印制电路板通孔电镀铜添加剂的优化 被引量：11

1

作者 王旭 张胜涛 +5 位作者 陈世金 郭海亮 罗佳玉 文亚男 郭茂桂 许伟廉 《电镀与涂饰》 CAS CSCD 北大核心 2019年第15期780-786,共7页

采用由75 g/L CuSO4?5H2O、230 g/L硫酸和添加剂组成的酸性镀铜液,在温度(22±3)°C、电流密度1.7 A/dm^2和空气搅拌的条件下,对印制电路板(PCB)通孔进行电镀铜填孔。以填孔率、凹陷值、面铜厚度和通孔截面为指标,研究了Cl^?、... 采用由75 g/L CuSO4?5H2O、230 g/L硫酸和添加剂组成的酸性镀铜液,在温度(22±3)°C、电流密度1.7 A/dm^2和空气搅拌的条件下,对印制电路板(PCB)通孔进行电镀铜填孔。以填孔率、凹陷值、面铜厚度和通孔截面为指标,研究了Cl^?、聚乙二醇(PEG-10000)、聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)和2,2′?二硫代二吡啶(2-PDS)4种添加剂对填孔效果的影响。得到较优的添加剂组合为:Cl?50~70 mg/L,PEG-10000 200~300 mg/L,SPS 8~11 mg/L,2-PDS 9~13 mg/L。采用该组合添加剂时填孔率高达91.7%,镀层均匀、细致、平整,抗高温循环和耐浸锡热冲击性能良好,满足PCB的可靠性要求。 展开更多

关键词 印制电路板 通孔 电镀铜 添加剂 填孔率 凹陷值 面铜厚度 可靠性

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通孔电镀填孔工艺研究与优化 被引量：8

2

作者 刘佳 陈际达 +4 位作者 邓宏喜 陈世金 郭茂桂 何为 江俊峰 《印制电路信息》 2015年第3期106-111,共6页

为了提高高密度互连印制电路板的导电导热性和可靠性,实现通孔与盲孔同时填孔电镀的目的,以某公司已有的电镀填盲孔工艺为参考,适当调整填盲孔电镀液各组分浓度,对通孔进行填孔电镀。运用正交试验法研究加速剂、抑制剂、整平剂、H2SO4... 为了提高高密度互连印制电路板的导电导热性和可靠性,实现通孔与盲孔同时填孔电镀的目的,以某公司已有的电镀填盲孔工艺为参考,适当调整填盲孔电镀液各组分浓度,对通孔进行填孔电镀。运用正交试验法研究加速剂、抑制剂、整平剂、H2SO4浓度对通孔填充效果的影响,得到电镀填通孔的最优参数组合,并对其可靠性进行测试。将得到的最优电镀配方用于多层板通孔与盲孔共同填孔电镀。结果表明:电镀液各成分对通孔填充效果的影响次序是:抑制剂>整平剂>加速剂>H2SO4;最优配方是:加速剂浓度为0.5 ml/L,抑制剂浓度为17 ml/L,整平剂浓度为20ml/L,H2SO4浓度为30 g/L。在最优配方下,通孔填孔效果显著提高,其可靠性测试均符合IPC品质要求。该电镀配方可以实现多层板通孔与盲孔共同填孔电镀,对PCB领域具有实际应用价值。 展开更多

关键词 高密度互连 电镀 通孔填充 同时填充 正交试验

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无铅波峰焊不同板厚通孔焊点的填充性研究 被引量：8

3

作者 王晓敏 史建卫 +2 位作者 杨冀丰 李明雨 柴勇 《电子工业专用设备》 2008年第10期36-42,60,共8页

分析了影响通孔填充性的因素,包括PCB的设计因素和波峰焊接工艺因素。其次运用试验设计方法研究了通孔填充性与众多因素的关系,对试验结果的方差分析表明影响通孔填充性的显著因子有PCB的板厚、锡炉温度和浸锡时间等,通过回归分析得出... 分析了影响通孔填充性的因素,包括PCB的设计因素和波峰焊接工艺因素。其次运用试验设计方法研究了通孔填充性与众多因素的关系,对试验结果的方差分析表明影响通孔填充性的显著因子有PCB的板厚、锡炉温度和浸锡时间等,通过回归分析得出预测填充不足缺陷的数学模型,该模型是以缺陷为应变量,各影响因子为自变量的统计学关系方程。同时还对不同板厚的通孔焊点可靠性进行了分析,仅考虑焊点满足相同的机械抗拉力条件,焊点其他参数一致而板厚增加时,对通孔填充率的要求可有所降低;但通过热循环试验得出随着板厚的增加,焊点更易较早的出现裂纹,焊点填充不足时有进一步加快生成表面裂纹的趋势。 展开更多

