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ZnCuInS量子点的变温光致发光 被引量:6
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作者 陈肖慧 王秀英 赵家龙 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期923-928,共6页
测量了红色和深红色发光的ZnCuInS量子点在100~300 K温度范围内的光致发光光谱,研究了ZnCuInS量子点的发光机理,对ZnCuInS量子点的发光峰值能量、线宽和积分强度与温度的关系进行了细致的分析。在ZnCuInS量子点中观察到一种反常的发光... 测量了红色和深红色发光的ZnCuInS量子点在100~300 K温度范围内的光致发光光谱,研究了ZnCuInS量子点的发光机理,对ZnCuInS量子点的发光峰值能量、线宽和积分强度与温度的关系进行了细致的分析。在ZnCuInS量子点中观察到一种反常的发光峰值能量随着温度升高而增加的现象,同时发现ZnCuInS量子点的发光线宽很宽,约为300 meV,拟合积分强度与温度的关系曲线所得到的激活能为100 meV。这些结果表明,ZnCuInS量子点的发光不可能只来源于一种发光中心,而应该是来源于ZnCuInS量子点内部及表面的多种缺陷相关的多种发光中心组合。 展开更多
关键词 zncuins 量子点 纳米晶 变温光致发光
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ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点发光光谱特性的研究 被引量:3
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作者 林以军 刘文闫 +4 位作者 张宇 毕克 张铁强 冯毅 王一丁 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期20-22,共3页
ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点是一种无毒,无重金属的'绿色'半导体纳米材料。在研究中,制备了三种尺寸的ZnCuInS/ZnSe/ZnS核壳量子点,其直径分别为3.3,2.7,2.3nm。通过测量不同尺寸的ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点的光致发光光谱,其发射峰... ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点是一种无毒,无重金属的'绿色'半导体纳米材料。在研究中,制备了三种尺寸的ZnCuInS/ZnSe/ZnS核壳量子点,其直径分别为3.3,2.7,2.3nm。通过测量不同尺寸的ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点的光致发光光谱,其发射峰值波长随尺寸的减小而蓝移。其吸收峰值波长和发射峰值波长分别是510,611(3.3nm),483,583(2.7nm)以及447,545nm(2.3nm)。ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点具有显著的尺寸依赖效应。ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点的斯托克斯位移分别为398meV(3.3nm),436meV(2.7nm)以及498meV(2.3nm),这样大的斯托克斯位移证明,ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点的发光机制与缺陷能级有关。同时,对直径为3.3nm的ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点进行了温度依赖的光致发光光谱的测量,当温度为15~90℃时,该量子点发射峰值波长随温度的升高而红移,发光强度随温度的升高而降低,说明ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点是以导带能级与缺陷能级之间跃迁为主的复合发光。 展开更多
关键词 zncuins ZNSE ZNS 量子点 温度依赖 尺寸依赖 光致发光光谱
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ZnCuInS/ZnS量子点荧光粉LED发光特性研究 被引量:1
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作者 毕克 张铁强 张宇 《长春理工大学学报(自然科学版)》 2014年第4期44-47,共4页
ZnCuInS/ZnS(QDs)量子点是一种不含重金属半导体的纳米材料,以无机前驱体和非配位溶剂为基础,合成得到尺寸为3.2nm的ZnCuInS/ZnS核壳量子点,通过测量ZnCuInS/ZnS量子点光致发光光谱,其发射峰波长约为700nm,半宽度为110nm。同时,以GaN蓝... ZnCuInS/ZnS(QDs)量子点是一种不含重金属半导体的纳米材料,以无机前驱体和非配位溶剂为基础,合成得到尺寸为3.2nm的ZnCuInS/ZnS核壳量子点,通过测量ZnCuInS/ZnS量子点光致发光光谱,其发射峰波长约为700nm,半宽度为110nm。同时,以GaN蓝光芯片为基础,制备了ZnCuInS/ZnS量子点荧光粉LED发光二极管,并对其发光特性进行了研究。在恰当的偏置电压下,逐渐改变滴涂在底层为蓝色GaN LED芯片上的ZnCuInS/ZnS量子点溶液浓度,观察到红光逐渐增强,随之蓝光逐渐减弱,其发射光CIE色坐标发生改变,并可以得到较好的红光光谱。 展开更多
关键词 zncuins/ZnS量子点 GaNLED 光致发光 荧光粉
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ZnCuInS/ZnS量子点与Poly-TPD补偿发光光谱的研究 被引量:2
