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一种沟槽型场限环VDMOSFET终端结构
被引量：
3
1
作者
石存明
冯全源
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第1期132-135,共4页
场限环结构以其简单的工艺和较高的效率,在垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构中得到广泛应用,但其性能的提高也有限制。沟槽型终端结构对刻蚀工艺要求较高,并未在实际生产中得到大量应用。将场限环终端结构与沟槽终端结构相结合...
场限环结构以其简单的工艺和较高的效率,在垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构中得到广泛应用,但其性能的提高也有限制。沟槽型终端结构对刻蚀工艺要求较高,并未在实际生产中得到大量应用。将场限环终端结构与沟槽终端结构相结合,设计了一种沟槽型场限环终端,在149.7μm的有效终端长度上实现了708V的仿真击穿电压。此结构可以得到较大的结深,硅体内部高电场区距离表面较远,硅表面电场仅为1.83E5V/cm,具有较高的可靠性。同时,工艺中只增加了沟槽刻蚀和斜离子里注入,没有增加额外的掩膜。
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关键词
场限环
沟槽终端
击穿电压
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职称材料
一种沟槽型SGTMOSFET终端结构
2
作者
湛涛
冯全源
《中国集成电路》
2023年第12期40-44,共5页
为了在提升终端耐压的同时减少终端的使用面积,基于屏蔽栅沟槽型MOSFET (shielded gate trench MOSFET,简称SGTMOSFET)设计了一种沟槽型终端。通过Sentaurus TCAD软件对终端结构进行仿真,仅改变沟槽和P型环参数,最终使终端的耐压达到了1...
为了在提升终端耐压的同时减少终端的使用面积,基于屏蔽栅沟槽型MOSFET (shielded gate trench MOSFET,简称SGTMOSFET)设计了一种沟槽型终端。通过Sentaurus TCAD软件对终端结构进行仿真,仅改变沟槽和P型环参数,最终使终端的耐压达到了135V,有效终端长度仅为18.5μm。此终端结构适用于中低压领域,且在SGTMOSFET元胞工艺步骤的基础上仅增加了一层掩膜,终端结构工艺和元胞工艺兼容,易于实现。
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关键词
屏蔽栅沟槽型金属氧化物场效应晶体管
沟槽终端
耗尽层
击穿电压
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职称材料
一种提高硅双极器件频率和功率的新技术
3
作者
周蓉
胡思福
张庆中
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第2期100-102,共3页
提出了一种能同时提高硅双极器件频率和功率的新技术——具有深阱终端结构的新型梳状深阱结构技术。采用 MEDICI模拟分析表明 ,该技术可将双极器件的击穿电压 BVCB0 提高到平行平面结的 90 %以上 ;可减小寄生效应和漏电流 ,有助于提高...
提出了一种能同时提高硅双极器件频率和功率的新技术——具有深阱终端结构的新型梳状深阱结构技术。采用 MEDICI模拟分析表明 ,该技术可将双极器件的击穿电压 BVCB0 提高到平行平面结的 90 %以上 ;可减小寄生效应和漏电流 ,有助于提高小电流β0 ;可适当地增加集电区掺杂浓度 ,减小 τd,同时提高 ICM和 Po。采用该技术后 ,有效集电结的面积约为无阱器件的 50 % ,结电容较小 ,截止频率可提高一倍以上。该技术大大缓解了频率和功率的矛盾 。
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关键词
硅双极器件
频率
功率
深阱终端结构
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职称材料
双极RF功率管的深阱结终端
被引量：
1
4
作者
周蓉
胡思福
+1 位作者
李肇基
张庆中
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第4期396-400,共5页
给出了双极 RF功率管新的深阱结终端结构 .模拟分析表明 ,具有优化宽度、优化深度且填充绝缘介质的深阱结终端结构能使雪崩击穿电压提高到理想值的 95 %以上 .实验结果表明 ,深阱结终端结构器件 DCT2 6 0的BVCBO为理想值的 94 % ,比传...
