CeO_2掺杂引起SnO_2压敏电阻的晶粒尺寸效应 被引量：5

1

作者 滕树新 王矜奉 +3 位作者 陈洪存 苏文斌 臧国忠 高建鲁 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2003年第11期31-34,共4页

研究了掺CeO2对SnO2Co2O3Ta2O5压敏电阻器性能的影响。研究发现:随着x(CeO2)从0增加到1%,压敏电压从190 V/mm增加到205 V/mm,相对介电常数从3 317减小到2 243,晶粒平均尺寸从12.16 mm减小到6.23 mm,在晶界上的Ce4+阻碍了SnO2晶粒的生... 研究了掺CeO2对SnO2Co2O3Ta2O5压敏电阻器性能的影响。研究发现:随着x(CeO2)从0增加到1%,压敏电压从190 V/mm增加到205 V/mm,相对介电常数从3 317减小到2 243,晶粒平均尺寸从12.16 mm减小到6.23 mm,在晶界上的Ce4+阻碍了SnO2晶粒的生长。为了解释样品电学非线性性质的起源,笔者提出了SnO2Co2O3Ta2O5CeO2晶界缺陷势垒模型。同时,对该压敏电阻器进行了等效电路分析,试验测量与等效电路分析结果相符。 展开更多

关键词 压敏材料 二氧化锡 电学性能 缺陷势垒模型

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Nb掺杂对ZnO压敏陶瓷电学性能的影响 被引量：7

2

作者 臧国忠 王矜奉 +4 位作者 陈洪存 苏文斌 王文新 王春明 亓鹏 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2004年第6期457-459,共3页

研究了Nb2O5对ZnO压敏材料电学性能的影响。当x(Nb2O5)从0增加到1%时,ZnO压敏电阻的击穿电压从209V/mm降至0.70V/mm,40Hz时,样品电阻从0.21MΩ降至48.3Ω,1kHz时的相对介电常数从831增大到42200。晶界势垒高度测量表明:在实验范围内,Nb... 研究了Nb2O5对ZnO压敏材料电学性能的影响。当x(Nb2O5)从0增加到1%时,ZnO压敏电阻的击穿电压从209V/mm降至0.70V/mm,40Hz时,样品电阻从0.21MΩ降至48.3Ω,1kHz时的相对介电常数从831增大到42200。晶界势垒高度测量表明:在实验范围内,Nb对势垒高度的影响较小。ZnO晶粒的变大是压敏电压急剧降低和介电常数增大的主要原因。对Nb掺杂量的增加引起样品阻抗减小的根源进行了解释。 展开更多

关键词 ZNO 压敏材料 势垒 晶界

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Na掺杂对ZnO压敏材料电学性能的影响 被引量：5

3

作者 臧国忠 王矜奉 +4 位作者 陈洪存 苏文斌 王文新 王春明 亓鹏 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2003年第9期17-18,21,共3页

研究了Na2CO3对ZnO压敏材料电学性能的影响。当掺入的Na2CO3之摩尔分数x从0增加到0.2%时,ZnO压敏材料的击穿电压从209 V/mm增加到934 V/mm,1 kHz时的相对介电常数从1 158降到57。晶界势垒高度测量表明:在实验范围内,Na对势垒高度的影响... 研究了Na2CO3对ZnO压敏材料电学性能的影响。当掺入的Na2CO3之摩尔分数x从0增加到0.2%时,ZnO压敏材料的击穿电压从209 V/mm增加到934 V/mm,1 kHz时的相对介电常数从1 158降到57。晶界势垒高度测量表明:在实验范围内,Na对势垒高度的影响较小。ZnO晶粒的变小是压敏电压急剧升高和介电常数减小的主要原因。对Na2CO3掺杂量的增加引起ZnO晶粒减小的原因进行了解释。 展开更多

关键词 氧化锌 压敏材料 钠掺杂 势垒 晶界

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Fe_2O_3掺杂对ZnO-Pr_6O_(11)系压敏电阻材料电学性能的影响 被引量：7

4

作者 臧延旭 彭志坚 +3 位作者 王成彪 付志强 齐龙浩 苗赫濯 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期1406-1410,共5页

