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非线性光学晶体BaBPO_5的生长、结构研究 被引量:5
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作者 潘世烈 吴以成 +3 位作者 傅佩珍 张国春 杜晨霞 陈创天 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期281-285,共5页
本文采用顶部籽晶高温溶液法 ,以Li4P2 O7为助熔剂 ,生长了大尺寸BaBPO5单晶。进行了BaBPO5晶体的结构测定 ,结果表明该晶体属三方晶系 ,空间群 :P32 2 1,晶胞参数为a =b =0 .7132 9(10 )nm ,c =0 .70 36 8(14 )nm ,α =β =90° ,... 本文采用顶部籽晶高温溶液法 ,以Li4P2 O7为助熔剂 ,生长了大尺寸BaBPO5单晶。进行了BaBPO5晶体的结构测定 ,结果表明该晶体属三方晶系 ,空间群 :P32 2 1,晶胞参数为a =b =0 .7132 9(10 )nm ,c =0 .70 36 8(14 )nm ,α =β =90° ,γ =12 0°,Z =3。该晶体结构中沿 [0 0 1]方向存在BO4四面体链 ,每一个硼氧四面体用它的两个顶点分别与两个PO4四面体相连组成螺旋状的链。硼氧四面体、磷氧四面体和钡氧多面体结合在一起形成一个三维网络结构。同时 ,对BaBPO5的粉末倍频效应进行了研究。 展开更多
关键词 BaBP05晶体 晶体结构 顶部籽晶法 倍频效应 线性光学晶体 晶体生长
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数值模拟顶部籽晶溶液生长法制备单晶碳化硅的研究进展 被引量:2
2
作者 隋占仁 徐凌波 +4 位作者 崔灿 王蓉 杨德仁 皮孝东 韩学峰 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第6期1067-1085,共19页
宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)凭借着其高击穿场强、高热导率、耐高温、高化学稳定性和抗辐射等优异性能,在电力电子器件领域尤其是高温、高频、高功率等应用场景下有着巨大潜力。大尺寸、高质量、低成本的单晶SiC的制备是SiC相关半导体... 宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)凭借着其高击穿场强、高热导率、耐高温、高化学稳定性和抗辐射等优异性能,在电力电子器件领域尤其是高温、高频、高功率等应用场景下有着巨大潜力。大尺寸、高质量、低成本的单晶SiC的制备是SiC相关半导体产品规模化应用的前提。顶部籽晶溶液生长(TSSG)法生长的单晶SiC有着晶体质量高、易扩径、易p型掺杂等优势,有望成为制备单晶SiC的主流方法。但目前由于该方法涉及的生长机理复杂,研究者对其内部机理的理解还不够充分,难以对TSSG生长设备和方法进行有效的改进与优化。利用计算机对TSSG法生长单晶SiC生长过程进行数值模拟被认为是对其内部机理探究的有效途径之一。本文首先回顾了TSSG法生长单晶SiC和相关数值模拟分析的发展历程,介绍了TSSG法生长单晶SiC和数值模拟的基本原理,然后介绍了数值模拟方法计算分析TSSG法生长单晶SiC模型涉及的主要模块、影响单晶生长的主要因素(如马兰戈尼力、浮力、电磁力等),以及对数值模型的优化方法。最后,指出了数值模拟方法计算分析TSSG法生长单晶SiC在未来的重点研究方向。 展开更多
关键词 宽禁带半导体 碳化硅 顶部籽晶溶液生长法 数值模拟 有限元 晶体生长 机器学习
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影响生长大尺寸和高质量β-BBO晶体的因素 被引量:3
3
作者 陈伟 江爱栋 王国富 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期227-230,共4页
本文讨论顶部籽晶法各种生长条件对大尺寸、高质量β BaB2O4晶体的影响,诸如助熔剂、温度梯度、晶体转速、降温速率、籽晶方向等晶体生长工艺参数。采用NaF作为助熔剂、〔001〕向的定向籽晶、接近液面温度梯度为3~8℃/cm、5~20r/min... 本文讨论顶部籽晶法各种生长条件对大尺寸、高质量β BaB2O4晶体的影响,诸如助熔剂、温度梯度、晶体转速、降温速率、籽晶方向等晶体生长工艺参数。采用NaF作为助熔剂、〔001〕向的定向籽晶、接近液面温度梯度为3~8℃/cm、5~20r/min的转速、0.05~0.1℃/h降温速率的生长工艺,使用直径为100mm的铂坩埚,成功地生长出100mm×40mm、光学均匀性为4.326×10 6的大尺寸高质量的β BBO晶体。 展开更多