关键词 DOE 通孔填充性 焊点可靠性 无铅波峰焊

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通孔电镀铜填孔浅析 被引量：8

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作者 杨智勤 欧阳小平 +2 位作者 张曦 陆然 林健 《印制电路信息》 2012年第1期24-27,共4页

电子产品朝更轻、更薄、更快方向发展的趋势,使印制电路板在高密度互连技术上面面临挑战。微堆叠孔技术是一种用来产生高密度互连的方法。通孔的填充介质目前主要有三种,分别为导电膏、树脂、纯铜。比较此三种填充方式,纯铜填孔技术工... 电子产品朝更轻、更薄、更快方向发展的趋势,使印制电路板在高密度互连技术上面面临挑战。微堆叠孔技术是一种用来产生高密度互连的方法。通孔的填充介质目前主要有三种,分别为导电膏、树脂、纯铜。比较此三种填充方式,纯铜填孔技术工艺流程短,可靠性高。该文介绍了通孔填孔的反应机理,并论述了通孔填孔电镀技术的优势。 展开更多

关键词 通孔 树脂塞孔 电镀 填孔

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新型整平剂对电镀铜填通孔的影响及机制探究

5

作者 许昕莹 肖树城 +2 位作者 张路路 丁胜涛 肖宁 《电镀与精饰》 CAS 北大核心 2024年第5期92-100,共9页

针对目前国内电子电镀专用化学品瓶颈问题,合成了一种由含氮杂环与含氧碳链组成的新型整平剂分子SC-21。通过哈林槽实验、循环伏安法(CV)、计时电位法(CP&CPCR)和电化学交流阻抗谱(EIS)对比,研究了常见整平剂健那绿(JGB)、聚乙烯亚... 针对目前国内电子电镀专用化学品瓶颈问题,合成了一种由含氮杂环与含氧碳链组成的新型整平剂分子SC-21。通过哈林槽实验、循环伏安法(CV)、计时电位法(CP&CPCR)和电化学交流阻抗谱(EIS)对比,研究了常见整平剂健那绿(JGB)、聚乙烯亚胺烷基盐(PN)与新型整平剂SC-21在电镀铜填充通孔过程中的作用差异。结果表明:以一定浓度SC-21为整平剂时可出现“蝴蝶填充”现象,进而实现对深径比2∶1通孔的无空洞填充;与JGB和PN相比,此浓度下的SC-21在较宽的电流密度范围内具有动态吸附行为,可产生“负微分电阻效应”,使得通孔内呈现与“蝴蝶填充”形状相匹配的沉铜速率梯度,最终实现对通孔的无空洞填充。 展开更多

关键词 通孔填充 整平剂 蝴蝶技术 变电流计时电位法 负微分电阻效应

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高阶HDI软硬结合板+cavity技术研究

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作者 车世民 邹定明 +2 位作者 陆永平 金立奎 段斌 《印制电路信息》 2023年第S01期336-343,共8页

智能电子产品轻薄化及多功能化的发展趋势,必然推动PCB结构向线路精细化及通盲孔小型化的方向发展,其中,受高断针率、高成本因素影响,小孔径通孔应用范围受限。为了解决PCB组装工艺难及成本高的问题,采用在高阶HDI产品上面增加Cavity设... 智能电子产品轻薄化及多功能化的发展趋势,必然推动PCB结构向线路精细化及通盲孔小型化的方向发展,其中,受高断针率、高成本因素影响,小孔径通孔应用范围受限。为了解决PCB组装工艺难及成本高的问题,采用在高阶HDI产品上面增加Cavity设计结构,以两块板替代原来的“三明治”结构,满足HDI主板大容量、多功能、高传输速度及小型化的要求,并降低生产成本。实现这技术方案的关键就在于开发一种稳定可靠的高阶HDI+Cavity工艺制作方法,以满足PCB及元器件的组装要求。文章还研究采用软板UV镭射激光钻65um的通孔替代盲孔,解决盲孔填孔结构底部开裂品质隐患,增层后制作75μm盲孔并填孔,验证其信赖性与可靠性。研究结果表明,高阶HDI软硬结合板+Cavity技术能够满足PCB产品品质要求,对小孔径通孔的应用起到积极推动作用。 展开更多

