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题名基于GaAs工艺的L波段收发多功能芯片设计
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作者
高显
戴剑
傅琦
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《通信电源技术》
2023年第8期74-76,80,共4页
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文摘
基于0.15μm GaAs伪形态高电子迁移率晶体管(Pseudomorphic High Eleotron Mobility Transistor,PHEMT)工艺,设计了一款L波段收发多功能芯片。芯片内部集成6位数控衰减器、6位数控延时器、接收放大器、发射放大器、单刀双掷开关及数字驱动电路。经测试得到,接收通道增益大于3 dB,1 dB压缩输入功率大于3 dBm,噪声系数小于4 dB,64态衰减精度均方根(Root Mean Square,RMS)小于0.6 dB,64态延时精度RMS小于8 ps;发射通道增益大于24 dB,饱和输出功率大于23 dBm,64态延时精度RMS小于8.7 ps。芯片尺寸为4.00 mm×4.00 mm×0.07 mm。
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关键词
收发多功能芯片
L波段
GaAs
PHEMT工艺
衰减器
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Keywords
transceiver multi-function monolithic
L-band
the GaAs PHEMT technology
attenuator
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分类号
TN7
[电子电信—电路与系统]
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