关键词 β-BBO晶体 低温相偏硼酸钡 非线性光学晶体 晶体生长工艺 助熔剂 降温速率 光学均匀性
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Growth, structural, thermal properties and spectroscopic characteristics of KTb(WO_4)_2 single crystal 被引量:1
4
作者 李静 王继扬 +2 位作者 韩树娟 郭永解 王永政 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第10期967-971,共5页
KTb(WO4)2(KTW) single crystal with dimensions up to 30 mm×30 mm 10 mm was grown by the top-seeded solution growth (TSSG) method for the first time. The crystal structure was refined at room temperature by u... KTb(WO4)2(KTW) single crystal with dimensions up to 30 mm×30 mm 10 mm was grown by the top-seeded solution growth (TSSG) method for the first time. The crystal structure was refined at room temperature by using single crystal X-ray diffiaction data. Ab- sorption and fluorescence spectra were measured at room temperature. The fluorescence lifetime of KTb(WO4)2 was 114 μs. The specific heat of the KTh(WO4)2 crystal was also measured at room temperature. 展开更多
关键词 KTb(WO4)2 top-seeded solution growth crystal structure absorption specific heat rare earths
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Study on Formation Mechanism of Defects in Monoclinic KLu(WO<sub>4</sub>)<sub>2</sub>Crystals
5
作者 Kunpeng Wang Jinzhi Fang 《Materials Sciences and Applications》 2011年第6期634-637,共4页
The laser host crystals of KLu(WO4)2(KLuW) with large sizes up to 43 × 35 × 16 mm3 have been grown along, [110], b, and c crystallographic directions, respectively, by the top-seeded solution growth (TSSG) s... The laser host crystals of KLu(WO4)2(KLuW) with large sizes up to 43 × 35 × 16 mm3 have been grown along, [110], b, and c crystallographic directions, respectively, by the top-seeded solution growth (TSSG) slow-cooling method. The macro defects are observed using optical microscopy. The main defects found were cracks, inclusions, growth striations, sector boundaries and twin boundaries. The formation mechanism and approaches to reduce or eliminate the defects have been analyzed. 展开更多
