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敦煌莫高窟洞窟围岩渗透特性研究 被引量：19
1
作者 王旭东 郭青林 +2 位作者 李最雄 小泉圭吾 舛屋直 《岩土力学》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第10期3139-3144,共6页
敦煌莫高窟壁画受自身材质和自然环境等的影响,已经保存了1000多年的壁画产生起甲、酥碱、空鼓、壁画大面积脱落等多种病害。多项研究已经证明,这些病害主要是由于水盐运移导致的,水汽在岩体内的运移促使盐分在壁画表面富集是造成石窟... 敦煌莫高窟壁画受自身材质和自然环境等的影响,已经保存了1000多年的壁画产生起甲、酥碱、空鼓、壁画大面积脱落等多种病害。多项研究已经证明,这些病害主要是由于水盐运移导致的,水汽在岩体内的运移促使盐分在壁画表面富集是造成石窟病害主要原因之一。通过石窟围岩的渗透性研究可以解释水汽运移的规律,研究壁画病害形成的机制。在研究中应用原位定水位渗透试验测得了莫高窟洞窟围岩不同地层岩组的渗透系数,并通过高密度电阻率法监测原位渗透试验、X射线CT计算岩石孔隙比等多种方法和手段研究莫高窟围岩的渗透性,认为敦煌莫高窟围岩不同地层具有不同的渗透性,因此,即便处于同一地层岩组,渗透系数也有较大差别;在莫高窟围岩中存在渗透性好的地层,使水汽通过这些地层岩组向洞窟内运移成为可能;鉴于文物的特殊性等原因,在无法直接测得围岩渗透性的情况下,高密度电阻率法和X射线CT扫描是了解围岩渗透特性有效的办法。 展开更多
关键词 莫高窟 围岩 渗透性 研究
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高密度电阻率法在敦煌莫高窟水汽调查中的初步应用 被引量：10
2
作者 郭青林 王旭东 +3 位作者 李最雄 小泉圭吾 谷本亲伯 舛屋直 《敦煌研究》 CSSCI 北大核心 2008年第6期79-82,124,共5页
敦煌莫高窟壁画受自身材质和自然环境等的影响,产生起甲、酥碱、空鼓、壁画大面积脱落等多种病害,多项研究已经证明,这些病害主要是由水盐运移导致的,而水汽是激活和导致盐分运移的主要因素。我们使用高密度电阻率法对石窟围岩状况、莫... 敦煌莫高窟壁画受自身材质和自然环境等的影响,产生起甲、酥碱、空鼓、壁画大面积脱落等多种病害,多项研究已经证明,这些病害主要是由水盐运移导致的,而水汽是激活和导致盐分运移的主要因素。我们使用高密度电阻率法对石窟围岩状况、莫高窟窟前林带区和崖顶降水入渗前后进行了现场测定,结果表明:(1)莫高窟后部崖体从表面到深度100m的地层不存在自由水;(2)莫高窟窟前林带灌溉水通过表层堆积物向崖面渗透,使洞窟岩体内的水汽含量增高,有激活盐分的可能;(3)少量的降水依然能以较慢的速度通过渗透性较好的地层或崖体裂隙渗透到洞窟的顶部,激活岩体和地仗内的盐分,导致壁画病害的发生。 展开更多
关键词 莫高窟 高密度电阻率法 水汽调查
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日本农业发展与食品安全的研究综述 被引量：5
3
作者 谢元媛 思沁夫 岸本纱也加 《中国农业大学学报（社会科学版）》 CSSCI 北大核心 2015年第3期85-94,共10页
日本农业在自然条件有限的情况下,实现了"二战"后的快速发展,用了30年即实现农业现代化。日本也因农业生产水平和食品检测标准居于国际领先行列而备受瞩目。而近年来日本本土有关农业发展及食品安全的反思性研究,从一个更为... 日本农业在自然条件有限的情况下,实现了"二战"后的快速发展,用了30年即实现农业现代化。日本也因农业生产水平和食品检测标准居于国际领先行列而备受瞩目。而近年来日本本土有关农业发展及食品安全的反思性研究,从一个更为纵深的历史视角下审视日本的农业发展过程。通过综述日本农业的发展历程,提炼出日本农业的历史发展脉络为传统农业、现代化农业、环境保全型农业的依次更迭。重点介绍了由现代化的污染引发的、在日本影响巨大的公害病事件,从而阐发日本农业发展与食品安全事件成为问题的经验教训,这有助于发展中国家在学习过程中的全面思考和谨慎借鉴。 展开更多
关键词 日本农业 食品安全 公害病 经验教训
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面向单晶SiC原子级表面制造的等离子体辅助抛光技术 被引量：7
4
作者 吉建伟 山村和也 邓辉 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第6期252-264,共13页
目前Si基半导体由于其自身材料特性的限制,已经越来越难以满足高速发展的现代电力电子技术对半导体器件的性能要求.SiC作为新一代半导体材料具有显著的性能优势,但由于其属于典型的难加工材料,实现SiC晶圆的高质量与高效率加工成为了推... 目前Si基半导体由于其自身材料特性的限制,已经越来越难以满足高速发展的现代电力电子技术对半导体器件的性能要求.SiC作为新一代半导体材料具有显著的性能优势,但由于其属于典型的难加工材料,实现SiC晶圆的高质量与高效率加工成为了推动其产业化应用进程的关键.本综述在回顾近年来SiC超精密加工技术研究进展的基础上,重点介绍了一种基于等离子体氧化改性的SiC高效超精密抛光技术,分析了该技术的材料去除机理、典型装置、改性过程及抛光效果.分析结果表明,该技术具有较高的去除效率,能够获得原子级平坦表面,并且不会产生亚表面损伤.同时针对表面改性辅助抛光技术加工SiC表面过程中出现的台阶现象,探讨了该台阶结构的产生机理及调控策略.最后对等离子体辅助抛光技术的发展与挑战进行了展望. 展开更多
关键词 单晶SiC 原子及近原子尺度制造 等离子体 表面改性
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