3种初始氧化硅层的厚度和化学组态。结果表明,这些氧化硅层的主要成分为SiO_2,在过渡区存在的Si_2O_3、SiO和Si_2O不饱和态的含量均小于5%。通过控制氧气的含量,使氧化厚度只与时间有关。氧化硅层主相SiO_2的厚度随时间改变分别为(4.1±0.4)nm,(6.2±0.6)nm和(9.6±0.5)nm。根据SiO_2与基底Si的Si_(2p)峰的间距随掠射角度的变化,推断出厚度为4.1和6.2 nm的SiO_2层内的固定正电荷导致n型Si基体能带向上弯曲;而9.6 nm的SiO_2层内的固定正电荷分布随着远离界面逐渐减小,表明固定正电荷主要分布在界面区附近。 展开更多
关键词 无机非金属材料 超薄氧化硅 角分辨XPS 快速热处理 固定表面正电荷
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