温度对第Ⅱ类哑铃畴畴长的影响

1

作者 孙会元 韩志勇 +2 位作者 乔伟番 胡海宁 聂向富 《河北科技大学学报》 CAS 2000年第2期1-3,12,共4页

详细测量了第Ⅱ类哑铃畴在条泡转变标准场Ｈ＇ｓｂ和硬泡标准场Ｈ＇０处畴长Ｌ随温度的变化关系，证明了第Ⅱ类哑铃畴畴壁中垂直布洛赫线间平衡间距Ｓｅｑ随温度的升高而增大。

关键词 哑铃畴 垂直布洛赫线 磁畴壁 温度 薄膜

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直流偏场和面内场联合作用下第Ⅰ类哑铃畴壁内VBLs的稳定性

2

作者 王丽娜 吴佺 +1 位作者 聂向富 郭革新 《河北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2005年第4期354-356,共3页

研究了直流偏场和面内场联合作用下,液相外延石榴石磁泡膜中第Ⅰ类哑铃畴(ID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的稳定性.发现,室温时在Hb和Hip的共同作用下,当Hb>H′sb时,ID的剩余率将在某一面内场Hip下迅速下降,即ID畴壁内VBL在某一Hip迅速... 研究了直流偏场和面内场联合作用下,液相外延石榴石磁泡膜中第Ⅰ类哑铃畴(ID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的稳定性.发现,室温时在Hb和Hip的共同作用下,当Hb>H′sb时,ID的剩余率将在某一面内场Hip下迅速下降,即ID畴壁内VBL在某一Hip迅速丢失.随着Hb上升这种下降的趋势越容易发生,并变得更剧烈.通过观察证实,这种下降的趋势与ID的自收缩有关.由此可知,在Hip和Hb的共同作用下ID畴壁中的VBLs丢失的过程中,自收缩起着重要的作用. 展开更多

关键词 垂直布洛赫线 第Ⅰ类哑铃畴 直流偏场 面内场

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对面内场作用下硬磁畴壁中垂直布洛赫线链解体方式的探讨

3

作者 孙会元 聂向富 郭革新 《河北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1995年第S1期147-149,157,共4页

通过对哑铃畴在面内场作用下自缩泡现象的研究，发现面内场作用下垂直布洛赫线链的解体与哑铃畴在面内场中的位置有关。当哑铃畴与面内场垂直时．其畴壁中的垂直布洛赫线最容易消失，当哑铃畴与面内场平行时，其畴壁中的垂直布洛赫线最... 通过对哑铃畴在面内场作用下自缩泡现象的研究，发现面内场作用下垂直布洛赫线链的解体与哑铃畴在面内场中的位置有关。当哑铃畴与面内场垂直时．其畴壁中的垂直布洛赫线最容易消失，当哑铃畴与面内场平行时，其畴壁中的垂直布洛赫线最难消失。 展开更多

关键词 哑铃畴 垂直布洛赫线 磁畴壁

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硬磁泡临界面内场的重新测定 被引量：3

4

作者 顾建军 杨素娟 +1 位作者 封顺珍 孙会元 《河北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2006年第6期650-651,664,共3页

实验找到了一种准确测量OHB临界软化面内场的方法,用这种经过改进的方法测量时,在面内场软化的起始值,OHB就会有较高的软化率,实验观察非常方便.同时,也证明了在临界面内场Hi(p1)时开始丢失VBL的OHB对应的是那些含VBL较少的OHB.

关键词 临界面内场 硬磁泡 垂直布洛赫线

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垂直布洛赫线间静磁相互作用探讨

5

作者 唐贵德 胡海宁 +1 位作者 孙会元 聂向富 《哈尔滨师范大学自然科学学报》 CAS 2001年第4期101-112,共12页

本文以实验现象为基础 ,利用相邻布洛赫线间的静磁作用能 ,改进圆柱形硬磁畴的畴壁能公式 ,公式中只使用了一个由实验数据拟合而确定的参数 c.由一个典型样品得到的参数 c,用于其它几个样品计算时 ,所得数据都与实验数据符合较好 .从而... 本文以实验现象为基础 ,利用相邻布洛赫线间的静磁作用能 ,改进圆柱形硬磁畴的畴壁能公式 ,公式中只使用了一个由实验数据拟合而确定的参数 c.由一个典型样品得到的参数 c,用于其它几个样品计算时 ,所得数据都与实验数据符合较好 .从而使一些多年来一直不能解释的硬磁畴在直流偏磁场下的行为得到了统一的解释 ,特别是成功地解释了硬磁畴的一些温度特性 ,并首次提出垂直布洛赫线元模型 。 展开更多

