期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到5篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
CuInS_2薄膜的制备及光学特性 被引量：1
1
作者 谢俊叶 李健 王延来 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第B02期129-132,共4页
真空共蒸发在玻璃衬底上制备CuInS2薄膜。研究不同Cu、In、S元素配比、不同热处理条件对薄膜的结构、化学计量比及光学性能的影响.实验结果给出:在元素配比中S的原子比x选择极为重要(实验选0.2≤x≤2),本实验Cu、In、S最佳原子比为1∶0.... 真空共蒸发在玻璃衬底上制备CuInS2薄膜。研究不同Cu、In、S元素配比、不同热处理条件对薄膜的结构、化学计量比及光学性能的影响.实验结果给出:在元素配比中S的原子比x选择极为重要(实验选0.2≤x≤2),本实验Cu、In、S最佳原子比为1∶0.1∶1.2。用x(Cu)∶x(In)∶x(S)=1∶0.1∶1.2原子比混合沉积的薄膜,经400℃热处理20min后,得到黄铜矿结构的CuInS2薄膜,沿[112]晶向择优生长,平均晶粒尺寸为38.06nm;薄膜表面致密平整,厚度为454.8nm,表面粗糙度为13nm;薄膜中元素的化学计量比为1∶0.9∶1.5,光学吸收系数达105cm-1,直接光学带隙1.42eV。 展开更多
关键词 真空共蒸发 CuInS2薄膜 热处理 光学特性
下载PDF
真空共蒸发法沉积的ZnTe:Cu薄膜
2
作者 张静全 吉世印 +3 位作者 陈世国 郑家贵 蔡伟 冯良桓 《贵州科学》 1999年第3期180-184,共5页
用真空共蒸发法沉积了ZnTe和ZnTe：Cu多晶薄膜，研究了Cu含量对薄膜结构和电学性能的影响．发现刚沉积的ZnTe薄膜和轻掺杂的ZnTe:Cu薄膜的结构均为高度（111）择优取向的立方相．掺杂浓度较高的ZnTe：Cu薄膜除了立方相外，还存在六方相... 用真空共蒸发法沉积了ZnTe和ZnTe：Cu多晶薄膜，研究了Cu含量对薄膜结构和电学性能的影响．发现刚沉积的ZnTe薄膜和轻掺杂的ZnTe:Cu薄膜的结构均为高度（111）择优取向的立方相．掺杂浓度较高的ZnTe：Cu薄膜除了立方相外，还存在六方相．重掺杂薄膜中（111）择优取向消失．在ZnTe：Cu薄膜中观察到反常的暗电导温度关系曲线．薄膜的光学能隙在2.15～2.21eV之间．用结构相变的观点对实验现象作了解释． 展开更多
关键词 真空共蒸发法 太阳能电池 ZnTe:Cu薄膜 暗电导率
下载PDF
Zn掺杂SnS薄膜的表征及光学特性 被引量：3
3
作者 徐志虎 李健 闫君 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第7期566-571,共6页
真空共蒸发制备掺Zn(2%,4%(质量比))的SnS薄膜。研究热处理对Zn掺杂SnS薄膜的结构、表面形貌、化学组分及光学特性的影响。实验给出2%掺Zn薄膜经300℃,40 min热处理后,得到正交晶系的SnS多晶薄膜。掺Zn可一定程度抑制薄膜中S的损失,使... 真空共蒸发制备掺Zn(2%,4%(质量比))的SnS薄膜。研究热处理对Zn掺杂SnS薄膜的结构、表面形貌、化学组分及光学特性的影响。实验给出2%掺Zn薄膜经300℃,40 min热处理后,得到正交晶系的SnS多晶薄膜。掺Zn可一定程度抑制薄膜中S的损失,使薄膜体内Sn∶S元素化学计量得到改善,从未掺Zn的Sn∶S比为1.90∶1降到1.38∶1(2%)及1.36∶1(4%)。掺Zn后SnS薄膜的吸收边都发生红移,光吸收系数高达105cm-1。未掺Zn薄膜的直接光学带隙1.95 eV,掺Zn是1.375 eV(2%)和1.379 eV(4%)。Sn和S在薄膜中分别呈+2和-2价态,Zn以间隙和替位两种状态存在。 展开更多
关键词 真空单源共蒸法 SnS薄膜 Zn掺杂 光学特性
下载PDF
真空共蒸发法制备Cu_xTe薄膜的结构特性分析
4
作者 吴晓丽 夏庚培 +6 位作者 郑家贵 李卫 冯良桓 武莉莉 张静全 黎兵 雷智 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期360-364,共5页
用真空共蒸发法制备了CuxTe(1≤x≤2)薄膜,并通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)及原子力显微镜(AFM)等表征手段分析了薄膜的结构特性,研究了热处理对不同Cu/Te配比的样品物相转变的影响。结果发现:刚沉积的薄膜非晶结构占主导地... 用真空共蒸发法制备了CuxTe(1≤x≤2)薄膜,并通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)及原子力显微镜(AFM)等表征手段分析了薄膜的结构特性,研究了热处理对不同Cu/Te配比的样品物相转变的影响。结果发现:刚沉积的薄膜非晶结构占主导地位,只有部分低Cu/Te比的薄膜出现多晶结构;退火后,薄膜发生晶相转变,且随着退火温度的升高,不同配比的样品有着不同程度的物相转变。其中,较低配比(x=11、.44)的样品多晶转变较为明显,结晶度较高,说明较小x值的薄膜晶化温度较低,而高x值的薄膜晶化温度较高。用CuxTe薄膜作为背接触层,获得了效率为12.5%的CdS/CdTe小面积太阳电池。 展开更多
关键词 CuxTe薄膜 真空共蒸发法 退火 结构
下载PDF
ZnTe多晶薄膜及其在CdTe太阳电池中的应用研究
5
作者 蔡道林 郑家贵 +8 位作者 张静全 冯良桓 邵烨 蔡伟 蔡亚平 李卫 黎兵 武莉莉 冷文建 《云南大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 2002年第S1期87-89,共2页
用真空共蒸发法制备ZnTe(ZnTe :Cu)薄膜 .刚沉积的ZnTe(ZnTe :Cu)薄膜为高度 (111)择优取向的立方相 ,适度掺Cu为立方和六方混合相 ,晶粒大小 2 0～ 6 0nm .作为背接触层获得了转换效率为 11.6 %的太阳电池 .
关键词 ZnTe:Cu薄膜 真空共蒸 太阳电池 应用
全文增补中
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部