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影响氧化锌压敏瓷喷雾造粒粉体性能的因素 被引量：13
1
作者 申海涛 霍建华 师入伏 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1995年第2期27-32,共6页
采用喷雾造粒技术制备氧化锌压敏电阻用粉体，其料浆的组成、造粒机的使用条件等因素对颗粒性能均有直接影响。
关键词 氧化锌 喷雾造粒 压敏电阻 粉体
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ZnO压敏陶瓷的一价离子掺杂 被引量：9
2
作者 许毓春 李慧峰 +1 位作者 王礼琼 王士良 《功能材料》 EI CAS CSCD 1996年第2期126-130,共5页
本文研究了一价金属离子掺杂对ＺｎＯ压敏陶瓷电性能的影响。根据晶界的双Ｓｃｈｏｔｋｙ势垒模型分析计算了ＺｎＯ晶柱表层１５ｎｍ浅范围的正电荷中心浓度ＮＤ对ＺｎＯ压敏陶瓷小电流区非线性特性的影响。结果表明ＮＤ减小，非线性增... 本文研究了一价金属离子掺杂对ＺｎＯ压敏陶瓷电性能的影响。根据晶界的双Ｓｃｈｏｔｋｙ势垒模型分析计算了ＺｎＯ晶柱表层１５ｎｍ浅范围的正电荷中心浓度ＮＤ对ＺｎＯ压敏陶瓷小电流区非线性特性的影响。结果表明ＮＤ减小，非线性增强。如果掺入ＺｎＯ压敏陶瓷中的一价金属离子进入了ＺｎＯ晶粒体内对正电中心进行补偿。 展开更多
关键词 氧化锌 半导体 压敏陶瓷 一价金属离子 掺杂
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烧结温度对TiO2压敏陶瓷结构和性能的影响 被引量：9
3
作者 严继康 甘国友 +2 位作者 陈海芳 张小文 孙加林 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2008年第3期332-334,共3页
研究了烧结温度对TiO2压敏陶瓷显微结构、晶界势垒结构和电学性能的影响。采用扫描电镜(SEM)测试了不同烧结温度对TiO2陶瓷的显微结构;根据热电子发射理论,采用电学性能数据计算了不同烧结温度的晶界势垒结构;讨论了显微结构和势垒结构... 研究了烧结温度对TiO2压敏陶瓷显微结构、晶界势垒结构和电学性能的影响。采用扫描电镜(SEM)测试了不同烧结温度对TiO2陶瓷的显微结构;根据热电子发射理论,采用电学性能数据计算了不同烧结温度的晶界势垒结构;讨论了显微结构和势垒结构对TiO2压敏陶瓷电学性能的影响。实验结果表明:烧结温度必须高于致密化的初始温度,但烧结温度过高会形成大量氧空位而在晶粒中形成气孔,影响显微结构的均匀性和致密性,较适合的烧结温度为1 350℃。随烧结温度的增加,TiO2压敏陶瓷的晶粒尺寸长大,Nb5+的固溶度增加,势垒高度与势垒宽度增加,压敏电压降低,而非线性系数和介电常数增加。 展开更多
关键词 TIO2 压敏陶瓷 烧结温度 显微结构 势垒结构
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铜和碱金属影响压敏陶瓷性能的机理 被引量：3
4
作者 曹全喜 籍聪麟 +1 位作者 周晓华 高锦秀 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2001年第3期186-188,共3页
从对 Zn O和 Sr Ti O3的晶体结构参数的计算出发 ,论述了铜和碱金属原子在这两种晶体中所处的位置。实验结果证实 ,同一种原子在不同的材料中可以起不同的作用。文章还讨论了这些杂质对压敏陶瓷的压敏电压、电容量。
关键词 压敏陶瓷 晶体结构 铜 碱金属