给出了双极 RF功率管新的深阱结终端结构 .模拟分析表明 ,具有优化宽度、优化深度且填充绝缘介质的深阱结终端结构能使雪崩击穿电压提高到理想值的 95 %以上 .实验结果表明 ,深阱结终端结构器件 DCT2 6 0的BVCBO为理想值的 94 % ,比传统终端结构器件高 14 % ;与传统结构相比 ,在不减小散热面积的情况下 ,该结构还减小集电结面积和漏电流 ,器件的截止频率提高 33% ,功率增益提高 1d
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关键词
双极RF功率管
深陆结终端
击穿电压
填充介质
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职称材料
题名
一种沟槽型场限环VDMOSFET终端结构
被引量：
3
1
作者
石存明
冯全源
机构
西南交通大学微电子研究所
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第1期132-135,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(61271090
61531016)
四川省科技支撑计划项目(2015GZ0103)
文摘
场限环结构以其简单的工艺和较高的效率,在垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构中得到广泛应用,但其性能的提高也有限制。沟槽型终端结构对刻蚀工艺要求较高,并未在实际生产中得到大量应用。将场限环终端结构与沟槽终端结构相结合,设计了一种沟槽型场限环终端,在149.7μm的有效终端长度上实现了708V的仿真击穿电压。此结构可以得到较大的结深,硅体内部高电场区距离表面较远,硅表面电场仅为1.83E5V/cm,具有较高的可靠性。同时,工艺中只增加了沟槽刻蚀和斜离子里注入,没有增加额外的掩膜。
关键词
场限环
沟槽终端
击穿电压
Keywords
Field
limit
ring
trench
termination
Breakdown
voltage
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
一种沟槽型SGTMOSFET终端结构
2
作者
湛涛
冯全源
机构
西南交通大学微电子研究所
出处
《中国集成电路》
2023年第12期40-44,共5页
文摘
为了在提升终端耐压的同时减少终端的使用面积,基于屏蔽栅沟槽型MOSFET (shielded gate trench MOSFET,简称SGTMOSFET)设计了一种沟槽型终端。通过Sentaurus TCAD软件对终端结构进行仿真,仅改变沟槽和P型环参数,最终使终端的耐压达到了135V,有效终端长度仅为18.5μm。此终端结构适用于中低压领域,且在SGTMOSFET元胞工艺步骤的基础上仅增加了一层掩膜,终端结构工艺和元胞工艺兼容,易于实现。
关键词
屏蔽栅沟槽型金属氧化物场效应晶体管
沟槽终端
耗尽层
击穿电压
Keywords
shielded
gate
trench
MOSFET
trench
termination
depletion
region
breakdown
voltage
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
一种提高硅双极器件频率和功率的新技术
3
作者
周蓉
胡思福
张庆中
机构
电子科技大学微电子科学与工程系
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第2期100-102,共3页
文摘
提出了一种能同时提高硅双极器件频率和功率的新技术——具有深阱终端结构的新型梳状深阱结构技术。采用 MEDICI模拟分析表明 ,该技术可将双极器件的击穿电压 BVCB0 提高到平行平面结的 90 %以上 ;可减小寄生效应和漏电流 ,有助于提高小电流β0 ;可适当地增加集电区掺杂浓度 ,减小 τd,同时提高 ICM和 Po。采用该技术后 ,有效集电结的面积约为无阱器件的 50 % ,结电容较小 ,截止频率可提高一倍以上。该技术大大缓解了频率和功率的矛盾 。
关键词
硅双极器件
频率
功率
深阱终端结构
Keywords
High
frequency/high
power
device
Deep
trench
termination
Silicon
bipolar
transistor
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
双极RF功率管的深阱结终端
被引量：
1
4
作者
周蓉
胡思福
李肇基
张庆中
机构
电子科技大学微电子科学与工程系
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第4期396-400,共5页
文摘
给出了双极 RF功率管新的深阱结终端结构 .模拟分析表明 ,具有优化宽度、优化深度且填充绝缘介质的深阱结终端结构能使雪崩击穿电压提高到理想值的 95 %以上 .实验结果表明 ,深阱结终端结构器件 DCT2 6 0的BVCBO为理想值的 94 % ,比传统终端结构器件高 14 % ;与传统结构相比 ,在不减小散热面积的情况下 ,该结构还减小集电结面积和漏电流 ,器件的截止频率提高 33% ,功率增益提高 1d
关键词
双极RF功率管
深陆结终端
击穿电压
填充介质
Keywords
bipolar
RF
power
devices
deep
trench
junction
termination
avalanche
breakdown
voltage
filling
dielectric
分类号
TN323 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种沟槽型场限环VDMOSFET终端结构
石存明
冯全源
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2016
3
下载PDF
职称材料
2
一种沟槽型SGTMOSFET终端结构
湛涛
冯全源
《中国集成电路》
2023
0
下载PDF
职称材料
3
一种提高硅双极器件频率和功率的新技术
周蓉
胡思福
张庆中
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2000
0
下载PDF
职称材料
4
双极RF功率管的深阱结终端
周蓉
胡思福
李肇基
张庆中
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
1
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
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