关键词 growth DEFECTS KLu(WO4)2 CRYSTALS top-seeded solution growth
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顶部籽晶溶液法生长碳化硅单晶及其关键问题研究进展
6
作者 顾鹏 雷沛 +2 位作者 叶帅 胡晋 吴戈 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第5期741-759,共19页
因其优异的物理特性,第三代半导体碳化硅(SiC)材料在高温、高频、高压及大功率电力电子器件和射频微波器件领域具有非常明确的应用前景。受限于自身技术特点,利用传统的物理气相输运(PVT)法制备SiC晶体仍面临许多技术挑战,难以满足当前... 因其优异的物理特性,第三代半导体碳化硅(SiC)材料在高温、高频、高压及大功率电力电子器件和射频微波器件领域具有非常明确的应用前景。受限于自身技术特点,利用传统的物理气相输运(PVT)法制备SiC晶体仍面临许多技术挑战,难以满足当前电子器件对大尺寸、高质量和低成本SiC单晶衬底的迫切需求。顶部籽晶溶液(TSSG)法可以在更低的温度和近热力学平衡条件下实现SiC晶体制备,能够显著弥补PVT法的不足,正逐渐成为极具竞争力的低成本、高质量SiC单晶衬底创新技术之一。本文首先阐述了TSSG法生长SiC晶体的理论依据,并给出了各工艺环节要点,然后归纳了TSSG法生长SiC晶体的主要技术优势,梳理了国内外在该技术领域的研究现状并重点讨论了TSSG法生长SiC晶体关键技术问题、产生机制,以及可能的解决途径等。最后,对TSSG法生长SiC晶体的未来发展做出展望。 展开更多
关键词 第三代半导体 碳化硅单晶 顶部籽晶溶液法 晶体形貌 台阶聚集 溶剂包裹 人工智能
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非线性光学晶体K_(3)B_(6)O_(10)Br的生长与光电性能研究
7
作者 刘青雄 王天予 +5 位作者 刘孚安 吴倩 尹延如 赫崇君 高泽亮 夏明军 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第7期1296-1301,共6页
采用顶部籽晶溶液生长法成功生长出尺寸为42 mm×20 mm×18 mm的高光学质量的紫外非线性光学晶体K_(3)B_(6)O_(10)Br(KBB)。根据其结构对称性要求,将KBB晶体定向加工成不同的器件切型,系统表征其光电性能。对KBB晶体电弹常数进... 采用顶部籽晶溶液生长法成功生长出尺寸为42 mm×20 mm×18 mm的高光学质量的紫外非线性光学晶体K_(3)B_(6)O_(10)Br(KBB)。根据其结构对称性要求,将KBB晶体定向加工成不同的器件切型,系统表征其光电性能。对KBB晶体电弹常数进行了系统的表征,受微观结构影响,压电常数各向异性较大,最大的压电常数d 33=6.69 pC/N。KBB晶体具有良好的激光频率变换、电光及压电性能,在光电子领域显示出潜在的应用前景。 展开更多
关键词 紫外非线性光学晶体 K_(3)B_(6)O_(10)Br 顶部籽晶溶液生长法 晶体生长 电光系数 压电性能
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弛豫铁电单晶的顶部籽晶法生长 被引量:4
8
作者 何超 杨晓明 +1 位作者 王祖建 龙西法 《中国科学:技术科学》 EI CSCD 北大核心 2017年第11期1126-1138,共13页
相比较于传统的Pb(Zr_(1-x)Ti_x)O_3(PZT)多晶压电陶瓷,弛豫铁电单晶具有超高的机电耦合系数和压电系数.例如,典型的Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3(PZN-PT)和Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3(PMN-PT)弛豫铁电单晶,其机电耦合系数k_(... 相比较于传统的Pb(Zr_(1-x)Ti_x)O_3(PZT)多晶压电陶瓷,弛豫铁电单晶具有超高的机电耦合系数和压电系数.例如,典型的Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3(PZN-PT)和Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3(PMN-PT)弛豫铁电单晶,其机电耦合系数k_(33)>0.9,压电系数d_(33)>2000 pC/N,使其有潜力应用于下一代压电器件,如传感器、声呐、执行器等.但是弛豫铁电单晶应用的关键在于单晶的制备问题.弛豫铁电单晶的制备技术包括高温溶液法(助溶剂法)、垂直坩埚下降法和顶部籽晶法.顶部籽晶法在制备弛豫铁电单晶时具有很多优势.因此,本文将阐述顶部籽晶法制备弛豫铁电单晶的最新进展. 展开更多