通过烧结法制备了Fe2O3掺杂的ZnO–Pr6O11压敏电阻材料,研究了Fe2O3掺杂量对ZnO–Pr6O11系压敏电阻材料电学性能的影响。实验表明:当Fe2O3掺杂量小于0.005%(摩尔分数,下同)时,ZnO–Pr6O11系压敏电阻材料的非线性系数和压敏电压随Fe2O3... 通过烧结法制备了Fe2O3掺杂的ZnO–Pr6O11压敏电阻材料,研究了Fe2O3掺杂量对ZnO–Pr6O11系压敏电阻材料电学性能的影响。实验表明:当Fe2O3掺杂量小于0.005%(摩尔分数,下同)时,ZnO–Pr6O11系压敏电阻材料的非线性系数和压敏电压随Fe2O3掺杂量增大而逐渐提高。当Fe2O3掺杂量为0.005%时,压敏电压达到最大值571V/mm,非线性系数达到最大值26。当Fe2O3掺杂量大于0.005%时,非线性系数和压敏电压均急剧下降。过量Fe2O3使ZnO压敏电阻材料非线性下降的主要原因是:Fe元素偏析在晶界处,提供额外载流子降低了晶界电阻率,同时晶界处PrFeO3相的堆积会破坏晶界结构,从而影响压敏电阻材料的电学性能。 展开更多

关键词 氧化锌 压敏电阻材料 氧化铁 掺杂 电学性能

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TiO_2掺杂导致的SnO_2压敏陶瓷晶粒尺寸效应 被引量：3

5

作者 明保全 王矜奉 +3 位作者 陈洪存 苏文斌 臧国忠 高建鲁 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期20-22,27,共4页

研究了TiO2掺杂对SnO2-Co2O3-Nb2O5系压敏陶瓷材料电学性能的影响。掺入x(TiO2)为1.00%的陶瓷样品具有最高的密度(r = 6.82 g/cm3),最高的视在势垒电场(EB= 476 V/mm),最高的非线性系数(a = 11.0),最小的相对介电常数。未掺杂的样品阻... 研究了TiO2掺杂对SnO2-Co2O3-Nb2O5系压敏陶瓷材料电学性能的影响。掺入x(TiO2)为1.00%的陶瓷样品具有最高的密度(r = 6.82 g/cm3),最高的视在势垒电场(EB= 476 V/mm),最高的非线性系数(a = 11.0),最小的相对介电常数。未掺杂的样品阻抗最大。随TiO2掺杂量的增加晶粒逐渐变小,晶粒尺寸的减小归因于未固溶于SnO2晶格而偏析在晶界上的TiO2阻碍相邻SnO2晶粒融合。为了解释SnO2-Co2O3-Nb2O5-TiO2系电学非线性性质的根源,对前人的晶界缺陷势垒模型进行了修正。 展开更多

关键词 压敏材料 二氧化锡 电学性能 晶粒尺寸 缺陷势垒模型 TiO2掺杂 SNO2

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(Zn,Nb)掺杂SnO_2压敏材料的电子特性 被引量：4

6

作者 王勇军 陈洪存 +3 位作者 王矜奉 董火民 张沛霖 钟维烈 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2000年第4期259-261,共3页

依据缺陷势垒模型选取Ｚｎ２＋和Ｎｂ５＋复合掺杂的ＳｎＯ２陶瓷进行研究，测量了材料的密度、失重率等物理性质和非线性系数、电流－电压（Ｉ－Ｖ）关系曲线等电子性质。利用低电流区电流密度与电场（ｌｏｇＪ－Ｅ）的线性关系定性地... 依据缺陷势垒模型选取Ｚｎ２＋和Ｎｂ５＋复合掺杂的ＳｎＯ２陶瓷进行研究，测量了材料的密度、失重率等物理性质和非线性系数、电流－电压（Ｉ－Ｖ）关系曲线等电子性质。利用低电流区电流密度与电场（ｌｏｇＪ－Ｅ）的线性关系定性地讨论了势垒高度与非线性之间的关系。 展开更多

关键词 压敏材料 缺陷势垒模型 二氧化锡 掺杂

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Mn3O4掺杂对ZnO-Pr6O11基压敏电阻微观结构和电学性能的影响 被引量：4

7

作者 范亚红 冯海涛 +1 位作者 刘建科 崔永宏 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2018年第1期34-39,共6页

通过烧结法制备了Mn3O4掺杂量的Zn O-Pr6O（11）系压敏电阻材料,研究了Mn3O4掺杂对Zn O-Pr6O（11）系压敏电阻微观结构、电学性能的影响。研究表明：随着Mn3O4掺杂量的增加,Zn O-Pr6O（11）系压敏电阻中的表面气孔减少,平均晶粒尺寸先... 通过烧结法制备了Mn3O4掺杂量的Zn O-Pr6O（11）系压敏电阻材料,研究了Mn3O4掺杂对Zn O-Pr6O（11）系压敏电阻微观结构、电学性能的影响。研究表明：随着Mn3O4掺杂量的增加,Zn O-Pr6O（11）系压敏电阻中的表面气孔减少,平均晶粒尺寸先减小后增大。击穿场强（E（1m A））从960 V/mm增加到1128 V/mm,后又减小到1018 V/mm;当Mn3O4的掺杂量（摩尔分数）达到1.0%时,击穿场强达到最大值1128 V/mm;当Mn3O4的掺杂量（摩尔分数）达到0.75%时,非线性系数（α）达到最大（48.5）,漏电流（JL）降到最小（2.86μA·cm^（-2））。 展开更多

