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题名TSV转接板空腔金属化与再布线层一体成型技术
被引量：1
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作者
曹睿
戴风伟
陈立军
周云燕
曹立强
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机构
中国科学院大学
中国科学院微电子研究所
上海先方半导体有限公司
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第10期790-795,共6页
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基金
国家科技重大专项资助项目(2017ZX02315005-004)。
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文摘
为满足射频微波应用的需求并实现三维异质集成,提出了一种带有大尺寸空腔结构的硅通孔(TSV)转接板,研究了其空腔金属化与表面金属再布线层(RDL)一体成型技术。首先,刻蚀空腔并整面沉积一层2μm厚的SiO2;然后,在不损伤其他部分绝缘层的条件下,通过干法刻蚀完成TSV背面SiO2刻蚀;最后,通过整面电镀实现空腔金属化和RDL一体成型,并通过金属反向刻蚀形成RDL。重点研究了对TSV背面SiO2刻蚀时对空腔拐角的保护方法,以及在形成表面RDL时对空腔侧壁金属层的保护方法。最终获得了带有120μm深空腔的TSV转接板样品,其中空腔侧壁和表面RDL的金属层厚度均为8μm。
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关键词
三维异质集成
硅通孔(tsv)转接板
空腔金属化
再布线层(RDL)
一体成型
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Keywords
3D heterogeneous integration
trough silicon via(tsv)interposer
cavity metallization
redistribution layer(RDL)
integrated forming
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分类号
TN305
[电子电信—物理电子学]
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