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N、Zn离子注入GaAs_(1-x)P_x(x=0.39)的研究补充
1
《发光学报》
EI
CAS
1979年第Z1期114-116,共3页
关于N、Zn离子注入GaAs1-xPx的阴极萤光及电特性的测量在正文中已经做了介绍。在这里我们再小结一下器件制造结果。 对于N注入GaAs1-xPx中的电致发光情况,我们做的工作不多。在这里只就最近所做二批器件的情况做一个小结。
关键词
GAAS
x
=0.
39
离子注入
离子掺杂
发光强度
光强
x
x
)P_
x
Zn
下载PDF
职称材料
题名
N、Zn离子注入GaAs_(1-x)P_x(x=0.39)的研究补充
1
机构
北京师范大学低能所
北京有色所
中国科学院半导体所
出处
《发光学报》
EI
CAS
1979年第Z1期114-116,共3页
文摘
关于N、Zn离子注入GaAs1-xPx的阴极萤光及电特性的测量在正文中已经做了介绍。在这里我们再小结一下器件制造结果。 对于N注入GaAs1-xPx中的电致发光情况,我们做的工作不多。在这里只就最近所做二批器件的情况做一个小结。
关键词
GAAS
x
=0.
39
离子注入
离子掺杂
发光强度
光强
x
x
)P_
x
Zn
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
N、Zn离子注入GaAs_(1-x)P_x(x=0.39)的研究补充
《发光学报》
EI
CAS
1979
0
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