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作者 张宇 刘文闫 +5 位作者 张铁强 王亚楠 顾鹏飞 王鹏 王一丁 王芳荣 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第7期1943-1945,共3页
ZnCuInS/ZnS量子点是一种无重金属、'绿色'半导体纳米材料。在研究中,制备出尺寸为3.2nm的ZnCuInS/ZnS核壳量子点,并说明它是施主-受主对复合发光。通过测量ZnCuInS/ZnS量子点的光致发光光谱,其发射峰值波长为620nm、半宽度是9... ZnCuInS/ZnS量子点是一种无重金属、'绿色'半导体纳米材料。在研究中,制备出尺寸为3.2nm的ZnCuInS/ZnS核壳量子点,并说明它是施主-受主对复合发光。通过测量ZnCuInS/ZnS量子点的光致发光光谱,其发射峰值波长为620nm、半宽度是95nm的红光。同时,还制备出Poly-TPD有机薄膜,其发光光谱是峰值波长为480nm的蓝光。所以,ZnCuInS/ZnS量子点和Poly-TPD发光颜色具有互补性。在Zn-CuInS/ZnS量子点薄膜层上包覆一层poly-TPD薄膜后,二者发光颜色互补。在恰当的偏置电压下,可以得到较好的白光光谱。计算表明,其色坐标是(0.336,0.339),颜色指数是92。 展开更多
关键词 zncuins/ZnS量子点 Poly-TPD 薄膜 补偿发光
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Photoluminescence Characteristics of ZnCuInS-ZnS Core-Shell Semiconductor Nanocrystals
5
作者 Qiu-Lin Zhong Ming-Rui Tan +5 位作者 Qing-Hui Liu Ning Sui Ke Bi Mou-Cui Ni Ying-Hui Wang Han-Zhuang Zhang 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2017年第4期104-107,共4页
The photoluminescence (PL) characteristics of ZnCuInS quantum dots (Q, Ds) with varying ZnS shell thicknesses of O, 0.5, and 1.5 layers are investigated systemically by time-correlated single-photon counting measu... The photoluminescence (PL) characteristics of ZnCuInS quantum dots (Q, Ds) with varying ZnS shell thicknesses of O, 0.5, and 1.5 layers are investigated systemically by time-correlated single-photon counting measurements and temperature-dependent PL measurements. The results show that a ZnS shell thickness of 1.5 layers can effectively improve the PL quantum yield in one order of magnitude by depressing the surface trapping states of the core ZnCuInS QDs at room temperature. However, the PL measurements at the elevated temperature reveal that the core-shell nanocrystals remain temperature-sensitive with respect to their relatively thin shells. The temperature sensitivity of these small-sized single-layered core-shell nanocrystals may find applications as effective thermometers for the in vivo detection of biological reactions within cells. 展开更多
关键词 In QDS ZNS Photoluminescence Characteristics of zncuins-ZnS Core-Shell Semiconductor Nanocrystals
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ZnCuInS/ZnS量子点光致发光温度依赖性研究
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作者 毕克 王武满 +1 位作者 张宇 张铁强 《光学与光电技术》 2014年第5期38-41,共4页
ZnCuInS/ZnS量子点是一种无重金属“绿色”半导体纳米材料。制备出了直径为2.9nm的ZnCuInS/ZnS核壳量子点。从ZnCuInS/ZnS量子点的吸收及光致发光光谱中可以看到,量子点的斯托克斯位移为410meV。这样大的斯托克斯位移表明,ZnCuInS/ZnS... ZnCuInS/ZnS量子点是一种无重金属“绿色”半导体纳米材料。制备出了直径为2.9nm的ZnCuInS/ZnS核壳量子点。从ZnCuInS/ZnS量子点的吸收及光致发光光谱中可以看到,量子点的斯托克斯位移为410meV。这样大的斯托克斯位移表明,ZnCuInS/ZnS量子点的复合机制与缺陷能级有关。研究并计算了在辐射及非辐射驰豫过程的(Huang-Rhys)因子及平均声子能量。结果表明在50~373K范围内,能量带隙的变化以及光致发光光谱的增宽是分别由光从能带边缘向缺陷能级跃迁及载流子声子耦合导致的。 展开更多
关键词 zncuins/ZnS量子点 光致发光 温度特性 能量带隙
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