关键词 UV通孔 通孔填孔 信赖性

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利用镀液组成改善镀层厚度均匀性 被引量：3

7

作者 蔡积庆（编译） 《印制电路信息》 2010年第12期47-52,共6页

概述了利用CuSO4镀液组成控制PCB的贯通孔镀层均匀性和导通孔填充镀层均匀性。

关键词 酸性CuSO4镀液 均镀能力 贯通孔电镀 导通孔填充电镀 图形电镀 贯通孔填充 TVS填充

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TGV通孔双面电镀铜填充模式调控及工艺可靠性试验研究

8

作者 马盛林 陈路明 +5 位作者 张桐铨 王燕 王翌旭 王其强 肖雄 王玮 《中国科学：化学》 CAS CSCD 北大核心 2023年第10期2068-2078,共11页

通过双面电镀铜实现TGV(Through Glass Via)通孔部分实心填充,兼具TGV通孔密度高、TGV厚度尺寸范围大、热力学可靠性高、圆片级/板级工艺流程简单等优点,是“芯粒”2.5D/3D集成、光电共封装(Co-Packaged-Optics,CPO)等先进封装用TGV转... 通过双面电镀铜实现TGV(Through Glass Via)通孔部分实心填充,兼具TGV通孔密度高、TGV厚度尺寸范围大、热力学可靠性高、圆片级/板级工艺流程简单等优点,是“芯粒”2.5D/3D集成、光电共封装(Co-Packaged-Optics,CPO)等先进封装用TGV转接板潜在优选金属化路线.本文将介绍基于国产电镀药水体系和课题组设计电镀槽体通过电镀参数设计实现TGV通孔双面电镀铜填充模式的调控,实现了X型以及“桥型”直通型TGV孔金属化;据JEDEC标准试验研究了TGV通孔glass–Ti–Cu金属化体系在高温加速老化测试(Highly Accelerated Stress Test,HAST)、温度循环测试(Temperature Cycle Test,TCT)、高温存储(High Temperature Storage,HTS)等可靠性表现,验证了TGV部分实心填充金属化工艺优点,试验发现了TGV铜互连氦气漏率、直流电阻对HAST试验最为敏感,Ti–Cu界面微缺陷、贯穿性裂纹产生是HAST试验中TGV铜互连主要失效模式,揭示了TGV铜互连Cu–Ti–glass材料体系中Ti趋于向glass衬底扩散、Cu趋于向Ti层扩散,由此在Ti–Cu界面产生缺陷、形成微裂纹,为金属化材料体系选择与阻挡层厚度设计提供指导;展示了用于体硅RF MEMS器件圆片级封装TGV盖帽圆片、2.5D射频集成大面积TGV转接板样品、TGV转接板堆叠集成毫米波天线等,演示其圆片级工艺应用可行性,为后续集成应用做技术储备. 展开更多