关键词 磁泡 磁畴壁 布洛赫线 垂直布洛赫线元 静磁相互作用 静磁作用能

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源自软磁畴段的布洛赫线链行为研究

6

作者 韩宝善 《物理》 北大核心 2017年第6期352-360,共9页

在从1967-1992年连续25年研制固态磁存储器的故事中,中国没有缺席。1970年代初,中国科学院物理研究所磁学室磁泡组11个人从生长基片单晶,制备单晶磁泡薄膜和进行磁泡测量三方面开始磁泡材料的研制。当时文章作者负责测量,设计制作了磁... 在从1967-1992年连续25年研制固态磁存储器的故事中,中国没有缺席。1970年代初,中国科学院物理研究所磁学室磁泡组11个人从生长基片单晶,制备单晶磁泡薄膜和进行磁泡测量三方面开始磁泡材料的研制。当时文章作者负责测量,设计制作了磁泡测量装置。为了表征磁泡薄膜,发现了含有"一盘"软磁畴段的H图形,并找到了"脉冲偏磁场作用下硬磁泡的形成"的研究课题。这使作者在1980年代初经受住了磁泡下马的冲击,迎来了1983年布洛赫线存储器方案的提出,发觉已具有研究其机理的条件,最终成为该存储器的终结者,并在1991年国际J.Mag.Mag.Mater.杂志第100纪念卷中荣幸地为"China"占了一席之地。从1992年以来,时间又过去了25年,但活生生的磁泡总在,当年报废的磁泡测量装置已经更新。盼望大学生和刚入门的研究者喜欢这台能显示赏心悦目的磁泡畴运动,能生动阐述铁磁学物理基础的研究导向性的物理实验设备。 展开更多

关键词 石榴石磁泡薄膜 磁泡 磁泡存储器 布洛赫线链 布洛赫线存储器

原文传递

面内场对枝状畴形成的IID畴壁中VBL链的影响 被引量：1

7

作者 顾建军 李秀玲 +1 位作者 张丽娇 孙会元 《河北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2004年第6期590-592,共3页

实验研究了面内场作用下枝状畴形成的第2类哑铃畴(IID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)链的解体过程.发现存在一个与材料参量有关的临界面内场范围[H(0)ip对应IID畴壁中垂直布洛赫ip,H(1)ip],其中H(0)线链保持稳定的最大临界面内场,H(1)ip对应... 实验研究了面内场作用下枝状畴形成的第2类哑铃畴(IID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)链的解体过程.发现存在一个与材料参量有关的临界面内场范围[H(0)ip对应IID畴壁中垂直布洛赫ip,H(1)ip],其中H(0)线链保持稳定的最大临界面内场,H(1)ip对应IID畴壁中垂直布洛赫线链完全解体的最小临界面内场.此外,实验发现不同低直流偏场下产生的枝状畴在面内场作用下的软化过程相同,且在这个临界面内场范围内畴壁中的VBL是逐步丢失的.同时实验结果也证明了枝状畴畴壁中VBL是随机分布的. 展开更多

关键词 临界面内场 垂直布洛赫线 VBL 哑铃畴 直流偏场 随机分布 证明 过程 最大 范围

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面内场对第Ⅰ类哑铃畴“切尾”后畴壁内VBLs解体的影响 被引量：1

8

作者 王丽娜 郭革新 聂向富 《河北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2006年第3期290-292,共3页

实验研究了直流偏场(Hb)和面内场(Hip)联合作用下,液相外延石榴石磁泡薄膜中第Ⅰ类哑铃畴(ID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的解体.通过实验得到了3个重要的面内场Hi(p1),Hip*和Hi(p2).通过“切尾”实验可以证明面内场对垂直布洛赫线链(VBLs... 实验研究了直流偏场(Hb)和面内场(Hip)联合作用下,液相外延石榴石磁泡薄膜中第Ⅰ类哑铃畴(ID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的解体.通过实验得到了3个重要的面内场Hi(p1),Hip*和Hi(p2).通过“切尾”实验可以证明面内场对垂直布洛赫线链(VBLs)的丢失有影响;而VBLs的丢失又影响到了ID的行为. 展开更多