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钛酸锶压敏陶瓷及其性能影响因素 被引量：5
5
作者 陈朝霞 何扬名 甘国友 《钛工业进展》 CAS 2004年第4期33-36,共4页
为了提高SrTiO3 压敏陶瓷的性能 ,对其影响性能的因素进行了论述 ,指出主要影响因素是配方体系及制造工艺中的绕结工艺 ,并指出改善SrTiO3 综合性能的途径是进一步提高瓷料配方的适应能力并完善制造工艺。
关键词 SrTi03 压敏陶瓷 配方体系 绕结工艺 瓷料 电子陶瓷 性能
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恒温闪烧制备氧化锌压敏陶瓷及电性能研究 被引量：1
6
作者 石梦阳 陈曹宏 +2 位作者 姜明 许菁荣 徐东 《电瓷避雷器》 CAS 北大核心 2023年第5期67-71,共5页
传统的烧结方法增加ZnO压敏陶瓷的消耗成本。因此,需要继续研究提高ZnO压敏陶瓷的节能效果及综合性能优化的技术。利用恒温闪烧技术,在250 V/cm电场强度和2.0 A限制电流下制备ZnO-Bi_(2)O_(3)基压敏陶瓷。将950℃恒温闪烧制备ZnO-Bi_(2)... 传统的烧结方法增加ZnO压敏陶瓷的消耗成本。因此,需要继续研究提高ZnO压敏陶瓷的节能效果及综合性能优化的技术。利用恒温闪烧技术,在250 V/cm电场强度和2.0 A限制电流下制备ZnO-Bi_(2)O_(3)基压敏陶瓷。将950℃恒温闪烧制备ZnO-Bi_(2)O_(3)基压敏陶瓷与1 100℃下的传统烧结制备样品相比的结果表明,恒温闪烧和传统烧结制备样品的致密度都可达到98%。恒温闪烧制备的样品获得更佳的压敏性能,电位梯度为656 V/mm,非线性系数为41.9。因此,ZnO压敏陶瓷能够通过恒温闪烧制备获得均匀的显微结构和优异的电性能。 展开更多
关键词 压敏陶瓷 氧化锌 恒温闪烧 微观结构 电性能
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纳米粉体对TiO_2压敏陶瓷晶界势垒结构的影响 被引量：4
7
作者 严继康 甘国友 +2 位作者 陈海芳 张小文 孙加林 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期109-112,共4页
采用实验方法研究了纳米粉体对TiO2压敏陶瓷晶界势垒结构的影响。采用扫描电镜测试了样品的显微结构。基于热电子发射理论和样品的电学性能计算了TiO2压敏陶瓷的势垒结构。在室温至320℃范围阿,测试TiO2压敏陶瓷样品的电阻率ρ。通过样... 采用实验方法研究了纳米粉体对TiO2压敏陶瓷晶界势垒结构的影响。采用扫描电镜测试了样品的显微结构。基于热电子发射理论和样品的电学性能计算了TiO2压敏陶瓷的势垒结构。在室温至320℃范围阿,测试TiO2压敏陶瓷样品的电阻率ρ。通过样品的lnσ-1／T曲线计算了TiO2压敏陶瓷材料的晶界势垒结构。讨论了显微结构和势垒结构对TiO2压敏陶瓷电学性能的影响。结果表明,合适的纳米TiO2加入量为x=5 mol％。 展开更多
关键词 二氧化钛 压敏陶瓷 纳米二氧化钛 显微结构 势垒结构
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纳米复合ZnO粉体烧结过程晶粒生长的分析 被引量：4
8
作者 侯清健 徐国跃 +1 位作者 凌栋 魏静 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第10期30-32,共3页
