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高性能透射式GaAs光电阴极量子效率拟合与结构研究
被引量:
8
1
作者
赵静
张益军
+5 位作者
常本康
熊雅娟
张俊举
石峰
程宏昌
崔东旭
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第10期679-685,共7页
为了探索高性能透射式GaAs光电阴极的特征结构,对光电阴极量子效率公式进行了光谱反射率与短波截止限的修正,并利用修正后的公式对ITT透射式GaAs光电阴极量子效率(≈43%)曲线进行了拟合,得到拟合相对误差小于5%时的结构参数为:窗口层Ga1...
为了探索高性能透射式GaAs光电阴极的特征结构,对光电阴极量子效率公式进行了光谱反射率与短波截止限的修正,并利用修正后的公式对ITT透射式GaAs光电阴极量子效率(≈43%)曲线进行了拟合,得到拟合相对误差小于5%时的结构参数为:窗口层Ga1-xAlxAs的厚度介于0.3—0.5μm,Al组分x值为0.7,发射层GaAs的厚度介于1.1—1.4μm.另外,根据拟合结果讨论了均匀掺杂透射式GaAs光电阴极的优化结构参数,如果光电阴极具有0.4μm厚的Ga1-xAlxAs(x=0.7)窗口层和1.1—1.5μm厚的GaAs发射层,则积分灵敏度可以达到2350μA/lm以上.
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关键词
透射式
gaas
光电阴极
量子效率
积分灵敏度
光学性能
原文传递
一种提高透射式GaAs光电阴极响应速度的方案
被引量:
1
2
作者
郭里辉
《高速摄影与光子学》
CSCD
1990年第1期16-22,共7页
本文提出了一种可提高透射式GaAs光电阴极响应速度的阴极结构方案,并对这种结构的透射式GaAs光电阴极在电场作用下的响应时间进行了理论计算。计算结果表明,这种结构可便透射式GaAs光电阴极的响应时间由1ns左右减少到几个或几十个ps。
关键词
gaas
光电阴极
响应速度
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职称材料
透射式GaAs光电阴极抗光反射膜的研究
3
作者
郭里辉
赛小锋
侯洵
《高速摄影与光子学》
CSCD
1991年第2期160-166,共7页
本文计算了在透射式GaAs光电阴极的窗玻璃和GaAlAs缓冲层之间引入Si_3N_4或SiO_2膜使光电阴极的入射光反射率所产生的变化,并测量了Si_3N_4膜、SiO_2膜和SiO_2/Si_3N_4复合膜对阴极反射率的影响。理论计算和测量表明,Si_3N_4膜和SiO_2/S...
本文计算了在透射式GaAs光电阴极的窗玻璃和GaAlAs缓冲层之间引入Si_3N_4或SiO_2膜使光电阴极的入射光反射率所产生的变化,并测量了Si_3N_4膜、SiO_2膜和SiO_2/Si_3N_4复合膜对阴极反射率的影响。理论计算和测量表明,Si_3N_4膜和SiO_2/Si_3N_4复合膜可有效地降低光电阴极对入射光的反射率。当Si_3N_4膜的厚度约为100nm时,可使光电阴极的反射率降低近60%。本文结果为科学地选择透射式GaAs光电阴极所需的的抗光反射膜提供了依据。
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关键词
gaas
光电阴极
抗光
反射膜
反射率
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职称材料
题名
高性能透射式GaAs光电阴极量子效率拟合与结构研究
被引量:
8
1
作者
赵静
张益军
常本康
熊雅娟
张俊举
石峰
程宏昌
崔东旭
机构
南京理工大学电子工程与光电技术学院
微光夜视技术国防科技重点实验室.西安
西安应用光学研究所
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第10期679-685,共7页
基金
国家自然科学基金(批准号:60678043)
江苏省普通高校研究生科研创新计划(批准号:CX09B_096Z)
南京理工大学自主科研专项计划(批准号:2010ZYTS032)资助的课题~~
文摘
为了探索高性能透射式GaAs光电阴极的特征结构,对光电阴极量子效率公式进行了光谱反射率与短波截止限的修正,并利用修正后的公式对ITT透射式GaAs光电阴极量子效率(≈43%)曲线进行了拟合,得到拟合相对误差小于5%时的结构参数为:窗口层Ga1-xAlxAs的厚度介于0.3—0.5μm,Al组分x值为0.7,发射层GaAs的厚度介于1.1—1.4μm.另外,根据拟合结果讨论了均匀掺杂透射式GaAs光电阴极的优化结构参数,如果光电阴极具有0.4μm厚的Ga1-xAlxAs(x=0.7)窗口层和1.1—1.5μm厚的GaAs发射层,则积分灵敏度可以达到2350μA/lm以上.
关键词
透射式
gaas
光电阴极
量子效率
积分灵敏度
光学性能
Keywords
transmission
-
mode
gaas
photocathode
quantum
efficient
integral
sensitivity
optical
properties
分类号
O462 [理学—电子物理学]
原文传递
题名
一种提高透射式GaAs光电阴极响应速度的方案
被引量:
1
2
作者
郭里辉
机构
中国科学院西安光机所
出处
《高速摄影与光子学》
CSCD
1990年第1期16-22,共7页
文摘
本文提出了一种可提高透射式GaAs光电阴极响应速度的阴极结构方案,并对这种结构的透射式GaAs光电阴极在电场作用下的响应时间进行了理论计算。计算结果表明,这种结构可便透射式GaAs光电阴极的响应时间由1ns左右减少到几个或几十个ps。
关键词
gaas
光电阴极
响应速度
Keywords
transmission
-
mode
gaas
photocathode
Response
time
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
透射式GaAs光电阴极抗光反射膜的研究
3
作者
郭里辉
赛小锋
侯洵
机构
中国科学院西安光学精密机械研究所
出处
《高速摄影与光子学》
CSCD
1991年第2期160-166,共7页
文摘
本文计算了在透射式GaAs光电阴极的窗玻璃和GaAlAs缓冲层之间引入Si_3N_4或SiO_2膜使光电阴极的入射光反射率所产生的变化,并测量了Si_3N_4膜、SiO_2膜和SiO_2/Si_3N_4复合膜对阴极反射率的影响。理论计算和测量表明,Si_3N_4膜和SiO_2/Si_3N_4复合膜可有效地降低光电阴极对入射光的反射率。当Si_3N_4膜的厚度约为100nm时,可使光电阴极的反射率降低近60%。本文结果为科学地选择透射式GaAs光电阴极所需的的抗光反射膜提供了依据。
关键词
gaas
光电阴极
抗光
反射膜
反射率
Keywords
transmission
mode
gaas
photocathode
Anti-reflection
film
Reflectivity
分类号
TN144.03 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高性能透射式GaAs光电阴极量子效率拟合与结构研究
赵静
张益军
常本康
熊雅娟
张俊举
石峰
程宏昌
崔东旭
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
8
原文传递
2
一种提高透射式GaAs光电阴极响应速度的方案
郭里辉
《高速摄影与光子学》
CSCD
1990
1
下载PDF
职称材料
3
透射式GaAs光电阴极抗光反射膜的研究
郭里辉
赛小锋
侯洵
《高速摄影与光子学》
CSCD
1991
0
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职称材料
已选择
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