关键词 垂直布洛赫线 第Ⅰ类哑铃畴 直流偏场 面内场 “切尾”

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立方磁晶各向异性对面内场下硬磁畴的影响 被引量：1

9

作者 尹世忠 孙会元 《河北科技大学学报》 CAS 北大核心 2009年第3期193-196,共4页

实验研究了立方磁晶各向异性对面内场作用下非压缩状态的三类硬磁畴(普通硬磁泡(OHB)、第Ⅰ类哑铃畴(ID)和第Ⅱ类哑铃畴(IID))畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的影响,发现对应于垂直布洛赫线消失的临界面内场的数值变化与磁畴消失场的数值变化... 实验研究了立方磁晶各向异性对面内场作用下非压缩状态的三类硬磁畴(普通硬磁泡(OHB)、第Ⅰ类哑铃畴(ID)和第Ⅱ类哑铃畴(IID))畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的影响,发现对应于垂直布洛赫线消失的临界面内场的数值变化与磁畴消失场的数值变化规律相反,且该临界面内场的变化呈六重对称性。此外,发现立方磁晶各向异性对垂直布洛赫线消失的临界面内场的影响很小。 展开更多

关键词 临界面内场 硬磁泡 垂直布洛赫线

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温度对ID畴壁内VBL解体临界面内场的影响

10

作者 刘素平 徐建萍 聂向富 《河北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2004年第1期32-34,38,共4页

实验研究了温度和面内场共同作用下,液相外延石榴石磁泡膜中第I类哑铃畴(ID)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)的稳定性.发现,从室温到T0范围内的任一不同温度下,ID畴壁中VBL的解体都存在一临界面内场范围[H(1)ipip(T)<Hip<H(2)ip(T),H(2)i... 实验研究了温度和面内场共同作用下,液相外延石榴石磁泡膜中第I类哑铃畴(ID)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)的稳定性.发现,从室温到T0范围内的任一不同温度下,ID畴壁中VBL的解体都存在一临界面内场范围[H(1)ipip(T)<Hip<H(2)ip(T),H(2)ip(T)],当Hip<H(1)ip(T)时,ID畴壁中VBL数目不变;当H(1)(T)时,ID畴壁中VBL逐渐丢失,且随面内场Hip的增大,VBL丢失得越来越多;当Hip>H(2)ip(T)时,VBL完全丢失.面内场范围[H(1)ip(T)也分别随温度的升高ip(T),H(2)ip(T)]随温度的升高而减小,其中H(1)ip(T),H(2)而变小,并分别在T(1)0和T0处减小为0. 展开更多

关键词 垂直布洛赫线 VBL 临界面内场 临界温度 第1类哑铃畴 ID畴壁 液相外延石榴石磁泡膜

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面内场对3类硬磁畴畴壁中VBLs稳定性的影响

11

作者 李秀玲 王丽娜 +1 位作者 郭革新 李静 《河北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2007年第2期188-190,199,共4页

实验研究了直流偏场(Hb)下,面内场(Hip)对液相外延石榴石磁泡薄膜的硬磁畴壁中垂直布洛赫线(VBL)稳定性的影响.研究发现,室温时3类硬磁畴壁中VBLs的解体都存在一个临界面内场范围[Hi(p1),Hi(p2)],其中Hi(p1)是硬磁畴壁中VBL开始丢失时... 实验研究了直流偏场(Hb)下,面内场(Hip)对液相外延石榴石磁泡薄膜的硬磁畴壁中垂直布洛赫线(VBL)稳定性的影响.研究发现,室温时3类硬磁畴壁中VBLs的解体都存在一个临界面内场范围[Hi(p1),Hi(p2)],其中Hi(p1)是硬磁畴壁中VBL开始丢失时面内场,Hi(p2)是VBL完全丢失时的面内场Hip及Hip*为剩余率降至0时的Hip值.在相同的Hb下(Hi(p1))IID<(H(ip1))ID<(Hi(p1))OHB;(Hi(p2))IID=(Hi(p2))ID=(Hi(p2))OHB.在不同的Hb下,临界面内场Hi(p1)和Hip*以及范围[Hi(p1),Hi*p]都随着Hb的增加而减小或变窄. 展开更多

