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题名一种NiO薄膜的新型制备方法及其应用
被引量：2
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作者
叶珂
乔明
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机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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出处
《电子与封装》
2016年第5期31-34,共4页
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文摘
利用热氧化法,在紫外线光源催化作用下,在N型硅衬底上沉积氧化镍(NiO)薄膜,制备具有半导体特性的NiO/Si异质结二极管。使用JASCO NRS-3100测量薄膜拉曼散射频谱,分析不同氧化时间、不同紫外线光源、不同退火条件对NiO薄膜性能的影响。实验结果表明:氧化时间为60 min时,金属Ni能够充分氧化;含臭氧水银灯比金属卤化物灯更有助于金属Ni的氧化反应;氮气下退火30 min,有助于消除晶格损伤,改善薄膜特性。通过Phillips X'Pert衍射仪分析NiO薄膜的晶体结构,Keysight B1500A半导体参数测量仪测量NiO/Si二极管的I-V特性,当二极管两端电压分别为2 V和-2 V时,电流密度相差3个数量级,表现出良好的整流特性。
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关键词
紫外线氧化
NiO薄膜
NiO/Si异质结二极管
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Keywords
ultraviolet（uv） oxidation
NiO thin films
NiO/Si diode
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分类号
TN305.5
[电子电信—物理电子学]
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