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高频宽调节范围压控振荡器设计研究 被引量：2
1
作者 吴婕 孟桥 《电子器件》 CAS 2008年第2期604-606,611,共4页
设计了一种基于0.18μm CMOS工艺模型的超高频宽调节范围的压控振荡器。系统采用3级环形压控振荡器结构,每级采用调节尾电流的方式,实现了2.5GHz至5GHz以上的高频宽调节范围。系统在输出频率为5GHz时,在5MHz频偏处的相位噪声为-89.26dBc... 设计了一种基于0.18μm CMOS工艺模型的超高频宽调节范围的压控振荡器。系统采用3级环形压控振荡器结构,每级采用调节尾电流的方式,实现了2.5GHz至5GHz以上的高频宽调节范围。系统在输出频率为5GHz时,在5MHz频偏处的相位噪声为-89.26dBc/Hz。此次设计的压控振荡器可广泛应用于各种嵌入式系统或ADC中,为其提供在大范围内可调节的时钟。 展开更多
关键词 压控振荡器 环形振荡器 宽调频范围 高工作频率 CMOS
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InP DHBT 准单片压控振荡器的设计 被引量：2
2
作者 沈一鸣 陈鹏鹏 +2 位作者 程伟 张君直 黄港膑 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2019年第4期254-258,共5页
设计了一款K波段准单片压控振荡器.其中负阻电路部分采用1.6μm InP DHBT工艺,以单片形式制作,谐振电路及变容管外置,键合引线形式连接负阻单片.当电源电压4V、调谐电压0~15V时,该电路输出频率为17.97~20.13GHz,输出功率大于2dBm,工作电... 设计了一款K波段准单片压控振荡器.其中负阻电路部分采用1.6μm InP DHBT工艺,以单片形式制作,谐振电路及变容管外置,键合引线形式连接负阻单片.当电源电压4V、调谐电压0~15V时,该电路输出频率为17.97~20.13GHz,输出功率大于2dBm,工作电流18mA.当调谐电压13V、输出频率19.95GHz时,相位噪声达到-90.1dBc/Hz@100kHz. 展开更多
关键词 K波段 准单片 压控振荡器 InP双异质结晶体管
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126.6～128.1 GHz基波压控振荡器设计 被引量：1
3
作者 苏国东 孙玲玲 +3 位作者 王翔 王尊峰 张胜洲 雷宇超 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第9期1788-1795,共8页
采用65 nm CMOS工艺,设计一款基波压控振荡器(VCO).采用负阻单元的寄生电容与用户自定义电感形成VCO的电感-电容(LC)谐振网络.采用交叉耦合对管作为VCO的负阻单元,维持VCO的稳定输出信号.通过控制尾电流管的偏置电压大小调节交叉耦合管... 采用65 nm CMOS工艺,设计一款基波压控振荡器(VCO).采用负阻单元的寄生电容与用户自定义电感形成VCO的电感-电容(LC)谐振网络.采用交叉耦合对管作为VCO的负阻单元,维持VCO的稳定输出信号.通过控制尾电流管的偏置电压大小调节交叉耦合管的寄生电容,从而实现输出频率的调谐. VCO输出缓冲器(buffer)采用共源-共栅(Cascode)结构以减小负载电阻对电路振荡的影响.所设计的片上变压器实现了差分信号转单端信号功能,并与传输线、地-信号-地(GSG)焊盘实现了VCO输出匹配.测试结果表明,电路的输出频率范围为126.6~128.1 GHz,调谐范围为1.5 GHz.当电路工作频率为127.2 GHz时,输出功率为–26.8 dBm,偏频为1 MHz处相位噪声的仿真值为–86.3 dBc/Hz.该电路的芯片面积为405μm×440μm. 展开更多
关键词 压控振荡器(vco) LC谐振槽 交叉耦合对管 共源共栅结构 片上变压器 传输线 GSG焊盘
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宽带HBT VCO单片电路的设计和制作 被引量：1
4
作者 陈凤霞 蔡文胜 +1 位作者 戚伟 李远鹏 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期8-13,共6页
针对传统采用的VCO设计理论,分析了VCO的基本结构及其工作原理,分析了负阻法和反馈法的优缺点,采用虚地法对VCO电路进行了分析和设计,从而简化了VCO的设计。同时利用EDA工具对微波宽带VCO单片电路进行优化和仿真,采用多种方法提高芯片... 针对传统采用的VCO设计理论,分析了VCO的基本结构及其工作原理,分析了负阻法和反馈法的优缺点,采用虚地法对VCO电路进行了分析和设计,从而简化了VCO的设计。同时利用EDA工具对微波宽带VCO单片电路进行优化和仿真,采用多种方法提高芯片性能。基于HBT工艺,设计出了宽带、低相位噪声的VCO单片电路,芯片工作电压为5V,工作电流为50～58mA,VCO振荡频率为3.2～6.2GHz,相噪为-73dBc/Hz@10kHz,输出功率11～14dBm。同时还阐述了采用片上外加变容管的优缺点以及改进方法。 展开更多
关键词 压控振荡器 频率 虚地 负阻 异质结双极晶体管
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高压测量用电光发射回路的仿真设计 被引量：1
5
作者 赵中原 方志 +2 位作者 邱毓昌 冯建强 王建生 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2001年第6期4-5,10,共3页
利用OrCAD软件对电光发射电路进行了仿真设计 ,给出了电路的方波响应和频谱特性。实验结果表明 ,该发射电路具有良好的工作线性度和稳定性。
关键词 高压测量 电光发射回路 仿真 设计
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多相位低相位噪声5GHz压控振荡器的设计
6
作者 赵海兵 王志功 +2 位作者 陈莹梅 章丽 熊明珍 《电子器件》 CAS 2005年第1期164-166,共3页
采用TSMC 0.18μmCMOS工艺实现了全差分相位差为 450 的 LC低相位噪声环形压控振荡器电路。芯片面积 1.05 mm×1.00 mm。当仅对差分输出振荡信号的一端进行测试时, 自由振荡频率为5.81 GHz, 在5 MHz频偏处的相位噪声为-101.62 dBc/Hz。
关键词 压控振荡器(vco) 环形振荡器 CMOS工艺
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多带超宽带OFDM系统射频频率合成器的研制
7
作者 田玲 朱红兵 洪伟 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期21-25,共5页
针对通信系统中使用的传统锁相式频率合成器难同步的缺点,提出了采用直接数字频率合成器(DDS)和锁相环(PLL)技术设计应用于多带一正交频分复用超宽带(MB-OFDM UWB)系统的射频频率合成器方案,并研制了用于试验的合成器。该方案可有效解... 针对通信系统中使用的传统锁相式频率合成器难同步的缺点,提出了采用直接数字频率合成器(DDS)和锁相环(PLL)技术设计应用于多带一正交频分复用超宽带(MB-OFDM UWB)系统的射频频率合成器方案,并研制了用于试验的合成器。该方案可有效解决系统射频电路的同步问题,提高频率分辨率,降低相位噪声,改善载波频偏对 OFDM 系统影响,提高系统性能,同时还可以降低基带算法的复杂度。仿真与测试结果表明,该频率合成器指标满足 MB-OFDM UWB 系统要求,可应用于实用系统中。 展开更多
关键词 超宽带 频率合成器 有源低通滤波器 直接数字频率合成器 电压控制振荡器
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