根据ZnO晶粒生长动力学方程,确定了晶粒生长的动力学指数和激活能,研究了纳米复合ZnO粉体的烧结过程以及烧结过程中的晶粒生长规律。实验结果表明:由纳米复合ZnO粉体制备的陶瓷,其晶粒生长动力学指数n为3,激活能Q为(185±26)kJ/mol... 根据ZnO晶粒生长动力学方程,确定了晶粒生长的动力学指数和激活能,研究了纳米复合ZnO粉体的烧结过程以及烧结过程中的晶粒生长规律。实验结果表明:由纳米复合ZnO粉体制备的陶瓷,其晶粒生长动力学指数n为3,激活能Q为(185±26)kJ/mol。与微米粉体相比,纳米复合ZnO粉体的晶粒生长动力学指数和激活能都比较小,因此液相烧结的温度低,晶粒生长速度加快。 展开更多
关键词 电子技术 纳米氧化锌 压敏陶瓷 晶粒生长 液相烧结
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TiO_2环形压敏电阻及其材料的主要电参数设计 被引量：2
9
作者 朱道云 牟中飞 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2016年第8期37-40,共4页
为了对元件性能进行优化设计,根据TiO_2压敏电阻的几何尺寸及元件与材料之间电性能参数的函数关系,分析计算了极间电压V_(10mA)不大于30 V,非线性系数α_1为3~5,1 k Hz下极间电容C不小于10 nF的环形元件所需材料的参数分别为:相对介电... 为了对元件性能进行优化设计,根据TiO_2压敏电阻的几何尺寸及元件与材料之间电性能参数的函数关系,分析计算了极间电压V_(10mA)不大于30 V,非线性系数α_1为3~5,1 k Hz下极间电容C不小于10 nF的环形元件所需材料的参数分别为:相对介电常数不小于1.22×10~5,电流强度分别为10 mA和1 mA时所对应的电流密度J_(10)大于10×10^(–3)A·cm^(–2)及J_1大于1×10^(–3)A·cm^(–2),在材料的J-E非线性曲线上,电场强度E_(10)大于E_(10mA),E_1大于E_(1mA),且E_(10)与E_1的比值大于1而小于E_(10mA)与E_(1mA)的比值。 展开更多
关键词 TiO2压敏电阻 压敏陶瓷 压敏电压 非线性系数 相对介电常数 极间电容
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Sr掺杂对TiO_2双功能压敏陶瓷介电性能的影响 被引量：3
10
作者 陈朝霞 甘国友 +1 位作者 严继康 张小文 《昆明理工大学学报（理工版）》 2003年第5期32-34,55,共4页
着重探讨了Sr掺杂对TiO2 双功能压敏陶瓷介电性能的影响 .经研究发现 ,Sr掺杂能显著提高TiO2 双功能压敏陶瓷的介电性能 .随着Sr含量的变化 ,TiO2 双功能压敏陶瓷的介电性能在一个很宽的范围内变化 .当Sr含量增加时 ,介电常数εeff的变... 着重探讨了Sr掺杂对TiO2 双功能压敏陶瓷介电性能的影响 .经研究发现 ,Sr掺杂能显著提高TiO2 双功能压敏陶瓷的介电性能 .随着Sr含量的变化 ,TiO2 双功能压敏陶瓷的介电性能在一个很宽的范围内变化 .当Sr含量增加时 ,介电常数εeff的变化规律是先减小后增大 ,增大到一定值时又减小 ,而介电损耗则是先减小后一直增大 ,可在协调εeff和tanδ的情况下 。 展开更多
关键词 锶 二氧化钛 压敏陶瓷 介电损耗 压敏电阻 介电常数
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Co在ZnO和SrTiO_3压敏陶瓷中的不同作用机理 被引量：2
11
作者 孙树峰 曹全喜 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2006年第2期167-169,172,共4页
