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题名硒化锌晶片抛光的研究
被引量：2
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作者
董云娜
曹淑云
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机构
天津西美科技有限公司
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出处
《金刚石与磨料磨具工程》
CAS
2016年第1期83-86,共4页
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文摘
采用化学机械抛光(CMP)的方法,使用自主研发的氧化铝抛光液作为研磨介质,通过对硒化锌(ZnSe)晶片进行抛光实验,得出了氧化铝磨粒的粒度尺寸、抛光液的pH值、氧化剂种类及质量分数对ZnSe晶片表面状态和去除率的影响。实验结果表明:氧化铝抛光液适宜ZnSe晶片的抛光,采用质量分数15%的氧化铝抛光液(氧化铝粒度尺寸200nm),加入质量分数3%的次氯酸钠浸泡24h,抛光液的pH值为8,试验结果较佳,此时去除率可达2μm/min,晶片表面平整无划痕,表面质量较理想。
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关键词
硒化锌晶片
抛光
去除率
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Keywords
zinc selenide wafer
polishing
removal rate
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分类号
TG58
[金属学及工艺—金属切削加工及机床]
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