关键词 压电性 弛豫铁电 单晶 单晶生长 顶部籽晶法
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La_2CaB_(10)O_(19)晶体的生长和缺陷研究 被引量:2
9
作者 郑峰 傅佩珍 +3 位作者 景芳丽 郭锐 万松明 吴以成 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期329-333,共5页
本文报道了采用顶部籽晶法 (TSSG)沿 <0 0 1>、<10 0 >和 <0 10 >方向生长的La2 CaB10 O19(LCB)晶体的形貌。研究了晶体生长中易出现的平行连生和解理现象 ,分析表明包裹体和晶体结构因素分别是造成这两种缺陷的主要... 本文报道了采用顶部籽晶法 (TSSG)沿 <0 0 1>、<10 0 >和 <0 10 >方向生长的La2 CaB10 O19(LCB)晶体的形貌。研究了晶体生长中易出现的平行连生和解理现象 ,分析表明包裹体和晶体结构因素分别是造成这两种缺陷的主要原因。利用光学显微镜观察了LCB晶体的生长台阶、包裹体 ,发现液、固相包裹体一般分布在晶体的解理面和自然面上 ,而少量的气相包裹则常分散在液相包裹中构成“眼状”结构。借助光学显微镜结合化学腐蚀法 ,对不同晶面的腐蚀形貌进行了研究。结果表明 (10 0 )面蚀象为顶角扭曲的圆锥状 ,(0 0 1)为梯形或三角形 ,并且它们的排列严格一致。在晶体的b方向切片的正反两面观察到的蚀象完全不同 ,可以认为是晶体在此方向的强烈各向异性引起的。 展开更多
关键词 La2CaB10O19 晶体生长 晶体缺陷 包裹体 位错 顶部籽晶法 光学晶体
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近化学计量比Mg∶Fe∶LiNbO_3晶体生长及其光学性能
10
作者 孟凡伟 赵业权 张学锋 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1230-1234,共5页
以K2O作为助熔剂,采用顶部籽晶熔融法生长近化学计量比Mg∶Fe∶LiNbO3晶体。测试了晶体的紫外-可见吸收光谱、红外光谱、抗光损伤能力以及衍射效率。结果表明:随掺Mg量的增加,近化学计量比Mg∶Fe∶LiNbO3晶体的紫外吸收边先紫移后红移,... 以K2O作为助熔剂,采用顶部籽晶熔融法生长近化学计量比Mg∶Fe∶LiNbO3晶体。测试了晶体的紫外-可见吸收光谱、红外光谱、抗光损伤能力以及衍射效率。结果表明:随掺Mg量的增加,近化学计量比Mg∶Fe∶LiNbO3晶体的紫外吸收边先紫移后红移,晶体的衍射效率减小,抗光损伤能力增加。OH-吸收峰出现双峰结构,给出了掺杂离子的占位模型。晶体中[Li]/[Nb]比在49.7~49.8%之间。确定了掺Mg的阈值浓度在2~3%(物质的量百分比,下同)之间。 展开更多
关键词 近化学计量比Mg∶Fe∶LiNbO3晶体 顶部籽晶熔融法 光折变性能
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Nd^(3+):La_2CaB_8O_(16)晶体生长及光谱性能(英文)
11
作者 郭锐 万明 周浪 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期888-891,共4页
采用高温固相法合成了Nd3+:La2CaB8O16(Nd:LCB8)多晶料,以CaB4O7为助溶剂,采用顶部籽晶法生长了Nd:LCB8单晶。X射线衍射和差热分析结果表明:Nd:LCB8和LCB8具有相同的晶体结构;Nd:LCB8晶体的熔点为1046℃。测试了Nd:LCB8晶体的吸收光谱... 采用高温固相法合成了Nd3+:La2CaB8O16(Nd:LCB8)多晶料,以CaB4O7为助溶剂,采用顶部籽晶法生长了Nd:LCB8单晶。X射线衍射和差热分析结果表明:Nd:LCB8和LCB8具有相同的晶体结构;Nd:LCB8晶体的熔点为1046℃。测试了Nd:LCB8晶体的吸收光谱和荧光光谱。在300~1000nm波段存在多个吸收带,其中802nm吸收带对应于AlGaAs激光二极管的输出波长,带宽为19nm。在890,1060nm和1330nm处分别存在发射峰,室温下测得Nd:LCB8晶体的荧光寿命为75μs。 展开更多
