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基于深沟槽单次外延工艺超级结MOS器件耐压提升与优化
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作者 田俊 付振 +3 位作者 张泉 肖超 张文敏 王悦 《集成电路与嵌入式系统》 2024年第6期46-54,共9页
介绍了超级结MOS器件的一种主流工艺—深沟槽单次外延工艺,详细介绍了该工艺的工艺流程及特点。基于超级结MOS器件的电荷平衡原理,分析不同P柱浓度条件下器件击穿电压(Breakdown Voltage)的变化规律,揭示击穿电压(BV)偏低的原因,提出一... 介绍了超级结MOS器件的一种主流工艺—深沟槽单次外延工艺,详细介绍了该工艺的工艺流程及特点。基于超级结MOS器件的电荷平衡原理,分析不同P柱浓度条件下器件击穿电压(Breakdown Voltage)的变化规律,揭示击穿电压(BV)偏低的原因,提出一种改善方案,最终通过实验验证该方案的可行性。 展开更多
关键词 超级结MOS 电荷平衡 深沟槽 P柱宽度调整 耐压bv
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