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基于高温抗辐照SOI CMOS工艺的器件特性研究
被引量：
1
1
作者
张庆东
吴建伟
+5 位作者
李金航
宋帅
纪旭明
顾祥
洪根深
李冰
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第12期2151-2156,共6页
绝缘体上硅(SOI)技术因其独特的优势而广泛应用于辐射和高温环境中,研究不同顶层硅膜厚度(t_(Si))的器件特性,对进一步提升高温抗辐照SOI CMOS器件的性能至关重要。本工作首先通过工艺级仿真构建了N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(NM...
绝缘体上硅(SOI)技术因其独特的优势而广泛应用于辐射和高温环境中,研究不同顶层硅膜厚度(t_(Si))的器件特性,对进一步提升高温抗辐照SOI CMOS器件的性能至关重要。本工作首先通过工艺级仿真构建了N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)的模型,并对其进行了分析,基于仿真结果,采用0.15μm抗辐照SOI CMOS工艺制备出具有不同硅膜厚度的实际器件,该工艺针对高温应用引入了设计与材料的优化。结果表明,薄硅膜和厚硅膜NMOSFET在150 krad(Si)总剂量辐射下表现出相近的抗辐照加固性能,而前者在225℃高温下具有较小的漏电流,因此具有较薄硅膜的NMOSFET更适用于高温电子器件的制造。
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关键词
SOI
NMOSFET
高温
辐射加固
顶层硅厚度
下载PDF
职称材料
题名
基于高温抗辐照SOI CMOS工艺的器件特性研究
被引量：
1
1
作者
张庆东
吴建伟
李金航
宋帅
纪旭明
顾祥
洪根深
李冰
机构
东南大学网络空间安全学院
中国电子科技集团公司第
出处
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第12期2151-2156,共6页
文摘
绝缘体上硅(SOI)技术因其独特的优势而广泛应用于辐射和高温环境中,研究不同顶层硅膜厚度(t_(Si))的器件特性,对进一步提升高温抗辐照SOI CMOS器件的性能至关重要。本工作首先通过工艺级仿真构建了N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)的模型,并对其进行了分析,基于仿真结果,采用0.15μm抗辐照SOI CMOS工艺制备出具有不同硅膜厚度的实际器件,该工艺针对高温应用引入了设计与材料的优化。结果表明,薄硅膜和厚硅膜NMOSFET在150 krad(Si)总剂量辐射下表现出相近的抗辐照加固性能,而前者在225℃高温下具有较小的漏电流,因此具有较薄硅膜的NMOSFET更适用于高温电子器件的制造。
关键词
SOI
NMOSFET
高温
辐射加固
顶层硅厚度
Keywords
SOI
NMOSFET
high
temperature
radiation
hardened
top
si
film
thickness
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于高温抗辐照SOI CMOS工艺的器件特性研究
张庆东
吴建伟
李金航
宋帅
纪旭明
顾祥
洪根深
李冰
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
1
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