期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
Pt/Ga_(2)O_(3)/Nb:SrTiO_(3)光电器件的自驱动光响应及阻变效应
1
作者 张腾 张源 +4 位作者 任达华 李强 余基映 周金能 易金桥 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期161-169,共9页
为了构筑光传感和阻变一体化光电器件,利用脉冲激光沉积法制备兼具稳定自驱动光响应和电致阻变特性的Pt/Ga_(2)O_(3)/Nb:Sr TiO_(3)光电器件,研究了器件的光响应机制与阻变机理。在0 V偏压下,器件具有快速的紫外光响应特性(τr/τd=60 m... 为了构筑光传感和阻变一体化光电器件,利用脉冲激光沉积法制备兼具稳定自驱动光响应和电致阻变特性的Pt/Ga_(2)O_(3)/Nb:Sr TiO_(3)光电器件,研究了器件的光响应机制与阻变机理。在0 V偏压下,器件具有快速的紫外光响应特性(τr/τd=60 ms/120 ms),峰值光响应度达13.4 mA/W(λ=250 nm)。上述自驱动光响应被归因于Pt/Ga_(2)O_(3)界面形成的Schottky结内建电场对光生载流子的高效分离作用。同时,器件呈现稳定的双极性阻变行为,高/低阻值变换比约为104,通过施加不同的脉冲电压可实现多阻态间的快速切换,且具有良好的抗疲劳和保持特性。器件的多级阻变效应主要来源于载流子注入和氧空位陷阱中心束缚/解束缚对Schottky势垒的调控作用。以上研究对于开发新型Ga_(2)O_(3)基多功能光电器件具有指导意义。 展开更多
关键词 宽禁带半导体 氧化镓薄膜 紫外光响应 电致阻变效应
原文传递
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部