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热处理温度对溶胶凝胶法制备ZnO:Sn薄膜性能的影响 被引量：8
1
作者 陈俊 胡跃辉 +3 位作者 胡鸿豪 张效华 陈义川 陈新华 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2013年第1期5-10,共6页
采用溶胶-凝胶法在石英玻璃上制备掺锡氧化锌(ZnO:Sn)透明导电薄膜,研究了干燥温度和退火温度对薄膜结晶度、微观结构、光电特性的影响。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见光光度计(UV-VIS)和四探针法等分析方法对Z... 采用溶胶-凝胶法在石英玻璃上制备掺锡氧化锌(ZnO:Sn)透明导电薄膜,研究了干燥温度和退火温度对薄膜结晶度、微观结构、光电特性的影响。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见光光度计(UV-VIS)和四探针法等分析方法对ZnO:Sn薄膜进行分析表征,结果表明:在300℃温度下干燥10min后,在700℃空气中退火1h制备出的ZnO:Sn薄膜表面平整,具有c轴择优取向,平均透过率达到92%以上,电阻率仅为13.6Ω.cm。 展开更多
关键词 透明氧化物半导体 ZNO薄膜 Sn掺杂 溶胶-凝胶法
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溶胶-凝胶法制备ZnO:Sn薄膜的微观结构及光电特性 被引量：6
2
作者 马德福 胡跃辉 +3 位作者 胡鸿豪 张效华 陈义川 陈新华 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期25-27,34,共4页
利用溶胶-凝胶法在石英玻璃衬底上制备Sn掺杂ZnO薄膜(ZnO:Sn),研究了不同Sn掺杂量对薄膜结晶性、表面形貌和光电特性的影响。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见光光度计(UV-VIS)和四探针测试仪对ZnO:Sn薄膜进行表征... 利用溶胶-凝胶法在石英玻璃衬底上制备Sn掺杂ZnO薄膜(ZnO:Sn),研究了不同Sn掺杂量对薄膜结晶性、表面形貌和光电特性的影响。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见光光度计(UV-VIS)和四探针测试仪对ZnO:Sn薄膜进行表征,结果表明:Sn掺杂2at.%时,薄膜具有良好的c轴择优取向,表面簇拥生长并呈现六角形结构,薄膜的平均透光率大约为90%,电阻率最小仅为19.6Ω.cm。 展开更多
关键词 透明氧化物半导体 ZNO薄膜 锡掺杂 溶胶-凝胶法
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非晶InGaZnO薄膜成分配比对透明性和迁移率的影响 被引量：1
3
作者 苏雪琼 王丽 +1 位作者 甘渝林 李宬汉 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第12期49-52,共4页
利用固相反应法制备了富铟含量在不同成分配比下的高质量InGaZnO陶瓷靶材,采用脉冲激光沉积法,在基片温度为20℃、氧压为1Pa条件下,在石英玻璃衬底上生长了非晶InGaZnO薄膜,并对薄膜进行X射线衍射、透射吸收光谱、拉曼光谱与霍尔效应测... 利用固相反应法制备了富铟含量在不同成分配比下的高质量InGaZnO陶瓷靶材,采用脉冲激光沉积法,在基片温度为20℃、氧压为1Pa条件下,在石英玻璃衬底上生长了非晶InGaZnO薄膜,并对薄膜进行X射线衍射、透射吸收光谱、拉曼光谱与霍尔效应测试。通过对InGaZnO薄膜的测试表征,在较低温度条件下,铟含量较高的薄膜样品保持了非晶结构、可见光的高透明性和高电子迁移率,InGaZnO薄膜有望应用于电子器件。 展开更多
关键词 透明氧化物半导体 非晶IGZO薄膜 脉冲激光沉积 透明性 电子迁移率
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透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展 被引量：8
4
作者 王中健 王龙彦 +2 位作者 马仙梅 付国柱 荆海 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期210-216,共7页
透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管(TAOS-TFT)以其诸多优势受到研究人员的青睐,最近几年发展迅速。文章以传统薄膜晶体管做对照,详细介绍了TAOS-TFT的原理、结构和性能,总结出TAOS-TFT相对于Si基TFT具有制备温度低、均一性好、迁移率高... 透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管(TAOS-TFT)以其诸多优势受到研究人员的青睐,最近几年发展迅速。文章以传统薄膜晶体管做对照,详细介绍了TAOS-TFT的原理、结构和性能,总结出TAOS-TFT相对于Si基TFT具有制备温度低、均一性好、迁移率高、对可见光全透明和阈值电压低等5方面的优势,指出了TAOS-TFT在进一步实用化过程中所面临的几个重要问题,其中最为重要的是需要尽快建立自身的集约化物理模型。 展开更多
关键词 透明非晶态氧化物半导体 薄膜晶体管 有源矩阵有机发光二极管 有源矩阵电泳显示器 集约化模型
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