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基于半绝缘SiC衬底GaN HEMT体陷阱的效应分析
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作者 牛梓戌 《电子技术（上海）》 2024年第3期1-3,共3页
阐述采用背栅测试来表征GaN-on-SiC HEMT的体陷阱效应,过程中分别表现出两段式特征,分别对应Ⅲ族氮化物缓冲层以及半绝缘SiC衬底的加压过程。另外在Silvaco TCAD平台搭建相应的物理模型,仿真体陷阱效应以及在不同衬底电压下的电势分布。
关键词 GaN HEMTs 半绝缘SiC衬底 背栅测试 体陷阱效应建模 电流坍塌 外延优化
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