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单轴应变锗带隙特性和电子有效质量计算
被引量：
1
1
作者
底琳佳
戴显英
+2 位作者
苗东铭
吴淑静
郝跃
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第3期24-29,共6页
应变工程在提升Ge器件性能方面起着重要作用,而能带结构是研究应变Ge电学、光学性质的理论基础.文中通过对角化一个包含自旋轨道相互作用和应变效应的30 k·p哈密顿矩阵,得到了单轴应变锗在整个布里渊区内的能带结构.根据能带色散关...
应变工程在提升Ge器件性能方面起着重要作用,而能带结构是研究应变Ge电学、光学性质的理论基础.文中通过对角化一个包含自旋轨道相互作用和应变效应的30 k·p哈密顿矩阵,得到了单轴应变锗在整个布里渊区内的能带结构.根据能带色散关系,研究了单轴应变锗导带能谷分裂与偏移、纵向和横向电子有效质量、电子态密度有效质量等随应力的变化情况.计算结果表明:在[001]、[111]方向单轴张应力作用下,锗由间接带隙转变成直接带隙;导带L和Δ能谷纵向、横向电子有效质量并不明显依赖于单轴应力,但沿[111]和[001]方向的单轴压应力可分别使L和Δ能谷态密度有效质量最小,这有利于减小电子散射几率,提升迁移率.
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关键词
30k·p方法
单轴应变锗
能带结构
电子有效质量
下载PDF
职称材料
题名
单轴应变锗带隙特性和电子有效质量计算
被引量：
1
1
作者
底琳佳
戴显英
苗东铭
吴淑静
郝跃
机构
西安电子科技大学微电子学院
西安电子科技大学宽带隙半导体国家重点学科实验室
出处
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第3期24-29,共6页
基金
国家部委重点基金资助项目(9140A08020115DZ01024)
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(XJS17061
+2 种基金
JBX171102)
中国博士后科学基金资助项目(2017M613061)
高等学校学科创新引智计划资助项目(B12026)
文摘
应变工程在提升Ge器件性能方面起着重要作用,而能带结构是研究应变Ge电学、光学性质的理论基础.文中通过对角化一个包含自旋轨道相互作用和应变效应的30 k·p哈密顿矩阵,得到了单轴应变锗在整个布里渊区内的能带结构.根据能带色散关系,研究了单轴应变锗导带能谷分裂与偏移、纵向和横向电子有效质量、电子态密度有效质量等随应力的变化情况.计算结果表明:在[001]、[111]方向单轴张应力作用下,锗由间接带隙转变成直接带隙;导带L和Δ能谷纵向、横向电子有效质量并不明显依赖于单轴应力,但沿[111]和[001]方向的单轴压应力可分别使L和Δ能谷态密度有效质量最小,这有利于减小电子散射几率,提升迁移率.
关键词
30k·p方法
单轴应变锗
能带结构
电子有效质量
Keywords
30
k·p
method
uniaxial
strained
gc
energy
band
structure
electron
effective
miass
分类号
TN304.1 [电子电信—物理电子学]
TN302
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
单轴应变锗带隙特性和电子有效质量计算
底琳佳
戴显英
苗东铭
吴淑静
郝跃
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
1
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