关键词 氧化锌 压敏电阻材料 MN3O4 掺杂 电学性能

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CuO掺杂对SnO_2压敏材料性能的影响 被引量：3

8

作者 明保全 王矜奉 +3 位作者 陈洪存 苏文斌 臧国忠 高建鲁 《功能材料与器件学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期33-37,共5页

研究了掺杂CuO对SnO2·Ni2O3·Ta2O5压敏材料电学性能的影响。实验发现,随着CuO的掺杂量从0.50mol%增加到1.50mol%,材料的压敏电场强度从132V/mm升高到234V/mm,相对介电常数从4663减小到2701。电场强度变化的原因是CuO掺杂引起... 研究了掺杂CuO对SnO2·Ni2O3·Ta2O5压敏材料电学性能的影响。实验发现,随着CuO的掺杂量从0.50mol%增加到1.50mol%,材料的压敏电场强度从132V/mm升高到234V/mm,相对介电常数从4663减小到2701。电场强度变化的原因是CuO掺杂引起的晶粒尺寸变化,随掺杂量增加晶粒尺寸从18.8μm减小到13.3μm。未固溶于SnO2晶格而偏析在晶界上的CuO阻碍了相邻SnO2晶粒的融合,这导致了晶粒尺寸的减小。为了解释SnO2·Ni2O3·Ta2O5·CuO电学非线性性质的起源,本研究对前人的晶界缺陷势垒模型进行了修正。对该压敏材料进行了等效电路分析,实验测量与等效电路分析结果相符。 展开更多

关键词 压敏材料 SNO2 电学性能 晶粒尺寸 缺陷势垒模型

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ZnO掺杂量与烧结温度对SnO_2–Ta_2O_5–ZnO压敏变阻材料性能的影响 被引量：1

9

作者 贺剑锋 彭志坚 +2 位作者 王成彪 付志强 符秀丽 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期816-820,共5页

以SnO2、Ta2O5和ZnO粉为原料,通过传统陶瓷固相反应烧结法制备了压敏变阻材料,实验中ZnO含量为0～2.00%(摩尔分数),烧结温度控制在1 300～1500℃并保温2 h。研究了ZnO掺杂量和烧结温度对材料的组成、微观结构和电学性能的影响。结果表明... 以SnO2、Ta2O5和ZnO粉为原料,通过传统陶瓷固相反应烧结法制备了压敏变阻材料,实验中ZnO含量为0～2.00%(摩尔分数),烧结温度控制在1 300～1500℃并保温2 h。研究了ZnO掺杂量和烧结温度对材料的组成、微观结构和电学性能的影响。结果表明:在温度一定条件下,随着ZnO掺杂量的增加,材料的非线性系数、压敏电压先增大后减小;在ZnO含量一定时,随着烧结温度从1 300℃升至1 450℃,材料的非线性系数、压敏电压先增大后减小。ZnO掺杂量为0.50%时,在1450℃烧结得到的样品的非线性系数最高(6.2),漏电流最小(262μA/cm2),压敏电压较高(83V/mm)。 展开更多

关键词 氧化锡 五氧化二钽 氧化锌 压敏电阻材料 电学性能

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Al掺杂对ZnO压敏材料性能影响的研究 被引量：2

10

作者 曾宪庭 王豫 +1 位作者 王士良 陈洗 《传感器技术》 CSCD 1992年第1期15-18,共4页

研究了Al^(3+)掺杂量的变化对ZnO中高压压敏材料主要性能参数的影响,从微观上分析了产生这些影响的原因以及提高材料稳定性能的措施,并从实验上得到了性能优良的中高压压敏材料。

关键词 ZNO 压敏材料 铝掺杂 非线性

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多层片式ZnO压敏电阻器的现状与发展方向 被引量：16

11

作者 王兰义 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2003年第7期42-45,共4页

基于国内外多层片式ZnO压敏电阻器的研究及应用,介绍了多层片式ZnO压敏电阻器的结构(阵列及模块)、材料组成(ZnO-Bi2O3系、ZnO-玻璃系、ZnO-V2O5系及ZnO-Pr6O11系等)、电极材料、生产工艺(流延和电镀)等现状,并就多层片式ZnO压敏电阻器... 基于国内外多层片式ZnO压敏电阻器的研究及应用,介绍了多层片式ZnO压敏电阻器的结构(阵列及模块)、材料组成(ZnO-Bi2O3系、ZnO-玻璃系、ZnO-V2O5系及ZnO-Pr6O11系等)、电极材料、生产工艺(流延和电镀)等现状,并就多层片式ZnO压敏电阻器的工艺和技术发展趋势提出了见解。 展开更多