关键词 垂直布洛赫线 直流偏场 面内场

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脉冲偏场作用下石榴石磁泡薄膜中布洛赫线的形成 被引量：6

12

作者 胡云志 孙会元 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期5256-5260,共5页

实验研究了石榴石磁泡薄膜中不同脉冲宽度下产生的硬磁畴的动态特性.结果表明:由零偏场下产生的枝状畴收缩而成的哑铃畴均逆时针转动,与产生枝状畴时所用的脉冲偏场的脉冲宽度无关.而固定直流偏场下由软畴段硬化而成的哑铃畴的转动状态... 实验研究了石榴石磁泡薄膜中不同脉冲宽度下产生的硬磁畴的动态特性.结果表明:由零偏场下产生的枝状畴收缩而成的哑铃畴均逆时针转动,与产生枝状畴时所用的脉冲偏场的脉冲宽度无关.而固定直流偏场下由软畴段硬化而成的哑铃畴的转动状态,则与所用的硬化脉冲偏场的脉冲宽度有关.低脉冲宽度下硬化成的哑铃畴均逆时针转动,随硬化脉冲宽度的升高,出现混合转动向顺时针转动的过渡.由此揭示了直流偏场和脉冲偏场在石榴石磁泡薄膜中形成正、负垂直布洛赫线的作用. 展开更多

关键词 磁畴 磁泡 垂直布洛赫线

原文传递

磁性材料展望 被引量：1

13

作者 刘大均 华瑛 《上海金属》 CAS 1996年第4期41-44,共4页

根据现代营销学理论，阐述了磁性材料的未来发展。重点探讨了三个方面的内容：垂直布洛赫线，有可能研制出超高密度存贮器；磁性宏观量子隧道效应，有可能将现在的电子计算机发展成尺寸最小的量子计算机及近室温磁制冷技术，有可能取代... 根据现代营销学理论，阐述了磁性材料的未来发展。重点探讨了三个方面的内容：垂直布洛赫线，有可能研制出超高密度存贮器；磁性宏观量子隧道效应，有可能将现在的电子计算机发展成尺寸最小的量子计算机及近室温磁制冷技术，有可能取代破坏大气臭氧层的氟利昂。 展开更多

关键词 营销学 磁性材料 布洛赫线 磁制冷 发展

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面内场对三类硬磁畴的影响 被引量：4

14

作者 胡云志 孙会元 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期1242-1245,共4页

采用直流偏场整形的方法,研究了面内场对石榴石磁泡薄膜中三类硬磁畴的影响.得到面内场作用下三类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线(VBL)是逐步解体的,而且三类硬磁畴具有相同的临界面内场范围[Hi1p,Hi2p],其中Hi1p是硬磁畴中VBL开始丢失时的... 采用直流偏场整形的方法,研究了面内场对石榴石磁泡薄膜中三类硬磁畴的影响.得到面内场作用下三类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线(VBL)是逐步解体的,而且三类硬磁畴具有相同的临界面内场范围[Hi1p,Hi2p],其中Hi1p是硬磁畴中VBL开始丢失时的临界面内场,H2ip是VBL完全丢失时的最小临界面内场.实验结果还揭示了面内场作用下VBL链的解体与硬磁畴的硬度无关,为解释面内场作用下VBL的消失机制提供了重要线索.此外,还为准确测量VBL的临界面内场提供了一种新方案. 展开更多

关键词 硬磁畴 整形 垂直布洛赫线

原文传递

脉冲偏场对形成正、负VBL的影响 被引量：1

15

作者 孙会元 聂向富 刘子军 《河北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1995年第3期39-41,共3页

实验研究了哑铃畴在固定旋转脉冲偏场作用下的特性，发现了影响正、负ＶＢＬ形成的条件，对于固定直流偏场下得到的硬磁畴，认为正、负ＶＢＬ的形成，只与硬化脉冲偏场的脉冲宽度（τｐ）ｂ有关。