关键词 掺钕硼酸钙镧 激光晶体 顶部籽晶法 助溶剂 光谱特性
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掺铁近化学计量比铌酸锂晶体的生长及其光学性能研究 被引量:4
12
作者 周玉祥 郑威 +1 位作者 刘彩霞 王锐 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期454-457,共4页
在LiNbO3(LN)中掺进 0 .0 1%Fe2 O3(质量分数 )和 10 .9%K2 O(摩尔分数 )助熔剂 ,用顶部籽晶 (TSSG)法生长近化学计量比掺铁铌酸锂 (SLN∶Fe) ,以及采用Czochralski法生长同成分掺铁铌酸锂 (CLN∶Fe)。测试了晶体的晶格常数、吸收光谱... 在LiNbO3(LN)中掺进 0 .0 1%Fe2 O3(质量分数 )和 10 .9%K2 O(摩尔分数 )助熔剂 ,用顶部籽晶 (TSSG)法生长近化学计量比掺铁铌酸锂 (SLN∶Fe) ,以及采用Czochralski法生长同成分掺铁铌酸锂 (CLN∶Fe)。测试了晶体的晶格常数、吸收光谱和红外光谱。Li+取代反位铌(NbLi4 +)和占据锂空位 ,使SLN∶Fe晶体的晶格常数变小。SLN∶Fe晶体的吸收边相对于CLN∶Fe晶体发生了紫移。SLN∶Fe晶体的OH吸收峰移到 3 466cm- 1 。利用二波耦合光路测试了晶体的指数增益系数和响应时间 ,计算了有效载流子浓度。测试结果表明 :SLN∶Fe晶体的指数增益系数达到 2 8cm- 1 ,而CLN∶Fe晶体的指数增益系数为 18cm- 1 ;SLN∶Fe晶体的响应速度比CLN∶Fe晶体提高了 1个数量级。 展开更多
关键词 近化学计量比 掺铁铌酸锂 晶体生长 光学性能 研究 提拉法 顶部籽晶溶液
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掺镁近化学计量比LiTaO_3晶体的生长及光学性能(英文) 被引量:4
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作者 赵业权 贾宝申 +2 位作者 张学锋 申岩 刘立人 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第8期995-997,共3页
在同成分LiTaO3熔体中掺入一定剂量的K2O,采用顶部籽晶提拉法生长掺镁近化学计量比LiTaO3晶体。对晶体分别进行光谱分析,畴结构和抗光损伤阈值的测定。结果表明:与同成分掺镁LiTaO3晶体相比较,其紫外吸收边出现明显蓝移,红外吸收峰变弱... 在同成分LiTaO3熔体中掺入一定剂量的K2O,采用顶部籽晶提拉法生长掺镁近化学计量比LiTaO3晶体。对晶体分别进行光谱分析,畴结构和抗光损伤阈值的测定。结果表明:与同成分掺镁LiTaO3晶体相比较,其紫外吸收边出现明显蓝移,红外吸收峰变弱。腐蚀晶片的晶相显微镜观察结果表明:掺镁近化学剂量比晶体的畴结构是较为规则的六边形;晶体的抗光致散射能力明显提高。 展开更多
关键词 钽酸锂晶体 化学计量比 顶部籽晶溶液生长 提拉法 吸收光谱
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BaBPO_5晶体的生长研究 被引量:3
14
作者 潘世烈 吴以成 +5 位作者 傅佩珍 王国富 张国春 李志华 刘红军 陈创天 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期1-4,共4页
本文采用顶部籽晶高温溶液法 ,以BPO4 -NaF为助熔剂 ,生长了BaBPO5单晶。生长参数 :液面以下温度梯度为 1.5℃ /cm ,液面上温度梯度为 10℃ /cm ,晶体旋转速度 30r/min ,降温速率 0 .5 - 1℃ /d ,可获得尺寸为 30mm×2 0mm× 1... 本文采用顶部籽晶高温溶液法 ,以BPO4 -NaF为助熔剂 ,生长了BaBPO5单晶。生长参数 :液面以下温度梯度为 1.5℃ /cm ,液面上温度梯度为 10℃ /cm ,晶体旋转速度 30r/min ,降温速率 0 .5 - 1℃ /d ,可获得尺寸为 30mm×2 0mm× 15mm的BaBPO5单晶。测定了所获单晶及其挥发物的X射线粉末衍射图谱 。 展开更多
关键词 BaBPO5 硼酸盐 顶部籽晶法 BPO4 晶体生长
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CLBO单晶生长及性能研究