关键词 多层片式ZnO压敏电阻器 压敏材料 电极材料 生产技术

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叠层片式ZnO压敏电阻器研究进展 被引量：2

12

作者 郭汝丽 方亮 +2 位作者 周焕福 王成 覃远东 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期64-67,共4页

叠层片式ZnO压敏电阻器(MLCV)具有体积小、通流容量大、响应速度快、表面安装性好和易实现低压化等优点,其广泛应用于电子和电力系统中。介绍了叠层片式ZnO压敏电阻器的生片材料和内电极材料的研究现状,分析了当前工艺中存在的电极扩散... 叠层片式ZnO压敏电阻器(MLCV)具有体积小、通流容量大、响应速度快、表面安装性好和易实现低压化等优点,其广泛应用于电子和电力系统中。介绍了叠层片式ZnO压敏电阻器的生片材料和内电极材料的研究现状,分析了当前工艺中存在的电极扩散问题,并提出了其解决的办法,同时指出了叠层片式ZnO压敏电阻器向低压化、小型化、集成化及低成本化方向发展的趋势。 展开更多

关键词 叠层片式 ZNO压敏电阻器 综述 低温烧结 压敏电阻材料

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SnO_2/Zn_2SnO_4复合陶瓷的压敏性质研究

13

作者 张运强 张华 王改民 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期26-29,共4页

采用固相反应法制备了Zn2SnO4粉体,通过传统陶瓷制备工艺获得了致密的SnO2/Zn2SnO4复合陶瓷,研究了不同SnO2、Zn2SnO4复合比例对陶瓷压敏性质的影响。结果表明,当Zn2SnO4的比例为15%时,该复合陶瓷的非线性系数和压敏电压分别达到最大值... 采用固相反应法制备了Zn2SnO4粉体,通过传统陶瓷制备工艺获得了致密的SnO2/Zn2SnO4复合陶瓷,研究了不同SnO2、Zn2SnO4复合比例对陶瓷压敏性质的影响。结果表明,当Zn2SnO4的比例为15%时,该复合陶瓷的非线性系数和压敏电压分别达到最大值3.4和最小值17V/mm。另外,随着Zn2SnO4含量的变化,样品的压敏电压、介电常数分别与晶粒尺寸的变化规律一致和相反,这表明,晶粒大小是影响样品介电性质的重要因素。进一步研究发现,样品的晶界势垒高度仅为0.5ev左右,这可能是SnO2/Zn2SnO4复合陶瓷材料具有低压压敏性质的重要原因。 展开更多

关键词 SNO2 复合陶瓷 压敏电阻材料 肖特基势垒

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压敏电阻陶瓷材料的研究进展 被引量：23

14

作者 邢晓东 谢道华 胡明 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期21-24,共4页

详细介绍了目前国内外研究最多的低压压敏陶瓷材料(ZnO系、BaTiO3系、TiO2系、WO3系)、电容–压敏陶瓷材料(SrTiO3系、TiO2系)及高压–压敏陶瓷材料(ZnO系、SnO2系)等的基本配方、制备工艺、性能及主要应用等。还讨论了我国在压敏电阻... 详细介绍了目前国内外研究最多的低压压敏陶瓷材料(ZnO系、BaTiO3系、TiO2系、WO3系)、电容–压敏陶瓷材料(SrTiO3系、TiO2系)及高压–压敏陶瓷材料(ZnO系、SnO2系)等的基本配方、制备工艺、性能及主要应用等。还讨论了我国在压敏电阻器研究与生产方面所存在的问题及今后的研究方向。 展开更多

关键词 压敏电阻器 压敏电阻陶瓷材料 电容-压敏陶瓷 非线性系数

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Sr掺杂对TiO_2系压敏陶瓷电性能的影响 被引量：2

15

作者 李莉 屈晓田 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期22-24,共3页

以TiO2为原材料,制备了具有压敏–电容复合功能的TiO2系压敏陶瓷材料。通过测试典型样品的V-I特性、D-f特性、电容特性及复阻抗频率谱,研究了不同掺Sr量的TiO2系压敏陶瓷材料的相关电学性质。实验结果表明,掺Sr量在强烈影响材料压敏性... 以TiO2为原材料,制备了具有压敏–电容复合功能的TiO2系压敏陶瓷材料。通过测试典型样品的V-I特性、D-f特性、电容特性及复阻抗频率谱,研究了不同掺Sr量的TiO2系压敏陶瓷材料的相关电学性质。实验结果表明,掺Sr量在强烈影响材料压敏性能的同时,对材料的电容特性也会产生较大影响。在掺Sr量为x (Sr)=0.6%时,样品表现出最好的压敏性质,其压敏电压为55 V/mm,a可达到5,1 kHz下损耗为0.1,相对介电常数可达2.8?05。 展开更多

关键词 压敏陶瓷材料 非线性系数 介电常数

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