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微波功率AlGaN/GaN HFET的二维能带和异质结构设计 被引量:4
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作者 薛舫时 《中国电子科学研究院学报》 2007年第5期456-463,共8页
在综述微波功率AlGaN/GaN HFET技术发展趋势基础上,提出了二维异质结能带优化设计的新课题。从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了利用异质界面上的极化电荷来剪裁异质结能带。用极化电荷设计近矩形前势垒能增大高能热电子的隧穿... 在综述微波功率AlGaN/GaN HFET技术发展趋势基础上,提出了二维异质结能带优化设计的新课题。从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了利用异质界面上的极化电荷来剪裁异质结能带。用极化电荷设计近矩形前势垒能增大高能热电子的隧穿势垒宽度,抑制电流崩塌。背势垒中的极化电荷强化了沟道阱的量子限制,减弱了沟道中的强场峰,能提高击穿电压和抑制电流崩塌。薄势垒层中的极化电荷强化了沟道阱的结构,降低势垒高度后能产生高密度的电子气。优化设计二维异质结构能抑制沟道中的强场峰和电流崩塌,提高击穿电压和大漏压下的输出功率。 展开更多
关键词 二维异质结构 HFET沟道中的强场峰 能带剪裁 极化电荷 电流崩塌
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二维材料异质结的可控制备及应用 被引量:4
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作者 肖遥 江贝 +2 位作者 杨柯娜 张涛 付磊 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第20期2262-2278,共17页
二维材料异质结是由石墨烯、六方氮化硼、过渡金属二硫族化合物、黑磷等二维材料通过面内拼接或层间堆叠形成的,并由此可分为二维材料面内异质结和垂直异质结.二维材料面内异质结可以实现区域内载流子的特殊传输行为;而垂直异质结中的... 二维材料异质结是由石墨烯、六方氮化硼、过渡金属二硫族化合物、黑磷等二维材料通过面内拼接或层间堆叠形成的,并由此可分为二维材料面内异质结和垂直异质结.二维材料面内异质结可以实现区域内载流子的特殊传输行为;而垂直异质结中的层间量子耦合效应能够导致新颖的物理特性,通过调节异质结构界面可调制器件的电学及光学性能.目前,随着电子器件、光电器件等对集成性、功能性的要求不断提高,二维材料异质结越来越多地受到研究者的关注,实现二维材料异质结结构(包括界面)的有效调控是构筑高性能、高集成器件的前提.本文主要对比各类二维材料异质结的制备方法,介绍主流的几类二维材料异质结基电子器件和光电器件的结构、工作原理和性能,展望有前景的新型制备方法,并指出二维材料异质结在实际应用中面临的挑战. 展开更多
关键词 二维材料异质结 剥离法 化学气相沉积法 电子器件 光电器件
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离子导体载流子输运与存储的界面调控 被引量:1
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作者 郭向欣 李泓 《物理》 CAS 北大核心 2011年第10期648-655,共8页
离子导电材料既可以是载流子主要为离子的纯离子导体,也可以是载流子同时包括离子和电子的混合离子导体.这两类材料是电化学能量转换与储存、化学传感以及选择性透过膜等器件的关键材料.在这些器件中,均存在电极与电解质、颗粒与颗粒、... 离子导电材料既可以是载流子主要为离子的纯离子导体,也可以是载流子同时包括离子和电子的混合离子导体.这两类材料是电化学能量转换与储存、化学传感以及选择性透过膜等器件的关键材料.在这些器件中,均存在电极与电解质、颗粒与颗粒、不同晶粒之间的二维或三维的异质结界面.因此,离子与电子在异质结中的输运性质对器件性能有重要的影响.但异质结的组成与结构如何影响载流子输运与存储的科学机理还远未得到澄清.与不规则的实际应用的粉体材料相比,二维离子导电异质结对于揭示界面作用机制具有显著的优势,这方面的研究刚刚起步.文章将着重介绍二维离子导电异质结的研究背景与研究进展、已经观察到的典型界面效应、载流子输运与存储特性,并对利用界面效应对材料的离子输运与存储的调控作简要评述. 展开更多
关键词 离子输运和存储 界面调控 二维异质结
原文传递
Recent Advances in 2D Lateral Heterostructures 被引量:2
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作者 Jianwei Wang Zhiqiang Li +2 位作者 Haiyuan Chen Guangwei Deng Xiaobin Niu 《Nano-Micro Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第3期196-226,共31页
Recent developments in synthesis and nanofabrication technologies offer the tantalizing prospect of realizing various applications from twodimensional(2D)materials.A revolutionary development is to flexibly construct ... Recent developments in synthesis and nanofabrication technologies offer the tantalizing prospect of realizing various applications from twodimensional(2D)materials.A revolutionary development is to flexibly construct many different kinds of heterostructures with a diversity of 2D materials.These 2D heterostructures play an important role in semiconductor and condensed matter physics studies and are promising