从ZnO和SrTiO3的不同晶体结构和烧结工艺出发,论述了CoO在这两种晶体中所处的位置和不同的作用机理。实验结果证实同一种原子在不同的材料和烧结工艺中起着不同的作用。通过分析晶体点缺陷和烧结气氛的关系解释了实验结果:在氧化气氛中,... 从ZnO和SrTiO3的不同晶体结构和烧结工艺出发,论述了CoO在这两种晶体中所处的位置和不同的作用机理。实验结果证实同一种原子在不同的材料和烧结工艺中起着不同的作用。通过分析晶体点缺陷和烧结气氛的关系解释了实验结果:在氧化气氛中,CoO的主要缺陷是金属空位,增加晶界受主态密度;在还原气氛中,CoO的主要缺陷是氧空位,减少受主态密度。 展开更多
关键词 压敏陶瓷 晶体结构 钴 烧结气氛
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PrMnO_3型前驱体掺杂ZnVTiO基压敏陶瓷显微结构及非线性表征 被引量：2
12
作者 赵鸣 韩佳 +2 位作者 杨敏 乔凯 陆干祥 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第9期2258-2264,共7页
传统混合氧化物工艺条件下,经900℃烧结4 h制备了0～0.3mol%PrMnO3型前驱体掺杂ZnO-V2O5-TiO2（ZnVTiO）基压敏陶瓷。在此基础上,采用XRD、SEM＋EDS研究其显微结构,按照标准I-V测试法测定其电学非线性。研究表明,该陶瓷除ZnO主晶相及Zn3... 传统混合氧化物工艺条件下,经900℃烧结4 h制备了0～0.3mol%PrMnO3型前驱体掺杂ZnO-V2O5-TiO2（ZnVTiO）基压敏陶瓷。在此基础上,采用XRD、SEM＋EDS研究其显微结构,按照标准I-V测试法测定其电学非线性。研究表明,该陶瓷除ZnO主晶相及Zn3（VO4）2常见第二相出现以外,还生成了Zn2TiO4、PrVO4两种颗粒相。Ti除了可以使样品晶粒尺寸出现大小两极分化之外,还通过形成Zn2TiO4颗粒相阻碍晶粒生长。PrVO4的含量随前驱体含量的提高而逐渐增加,其对烧结有轻微阻碍作用。0.05%PrMnO3型前驱体掺杂ZnVTiO基压敏陶瓷非线性最佳,非线性系数为23,压敏电压为154.1 V,漏电流为19.6μA。 展开更多
关键词 PrMnO3 ZnVTiO 压敏陶瓷 显微结构 非线性
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氧化锌压敏陶瓷及其粉体的制备现状与展望
13
作者 陈建勋 赵瑞荣 蒋汉瀛 《无机盐工业》 CAS 1997年第6期18-20,共3页
综述了目前氧化锌压敏陶瓷发展的动态，并着重介绍了氧化锌粉末的制备，同时提出了今后的研究方向。
关键词 氧化锌 压敏陶瓷 现状 粉体 远景
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TiO_2压敏陶瓷电性能的研究现状 被引量：1
14
作者 王宇 张可敏 +1 位作者 李文戈 尧巍华 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期1-6,共6页
综述了粉体尺寸、烧结温度、保温时间、掺杂剂的选择及含量等对TiO_2压敏陶瓷压敏电压、非线性系数、介电损耗和介电常数等电性能以及晶体微观结构影响的研究现状,并指出TiO_2压敏陶瓷在小型化和多功能化等方面的发展是今后重要的研究... 综述了粉体尺寸、烧结温度、保温时间、掺杂剂的选择及含量等对TiO_2压敏陶瓷压敏电压、非线性系数、介电损耗和介电常数等电性能以及晶体微观结构影响的研究现状,并指出TiO_2压敏陶瓷在小型化和多功能化等方面的发展是今后重要的研究方向。 展开更多
关键词 TIO2 压敏陶瓷 制备工艺 电性能
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CeO_2掺杂TiO_2基压敏陶瓷的性能研究 被引量：1