关键词 垂直布洛赫线 哑铃畴 畴壁 硬化偏场 硬磁畴

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三类硬磁畴畴壁结构分析

16

作者 孙会元 李志青 聂向富 《河北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1996年第2期31-33,60,共4页

实验研究了硬磁畴在不同温度下的静态性质，发现具有相同数目ＶＢＬ的硬碰畴在不同温度下的存在形式不一定相同，从而揭示了三类硬磁畴畴壁结构的一致性，证明了直流偏场作用下硬磁畴缩灭时ＶＢＬ间的平衡间距随温度的升高而增大。

关键词 垂直布洛赫线 硬磁泡 哑铃畴 磁畴 畴壁结构

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温度和面内场联合作用下软畴段的行为 被引量：2

17

作者 顾建军 李春光 +2 位作者 岂云开 郑文礼 孙会元 《四川师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期786-789,共4页

实验研究了温度和面内场共同作用下软畴段的行为.实验发现:面内场对软畴段的条泡转变场Hsb和软泡缩灭场H0有很大影响,而且Hsb和H0的变化与晶向有关.比较不同温度下、不同晶向上的结果,得到了与磁泡参量相关的分界面内场(Hip)d,不同温度... 实验研究了温度和面内场共同作用下软畴段的行为.实验发现:面内场对软畴段的条泡转变场Hsb和软泡缩灭场H0有很大影响,而且Hsb和H0的变化与晶向有关.比较不同温度下、不同晶向上的结果,得到了与磁泡参量相关的分界面内场(Hip)d,不同温度下的软畴段对应着不同的(Hip)d,而且(Hip)d随着温度的升高而降低,在低温下,分界面内场(Hip)d是饱和磁化强度4πMs的2倍. 展开更多

关键词 软畴段 分界面内场 垂直布洛赫线

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直流偏磁场对三类硬磁畴畴壁长度的影响

18

作者 唐贵德 赵白 +4 位作者 李燕 张民 潘成福 孙会元 聂向富 《南开大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期67-69,共3页

在不同的直流偏磁场Ｈｂ下，测量了石榴石磁泡膜中三类硬磁畴长度（Ｌ）、宽度（Ｗ）和泡径（ｄ）．从而得到Ｌ、Ｗ和ｄ随Ｈｂ变化的曲线．结果表明，三类硬磁畴的畴壁长度都随Ｈｂ的增加而缩短．

关键词 磁泡膜 硬磁畴 直流偏磁场 畴壁长度

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面内磁场和直流偏磁场共同作用下第Ⅱ类哑铃畴的稳定性 被引量：1

19

作者 唐贵德 孙会元 +2 位作者 聂向富 王洪信 赵白 《南开大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期50-54,共5页

实验研究了面内磁场Hip对处于直流偏磁场Hb作用下的第Ⅱ类哑铃畴（ⅡD）的稳定性的影响．发现当Hb小于阈值（Hb）tb时，使ⅡD向其它种类硬磁畴或软泡转变的临界面内磁场不随Hb而改变；当Hb大于（Hb）th时，临界面内磁场开始下降．

关键词 稳定性 硬磁畴 第Ⅱ类 哑铃畴 面内磁场

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3类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线的温度稳定性 被引量：2

20

作者 郭革新 马丽梅 +2 位作者 唐贵德 孙会元 聂向富 《河北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2003年第4期357-359,共3页

研究了温度作用下 3类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线 (VBL)的消失过程 ,发现和证实了普通硬磁泡 (OHBs) ,第I类哑铃畴 (IDs)和第II类哑铃畴 (IIDs)都存在一个与材料参量有关的VBL解体的临界温度范围 .对同一样品而言 ,3类硬磁畴的起始临界... 研究了温度作用下 3类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线 (VBL)的消失过程 ,发现和证实了普通硬磁泡 (OHBs) ,第I类哑铃畴 (IDs)和第II类哑铃畴 (IIDs)都存在一个与材料参量有关的VBL解体的临界温度范围 .对同一样品而言 ,3类硬磁畴的起始临界温度是相同的 ,而VBL完全解体的最低温度却是依次增加的 .在临界温度范围内 ,3类硬磁畴畴壁中的VBL是不稳定的 。 展开更多

关键词 硬磁畴 普通硬磁泡 哑铃畴 畴壁 垂直布洛赫线 温度稳定性 临界温度

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