candidates for new device designs in the fields of integrated circuits and quantum sciences.Theoretical and experimental studies have focused on both vertical and lateral 2D heterostructures;the lateral heterostructures are considered to be easier for planner integration and exhibit unique electronic and photoelectronic properties.In this review,we give a summary of the properties of lateral heterostructures with homogeneous junction and heterogeneous junction,where the homogeneous junctions have the same host materials and the heterogeneous junctions are combined with different materials.Afterward,we discuss the applications and experimental synthesis of lateral 2D heterostructures.Moreover,a perspective on lateral 2D heterostructures is given at the end. 展开更多
关键词 two-dimensional LATERAL heterostructures HOMOGENEOUS JUNCTION HETEROGENEOUS JUNCTION Electronic and photoelectronic properties TUNABLE mechanisms
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二维原子晶体的转移堆叠方法及其高质量电子器件的研究进展 被引量:1
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作者 王浩林 宗其军 +4 位作者 黄焱 陈以威 朱雨剑 魏凌楠 王雷 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第13期363-396,共34页
可剥离至原子层厚度的层状材料被称为二维原子晶体,是凝聚态物理研究的前沿材料体系之一.与体材料相比,二维原子晶体的原子完全暴露,对外界环境极为敏感,因此剥离、转移、旋转、堆叠、封装和器件加工技术对于其电子器件质量和电学输运... 可剥离至原子层厚度的层状材料被称为二维原子晶体,是凝聚态物理研究的前沿材料体系之一.与体材料相比,二维原子晶体的原子完全暴露,对外界环境极为敏感,因此剥离、转移、旋转、堆叠、封装和器件加工技术对于其电子器件质量和电学输运性质研究尤为关键.本文介绍了二维原子晶体转移工艺的重要发展,尤其是对其二维电子气的输运性质有突破性提升的进展.针对基于二维原子晶体的电子器件,从二维电子气的无序、接触电阻、载流子迁移率、可观测的量子霍尔态等角度衡量器件质量,并详细介绍了与之相对应的转移技术、器件结构与加工工艺. 展开更多
关键词 二维原子晶体 转移方法 二维异质结 电输运
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AlInN三明治势垒GaN HFET 被引量:1
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作者 薛舫时 孔月婵 +3 位作者 董逊 周建军 李忠辉 陈辰 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期421-428,472,共9页
介绍了国际上AlInN势垒HFET的最新发展。从器件性能分析中发现这种新势垒显著提高了沟道电子气密度,增大了强场漂移速度,消除应变提高了器件可靠性和热稳定性,能在高温下有效工作,使GaN HFET研究走上新的台阶。但是薄势垒引起的大栅流... 介绍了国际上AlInN势垒HFET的最新发展。从器件性能分析中发现这种新势垒显著提高了沟道电子气密度,增大了强场漂移速度,消除应变提高了器件可靠性和热稳定性,能在高温下有效工作,使GaN HFET研究走上新的台阶。但是薄势垒引起的大栅流和电流崩塌是阻碍器件性能提高和实际应用的主要瓶颈。利用AlInN/AlGaN异质界面的大能带带阶和强极化电荷来剪裁能带,设计出新的三明治势垒,满足内、外沟道和欧姆接触势垒的要求。可望消除上述瓶颈,使AlInN势垒GaN HFET付诸实用。 展开更多
关键词 铝铟氮/氮化镓异质结场效应管 铝铟氮三明治势垒 栅流 电流崩塌 二维异质结构
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GaN HFET的综合设计 被引量:1
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作者 薛舫时 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期473-479,共7页
从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发,研究了负极化电荷在强化沟道阱量子限制和能带剪裁中的作用。优化设计负极化电荷的位置后给出了新的复合势垒设计。提出了新的动态电流崩塌模型和二维异质结构概念,把原位Si3N4钝化和复合势垒结合... 从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发,研究了负极化电荷在强化沟道阱量子限制和能带剪裁中的作用。优化设计负极化电荷的位置后给出了新的复合势垒设计。提出了新的动态电流崩塌模型和二维异质结构概念,把原位Si3N4钝化和复合势垒结合起来实现二维异质结构。用AlGaN/AlInN复合势垒解决了AlInNHFET中的欧姆接触电阻大和沟道不易夹断两大难题。通过能带剪裁和二维异质结构设计完成了包含钝化、场板电极、挖槽、薄势垒欧姆接触、GaN帽层和AlN插入层等方案优点的新综合设计。 展开更多
关键词 氮化镓异质结场效应管 铝镓氮/铝铟氮复合势垒 能带剪裁 动态电流崩塌模型 二维异质结构 综合设计
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