15
作者 樊少忠 钟黎声 +1 位作者 陈哲 李亚平 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2015年第2期287-290,共4页
该文在TiO2压敏陶瓷中掺杂CeO2,研究了烧结温度和CeO2掺杂量对TiO2基压敏陶瓷的电学性能的影响。结果表明,烧结温度为1 400℃、CeO2掺杂摩尔分数为1.0%时,TiO2基压敏陶瓷表现出较好的综合电学性能:压敏电压为7.7V/mm,非线性系数为3.8,... 该文在TiO2压敏陶瓷中掺杂CeO2,研究了烧结温度和CeO2掺杂量对TiO2基压敏陶瓷的电学性能的影响。结果表明,烧结温度为1 400℃、CeO2掺杂摩尔分数为1.0%时,TiO2基压敏陶瓷表现出较好的综合电学性能:压敏电压为7.7V/mm,非线性系数为3.8,漏电流为0.1A,且具有优的介电常数和介电损耗。 展开更多
关键词 压敏陶瓷 烧结温度 CeO2掺杂 压敏性能 介电性能
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铈镧复合氧化物对ZnVCrO陶瓷显微结构及压敏性能的影响
16
作者 赵鸣 李天宇 石钰 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第6期120-124,共5页
采用混合氧化物工艺经850℃、4h烧结制备了铈镧复合氧化物掺杂的ZnVCrO基压敏陶瓷,综合应用XRD、SEM、EDS和伏安电学特性测试等方法研究了铈镧复合氧化物掺杂在0%~0.6%(质量分数)范围内对显微结构和压敏性能的影响。结果显示,所有样品以... 采用混合氧化物工艺经850℃、4h烧结制备了铈镧复合氧化物掺杂的ZnVCrO基压敏陶瓷,综合应用XRD、SEM、EDS和伏安电学特性测试等方法研究了铈镧复合氧化物掺杂在0%~0.6%(质量分数)范围内对显微结构和压敏性能的影响。结果显示,所有样品以ZnO为主晶相,以Zn_3(VO_4)_2、ZnCr_2O_4为第二相,含掺杂样品中还形成Ce(La)VO_4固溶体,其含量随掺杂量增加而升高。铈镧复合氧化物对烧结影响不大,但其含量大于等于0.4%(质量分数)时可大幅提高ZnVO基压敏陶瓷显微组织的均匀性。0.4%(质量分数)铈镧复合氧化物掺杂样品压敏性能最优:非线性系数为24.7,压敏电压为1 029V/mm,漏电流为92μA/cm^2。 展开更多
关键词 铈镧复合氧化物 ZnVCrO 压敏陶瓷 显微结构
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Er掺杂ZnO-Bi_2O_3系亚微米柱状晶体及其压敏电阻性能
17
作者 王平 李芳芳 +5 位作者 周小美 李学帅 谷雨 李之锋 吴思华 杜晓钢 《江西理工大学学报》 CAS 2009年第6期19-22,共4页
制备了Er掺杂ZnO-Bi2O3系烧结形成亚微米长柱状晶体;用X—射线衍射仪分析了ZnO-Bi2O(3Er)系物相成分;用电子显微镜观察ZnO-Bi2O(3Er)系亚微米长柱状晶相特征,晶体的长径比约为17;最后对其进行了压敏电阻性能的检测,随Er2O3含量的增加,Zn... 制备了Er掺杂ZnO-Bi2O3系烧结形成亚微米长柱状晶体;用X—射线衍射仪分析了ZnO-Bi2O(3Er)系物相成分;用电子显微镜观察ZnO-Bi2O(3Er)系亚微米长柱状晶相特征,晶体的长径比约为17;最后对其进行了压敏电阻性能的检测,随Er2O3含量的增加,ZnO纳米长柱状晶体向颗粒状过渡,电位梯度逐渐增大,非线性系数呈升高趋势,漏电流偏低,并且渐渐平缓. 展开更多
关键词 压敏陶瓷 稀土掺杂 柱状晶体
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Sb_2O_3掺杂对ZnO压敏陶瓷晶界特性和电性能的影响 被引量：18