15
作者 石爽爽 王国影 +2 位作者 肖亚波 王海丽 陈建荣 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第12期2146-2150,共5页
CsLiB_(6)O_(10)(简称CLBO)是一种性能优良的紫外非线性光学晶体,特别适用于四倍频(266 nm)和五倍频(210 nm)的紫外大功率激光。本文采用顶部籽晶法成功生长出尺寸为120 mm×112 mm×62 mm的CLBO晶体,晶体外观完整,无开裂、散... CsLiB_(6)O_(10)(简称CLBO)是一种性能优良的紫外非线性光学晶体,特别适用于四倍频(266 nm)和五倍频(210 nm)的紫外大功率激光。本文采用顶部籽晶法成功生长出尺寸为120 mm×112 mm×62 mm的CLBO晶体,晶体外观完整,无开裂、散射等宏观缺陷。由该晶体切出五倍频CLBO晶体元件,对其进行了紫外-可见-近红外透过率、光学均匀性、弱吸收性能表征,结果显示,210~1800 nm的平均透过率超过90%,光学均匀性为3.8×10^(-5),1064 nm弱吸收为90×10^(-6)cm^(-1),表明该晶体紫外区透过率良好,光学均匀性高,弱吸收低,为后续相关激光应用研究奠定了基础。 展开更多
关键词 CsLiB_(6)O_(10) 非线性光学晶体 顶部籽晶法 透过率 光学均匀性 弱吸收
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RTP电光晶体的生长及其器件性能研究
16
作者 石爽爽 师瑞泽 +3 位作者 王国影 肖亚波 王海丽 陈建荣 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第12期2151-2155,共5页
磷酸氧钛铷(RbTiOPO4,简称RTP)是综合性能优异的电光晶体,具有电光系数高、半波电压低、激光损伤阈值高、器件小巧、环境适应性强等优点,已成为新一代电光器件应用材料,非常适合用作电光开关、电光调制器等。激光系统的发展迫切需求更... 磷酸氧钛铷(RbTiOPO4,简称RTP)是综合性能优异的电光晶体,具有电光系数高、半波电压低、激光损伤阈值高、器件小巧、环境适应性强等优点,已成为新一代电光器件应用材料,非常适合用作电光开关、电光调制器等。激光系统的发展迫切需求更高功率、更高重复频率和更窄脉宽激光用高性能电光晶体,基于此,本文选用富Rb的高[Rb]/[P]摩尔比值生长体系,通过顶部籽晶熔盐法生长出高质量RTP晶体,测试了晶体或器件的光学均匀性、重复频率、插入损耗、消光比和抗激光损伤阈值,结果表明,该晶体的光学均匀性为7.3×10^(-6)cm^(-1),重复频率为501 kHz,插入损耗为0.49%,消光比为31.57 dB,激光损伤阈值为856 MW/cm^(2)。 展开更多
关键词 RTP 电光晶体 顶部籽晶熔盐法 光学均匀性 激光损伤阈值
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TSSG法生长Zr:Fe:LiNbO_3晶体及其分凝系数 被引量:4
17
作者 阎哲华 代丽 +4 位作者 孙晋 姜发同 刘威 代平 李云鹏 《哈尔滨理工大学学报》 CAS 北大核心 2016年第4期80-82,89,共4页
采用顶部耔晶法生长了不同Li/Nb(Li/Nb=0.94,1.05,1.20and1.38)的Zr:Fe:LiNbO_3单晶.测试了Zr:Fe:LiNbO_3晶体的分凝系数.实验结果表明,Li/Nb=1.38的Zr:Fe:LiNbO_3晶体有的Zr离子分凝系数减少并趋于1,随着熔体中Li/Nb比增加,晶体Li/Nb... 采用顶部耔晶法生长了不同Li/Nb(Li/Nb=0.94,1.05,1.20and1.38)的Zr:Fe:LiNbO_3单晶.测试了Zr:Fe:LiNbO_3晶体的分凝系数.实验结果表明,Li/Nb=1.38的Zr:Fe:LiNbO_3晶体有的Zr离子分凝系数减少并趋于1,随着熔体中Li/Nb比增加,晶体Li/Nb比增加,结合LiNbO_3晶体的占位机制和锂空位缺陷解释了这一实验结果. 展开更多
关键词 锆铁铌酸锂晶体 顶部耔晶法 分凝系数
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高温溶液法生长SiC单晶的研究进展 被引量:2
18
作者 王国宾 李辉 +2 位作者 盛达 王文军 陈小龙 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第1期3-20,共18页
碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,不仅禁带宽度较大,还兼具热导率高、饱和电子漂移速率高、抗辐射性能强、热稳定性和化学稳定性好等优良特性,在高温、高频、高功率电力电子器件和射频器件中有很好的应用潜力。高质量、大尺寸、低成本... 碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,不仅禁带宽度较大,还兼具热导率高、饱和电子漂移速率高、抗辐射性能强、热稳定性和化学稳定性好等优良特性,在高温、高频、高功率电力电子器件和射频器件中有很好的应用潜力。高质量、大尺寸、低成本SiC单晶衬底的制备是实现SiC器件大规模应用的前提。受技术与工艺水平限制,目前SiC单晶衬底供应仍面临缺陷密度高、成品率低和成本高等问题。高温溶液生长(high temperature solution growth,HTSG)法生长SiC单晶具有晶体结晶质量高、易扩径、易实现p型掺杂等独特的优势,有望成为大规模量产SiC单晶的主要方法之一,目前该方法的主流技术模式是顶部籽晶溶液生长(top seeded solution growth,TSSG)法。本文首先回顾总结了TSSG法生长SiC单晶的发展历程,接着介绍和分析了该方法的基本原理和生长过程,然后从晶体生长热力学和动力学两方面总结了该方法的研究进展,并归纳了该方法的优势,最后分析了TSSG法生长SiC单晶技术在未来的研究重点和发展方向。 展开更多
关键词 宽禁带半导体 碳化硅 高温溶液法 顶部籽晶溶液法 助熔剂 晶体生长
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Er,Yb:KGd(WO_4)_2激光晶体的生长 被引量:1
19
作者 王海丽 齐家宝 +6 位作者 周南浩 承刚 陈建荣 陈龙华 杨春和 包照日格图 沈德忠 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期5-7,51,共4页
采用顶部籽晶熔盐法,以K2WO4为助熔剂生长出铒、镱共掺钨酸钆钾[Er,Yb:KGd(WO4)2简称Er,Yb:KGW]激光晶体。XRD分析结果表明晶体为低温相Er,Yb:KGW晶体,即β-Er,Yb:KGW晶体。通过差热分析测量,确定其相变温度和熔点分别为1020℃和1080℃... 采用顶部籽晶熔盐法,以K2WO4为助熔剂生长出铒、镱共掺钨酸钆钾[Er,Yb:KGd(WO4)2简称Er,Yb:KGW]激光晶体。XRD分析结果表明晶体为低温相Er,Yb:KGW晶体,即β-Er,Yb:KGW晶体。通过差热分析测量,确定其相变温度和熔点分别为1020℃和1080℃。测量了晶体190-2000nm的室温透过光谱,结果表明除980nm的吸收谱带是Er3+离子和Yb3+离子的共同谱带之外,其余均属于Er3+离子。 展开更多
关键词 顶部籽晶熔盐法 Er Yb:KGd(WO4)2激光晶体 晶体生长
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Tm^3+掺杂KYb(WO4)2自激活激光晶体生长与光谱特性分析 被引量:3
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作者 朱忠丽 曹立华 +2 位作者 张亮 林海 刘景和 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期813-818,共6页
以K2W2O7为助熔剂,Tm3+掺杂摩尔分数为8%,采用顶部籽晶提拉法生长出了单斜晶系的铥掺杂钨酸鐿钾[Tm3+:KYb(WO4)2,Tm:KYbW]晶体。测试了晶体的红外光谱和Raman光谱,并对出现的峰值进行了振动归属。测量了晶体的吸收光谱和荧光光谱,计算... 以K2W2O7为助熔剂,Tm3+掺杂摩尔分数为8%,采用顶部籽晶提拉法生长出了单斜晶系的铥掺杂钨酸鐿钾[Tm3+:KYb(WO4)2,Tm:KYbW]晶体。测试了晶体的红外光谱和Raman光谱,并对出现的峰值进行了振动归属。测量了晶体的吸收光谱和荧光光谱,计算了相应的光谱参数。吸收光谱显示:Yb3+在945,958nm处吸收峰最强,半峰宽为91nm。荧光光谱表明:Tm:KYbW晶体在1735nm和1759nm附近有较强的发射峰,主峰1759nm处的发射线宽达146nm,因此,Tm:KYbW晶体可作为可调谐激光增益介质。晶体的上转换荧光谱表明:在481nm和646nm处分别得到了上转换蓝光和红光,并分析了相应的上转换机制。 展开更多
关键词 铥掺杂钨酸鐿钾晶体 顶部籽晶提拉法 吸收光谱 荧光光谱 激光晶体
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