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受杂散电感影响的大容量变换器中IGCT关断特性研究 被引量：31
1
作者 易荣 赵争鸣 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2007年第31期115-120,共6页
集成门极换流晶闸管(IGCT)是大容量变换器高效可靠运行的重要元件。电路杂散电感会严重地影响IGCT的关断特性,增大器件的电压应力和关断损耗,甚至导致器件损坏。以基于IGCT的12 50kW/6kV三电平变频器为例,通过理论分析、仿真和实验,深... 集成门极换流晶闸管(IGCT)是大容量变换器高效可靠运行的重要元件。电路杂散电感会严重地影响IGCT的关断特性,增大器件的电压应力和关断损耗,甚至导致器件损坏。以基于IGCT的12 50kW/6kV三电平变频器为例,通过理论分析、仿真和实验,深入研究杂散电感对IGCT关断特性的影响。通过引入影响因子的概念,评估不同支路杂散电感影响的严重程度,据此提出杂散电感的设计原则。结合变换器柜上的单管IGCT测试方案,使得杂散电感和IGCT关断特性的准确预估成为可能,为基于IGCT的大容量变换器的设计和优化提供了重要的指导。 展开更多
关键词 杂散电感 集成门极换流晶闸管 关断特性 大容量变换器
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SOS半导体断路开关器件研制和实验研究 被引量：5
2
作者 刘健 张斌 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2006年第5期130-132,共3页
半导体断路开关是一种新型固体开关器件,具有反向恢复电流高速关断的特性。描述了半导体断路开关器件的工作原理、制造工艺和测试方法。通过杂质扩散工艺实验,试制了不同p区扩散深度和不同基区宽度的半导体断路开关二极管,利用高能电子... 半导体断路开关是一种新型固体开关器件,具有反向恢复电流高速关断的特性。描述了半导体断路开关器件的工作原理、制造工艺和测试方法。通过杂质扩散工艺实验,试制了不同p区扩散深度和不同基区宽度的半导体断路开关二极管,利用高能电子束辐照方法改变器件中的少子寿命。最后,对试制的不同结构器件的正向导通、反向恢复等特性进行了测试,试制样品具有较低的正向导通峰值压降和较高的反向关断速度。实验表明,通过控制基区宽度和少子寿命,可以得到反向恢复特性很好的半导体断路开关器件。 展开更多
关键词 半导体 开关/反向恢复 关断特性
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影响超快光电导开关关断特性的主次因素 被引量：2
3
作者 王馨梅 施卫 《西安理工大学学报》 CAS 2008年第4期407-410,共4页
超快光电半导体开关的最大重复工作频率由关断特性决定,而影响关断特性的因素很多。基于超快光电半导体开关的大量实验,分析了影响关断特性的主要因素和次要因素,认为关断特性主要取决于载流子的寿命、载流子的漂移速度、深能级陷阱作用... 超快光电半导体开关的最大重复工作频率由关断特性决定,而影响关断特性的因素很多。基于超快光电半导体开关的大量实验,分析了影响关断特性的主要因素和次要因素,认为关断特性主要取决于载流子的寿命、载流子的漂移速度、深能级陷阱作用,其中,载流子寿命是最重要的因素。触发光参数及光电耦合关系、电极工艺、电路参数对关断特性有一定影响。 展开更多
关键词 光电半导体开关 关断特性 影响因素
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负载电感对IGBT关断测试的影响 被引量：3
4
作者 滕渊 覃荣震 +2 位作者 杨鑫著 罗湘 肖强 《大功率变流技术》 2017年第5期51-54,共4页
在IGBT动态测试电路(箝位感性负载电路)中,负载电感的作用是提供一个近似恒定的电流源。通常认为,负载电感只是起续流作用,并不关注其取值对IGBT关断参数的影响。文章通过测试与数值仿真发现,在一定范围内,IGBT的关断参数随负载电感增... 在IGBT动态测试电路(箝位感性负载电路)中,负载电感的作用是提供一个近似恒定的电流源。通常认为,负载电感只是起续流作用,并不关注其取值对IGBT关断参数的影响。文章通过测试与数值仿真发现,在一定范围内,IGBT的关断参数随负载电感增大而增大,且不同类型的IGBT关断参数对负载电感取值的敏感性不同;通过对器件进行物理层面的分析发现,负载电感会影响关断时的电压上升速率,进而影响关断时的空穴电流比例。 展开更多
关键词 IGBT 关断特性 负载电感
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±1100 kV/12 GW特高压换流阀关键技术研究
5
作者 马元社 苟锐锋 《电力电子技术》 北大核心 2023年第11期40-42,67,共4页
随着特高压(UHV)直流输电技术的不断成熟和完善,输送容量又达到了新高度,总结了±1 100 kV/12 GW UHV换流阀设计所采用的关键技术,此处仅从换流阀关断特性研究、结温控制技术研究和型式试验展开分析,首先结合晶闸管特性和试验数据,... 随着特高压(UHV)直流输电技术的不断成熟和完善,输送容量又达到了新高度,总结了±1 100 kV/12 GW UHV换流阀设计所采用的关键技术,此处仅从换流阀关断特性研究、结温控制技术研究和型式试验展开分析,首先结合晶闸管特性和试验数据,提出了换流阀不同运行工况下反向恢复电荷修正函数;在此基础上根据换流阀内部拓扑结构,提出了晶闸管结温计算方法,建立了换流阀应力分析模型。所设计制造的±1 100 kV/12GW晶闸管换流阀,根据IEC 60700-1标准通过了全套型式试验,并应用于世界上第一条电压等级最高、输送容量最大的“昌吉-古泉±1 100 kV/12 GW UHV直流工程”,为后续UHV换流阀精益化设计奠定了良好基础。 展开更多
关键词 换流阀 关断特性 结温控制
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槽栅结构SiC材料IGBT的仿真及优化分析
6
作者 李俊楠 战可涛 《北京化工大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期104-108,共5页
运用半导体物理理论和功率器件模拟软件(SILVACO-TCAD),研究了新型宽禁带材料SiC槽栅结构IGBT功率半导体器件的电学特性,模拟了不同厚度和掺杂浓度漂移层和缓冲层的IGBT器件的阈值电压、开关特性和导通特性曲线,并分析了漂移层和缓冲层... 运用半导体物理理论和功率器件模拟软件(SILVACO-TCAD),研究了新型宽禁带材料SiC槽栅结构IGBT功率半导体器件的电学特性,模拟了不同厚度和掺杂浓度漂移层和缓冲层的IGBT器件的阈值电压、开关特性和导通特性曲线,并分析了漂移层和缓冲层厚度及掺杂浓度对电学特性的影响。结果表明,当SiC-IGBT功率器件漂移层和缓冲层厚度分别为65μm和2.5μm,掺杂浓度分别为1×1015和5×1015 cm-3时,得到击穿电压为3400 V,阈值电压为8 V。 展开更多
关键词 4H-SIC 绝缘栅双极型晶体管 阈值电压 击穿电压 开关特性
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