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不同衬底上层状MoS2薄膜制备及应用的研究进展 被引量:2
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作者 陶化文 黄玲琴 朱靖 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第10期737-747,759,共12页
二维层状MoS2薄膜具有超高的光响应度、高导电特性、良好的光学透明度以及优异的机械性能,是制造多功能和高性能光电探测器、传感器等最理想的半导体材料之一。在不同衬底上制备的MoS2薄膜性质有所差异,其构成的异质结性能也各具特色。... 二维层状MoS2薄膜具有超高的光响应度、高导电特性、良好的光学透明度以及优异的机械性能,是制造多功能和高性能光电探测器、传感器等最理想的半导体材料之一。在不同衬底上制备的MoS2薄膜性质有所差异,其构成的异质结性能也各具特色。首先,介绍了常用于制备层状MoS2薄膜的化学气相沉积(CVD)法和高温热分解法;然后,综述了在Si、塑料、GaN、GaAs、Si纳米线、蓝宝石、SiO2/Si和SiC等不同衬底上制备层状MoS2薄膜的方法,利用原子力显微镜、X射线衍射、拉曼光谱、X射线光电子能谱等测试方法对各衬底上制备的MoS2薄膜结构和性能进行了表征;同时讨论了相应的异质结器件的特性及应用,并对高质量MoS2薄膜在光电探测器、气体传感器、压电器件等光电子和纳电子器件中的应用进行了展望。 展开更多
关键词 二维层状mos2 GAN 蓝宝石 SiC 化学气相沉积(CVD)法 高温热分解法 异质结
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