18
作者 张丛春 周东祥 龚树萍 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期602-605,共4页
制备了掺有Sb2 O3 不同掺杂量的ZnO压敏陶瓷样品 .采用扫描电镜对样品进行显微结构分析 ,研究了Sb2 O3 掺杂浓度对ZnO压敏电阻显微结构和性能的影响 .测量了样品的电性能 ,由样品C -V特性的测量计算出晶界参数 ,并由此讨论了陶瓷电性能... 制备了掺有Sb2 O3 不同掺杂量的ZnO压敏陶瓷样品 .采用扫描电镜对样品进行显微结构分析 ,研究了Sb2 O3 掺杂浓度对ZnO压敏电阻显微结构和性能的影响 .测量了样品的电性能 ,由样品C -V特性的测量计算出晶界参数 ,并由此讨论了陶瓷电性能与晶界特性的相关性 .研究发现 ,在ZnO压敏陶瓷样品中掺杂适量的Sb2 O3 可以提高ZnO压敏陶瓷样品的非线性性能 ,但当Sb2 O3 的摩尔分数超过 0 .0 88%时 ,电性能反而劣化 ,这是因为Sb2 O3 掺杂浓度不同会引起晶界势垒高度、施主浓度及陷阱态密度的变化 ,因此Sb2 O3 掺杂量要控制在适当的范围内 . 展开更多
关键词 氧化锌压敏陶瓷 氧化锑 电性能 晶界 掺杂 压敏电阻
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烧结温度对TiO_2压敏陶瓷性能的影响 被引量：7
19
作者 陈海芳 甘国友 +1 位作者 严继康 张小文 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期135-136,142,共3页
Ti O2压敏陶瓷是一种新型的半导体双功能元件,具有压敏电压低、非线性系数大、介电常数高等许多突出的优点,广泛用于中低压领域中作为过电压保护和浪涌吸收元件。主要研究了烧结温度对Ti O2压敏陶瓷电性能的影响。研究中发现,随着烧结... Ti O2压敏陶瓷是一种新型的半导体双功能元件,具有压敏电压低、非线性系数大、介电常数高等许多突出的优点,广泛用于中低压领域中作为过电压保护和浪涌吸收元件。主要研究了烧结温度对Ti O2压敏陶瓷电性能的影响。研究中发现,随着烧结温度的升高,Ti O2压敏陶瓷有压敏电压降低、非线性系数升高的趋势。在1400℃烧结时显示出较低的压敏电压V1mA=5.12V·mm-1,较好的非线性系数a=5.2,和较高的介电常数εr=3.7×104。 展开更多
关键词 二氧化钛 压敏陶瓷 烧结温度 TIO2压敏陶瓷 陶瓷性能 非线性系数 压敏电压 介电常数 过电压保护 功能元件
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ZnO压敏陶瓷的晶界结构 被引量：6
20
作者 康雪雅 陶明德 涂铭旌 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 1996年第3期301-303,共3页
用ＸＲＤ，ＳＥＭ，ＴＥＭ研究了低压ＺｎＯ压敏陶瓷的相结构与晶界结构，证实了晶界相的不连续性，发现低压ＺｎＯ—Ｂｉ＿２Ｏ＿３—ＴｉＯ＿２系中ＺｎＯ—ＺｎＯ晶粒直接接触区晶界宽度约为４５ｎｍ，以及烧结过程中晶界上ＺｎＯ纳... 用ＸＲＤ，ＳＥＭ，ＴＥＭ研究了低压ＺｎＯ压敏陶瓷的相结构与晶界结构，证实了晶界相的不连续性，发现低压ＺｎＯ—Ｂｉ＿２Ｏ＿３—ＴｉＯ＿２系中ＺｎＯ—ＺｎＯ晶粒直接接触区晶界宽度约为４５ｎｍ，以及烧结过程中晶界上ＺｎＯ纳米级单晶的迁移行为并计算出ＺｎＯ晶界移动激活能Ｑｍ． 展开更多
关键词 压敏陶瓷 晶界结构 氧化锌
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