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偏析对氧化锆晶界电导的影响及提高晶界电导的几种方法
被引量:
1
1
作者
利明
陈宗璋
+1 位作者
向蓝翔
罗上庚
《硅酸盐通报》
CAS
CSCD
2004年第3期77-80,93,共5页
综合评述了稳定剂和杂质SiO2偏析的原理,偏析对晶界电导的影响,分析了偏析与晶粒尺寸大小关系的2种不同观点,介绍了改变烧结条件、掺杂Al2O3、加压、提高降温速度这几种可行的改善晶界电导的方法。
关键词
偏析
氧化锆晶体
晶界电导
稳定剂
SI02
晶粒尺寸
烧结条件
掺杂
降温速度
空间电荷层
下载PDF
职称材料
题名
偏析对氧化锆晶界电导的影响及提高晶界电导的几种方法
被引量:
1
1
作者
利明
陈宗璋
向蓝翔
罗上庚
机构
湖南大学化学化工学院
中国原子能研究院
出处
《硅酸盐通报》
CAS
CSCD
2004年第3期77-80,93,共5页
基金
湖南省科技厅基金项目(00GKY1011-1)
文摘
综合评述了稳定剂和杂质SiO2偏析的原理,偏析对晶界电导的影响,分析了偏析与晶粒尺寸大小关系的2种不同观点,介绍了改变烧结条件、掺杂Al2O3、加压、提高降温速度这几种可行的改善晶界电导的方法。
关键词
偏析
氧化锆晶体
晶界电导
稳定剂
SI02
晶粒尺寸
烧结条件
掺杂
降温速度
空间电荷层
Keywords
zirconia
segregation
grain boundary
space
charge
layer
分类号
TM24 [一般工业技术—材料科学与工程]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
偏析对氧化锆晶界电导的影响及提高晶界电导的几种方法
利明
陈宗璋
向蓝翔
罗上庚
《硅酸盐通报》
CAS
CSCD
2004
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