关键词 TGV通孔 双面电镀铜 填充模式 调控 可靠性 HAST试验

原文传递

电镀铜填充微通孔的关键因素研究 被引量：1

9

作者 陈超 王翀 +4 位作者 周国云 何为 孙玉凯 张伟华 刘彬云 《印制电路信息》 2022年第S01期287-296,共10页

随着5G技术的发展,数据传输带宽要求更高,电子元件的功率更大,因此带来封装体的散热负担更重。采用电镀铜填充微通孔在封装载板内形成铜柱阵列散热通道,是一种提高芯片散热效率的常用方式。而在没有优化的电流密度、对流强度和添加剂等... 随着5G技术的发展,数据传输带宽要求更高,电子元件的功率更大,因此带来封装体的散热负担更重。采用电镀铜填充微通孔在封装载板内形成铜柱阵列散热通道,是一种提高芯片散热效率的常用方式。而在没有优化的电流密度、对流强度和添加剂等各因素条件下电镀微通孔很容易在孔内留下空洞,造成可靠性问题,因此研究各种因素对电镀填孔的影响意义重大。文章通过建立电镀铜填充微通孔的数理模型,并采用多物理场耦合方法分析了微通孔填充的过程和边界条件,得出通孔内电流密度分布情况,实现了对填孔过程的实时模拟。使用电化学工作站对不同种类的添加剂进行恒电流和循环伏安测试,得到不同对流强度下各种类添加剂电化学特性;分析了不同添加剂在孔内调控铜沉积的作用,并给出各添加剂在微通孔处的极化/去极化作用模型。最后,通过哈林槽中测试板电镀研究了电流密度、对流强度、添加剂种类和浓度等重要因素对通孔填充过程的影响和作用,优化出满足工业生产需求的配方及其工艺条件。 展开更多

关键词 电沉积 填微通孔 填孔模拟 添加剂

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用于SiP的电镀铜通孔填孔技术 被引量：2

10

作者 丁志廉 《印制电路信息》 2007年第6期36-39,共4页

文章介绍了采用不含加速剂的直流电镀方案来实现通孔填孔技术,并提出通孔填孔的可能电化学机理。

关键词 系统封装 通孔填孔 强抑制剂 含加速剂方案 无加速剂方案 依赖电位吸附 依赖迁移吸附

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导通孔电镀铜填充技术 被引量：2

11

作者 蔡积庆（译） 《印制电路信息》 2012年第5期28-32,共5页

概述了下一代PCB用镀铜层导通孔填充技术。

关键词 导通孔填充 贯通孔填充 镀铜层 添加剂 智能电话

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浅谈大功率LED陶瓷基板制作工艺及填通孔技术 被引量：2

12

作者 谢金平 范小玲 宗高亮 《电镀与涂饰》 CAS 北大核心 2021年第13期1023-1026,共4页

介绍了将直接镀铜工艺和填通孔技术相结合制备大功率LED(发光二极管)陶瓷基板的工艺流程,重点介绍了采用直流电镀一步法、脉冲电镀一步法和脉冲电镀两步法填通孔的常用配方和填充效果。

关键词 大功率发光二极管 陶瓷基板 填通孔 电镀铜 直流 脉冲电流

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下一代电子电路板用CuSO_4填充镀技术

13

作者 蔡积庆（译） 《印制电路信息》 2012年第1期44-48,共5页

概述了下一代电子电路板填充用的CuSO4电镀技术。(1)盲导通孔填充,(2)贯通孔填充,(3)半导体用的凸块和(4)TSV填充。

关键词 电子电路板 CuSO4电镀 盲导通孔填充 贯通孔填充 凸块镀层 TSV填充

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250μm介厚的密集-X型激光通孔工艺研究 被引量：1

14

作者 王红月 刘涌 黄伟 《印制电路信息》 2021年第S01期68-74,共7页

为提供模块PCB有效的热管理解决方案,文章介绍了一种250μm介厚的密集-X型激光通孔的加工制作方法,满足密集X型通孔的散热需求,从孔径设计、激光加工参数及电镀填孔等方面进行研究,结果表明:在SME现有的激光设备及电镀药水条件下,通过CO... 为提供模块PCB有效的热管理解决方案,文章介绍了一种250μm介厚的密集-X型激光通孔的加工制作方法,满足密集X型通孔的散热需求,从孔径设计、激光加工参数及电镀填孔等方面进行研究,结果表明:在SME现有的激光设备及电镀药水条件下,通过CO_(2)激光钻机采用双面钻孔法可制作孔径设计为125μm上下孔径、75μm中间孔径,75μm孔间距的密集X型激光通孔,并完成了电镀填孔及相关可靠性测试;为后续制作激光通孔技术提供参考及借鉴。 展开更多

关键词 CO_(2)激光 通孔 电镀填孔

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高纵横比HDI通孔电镀填孔研发 被引量：1

15

作者 郭远志 黄得俊 金立奎 《印制电路信息》 2021年第S02期299-308,共10页

PCB速向轻、薄、小及高密度互连发展,为在有限的表面填装更多的元器件,促使设计趋向多层,小孔进化,小孔径的发展也促使填孔工艺不断革新。通孔填孔成熟工艺主要集中在导电物质塞孔上,而导电物质塞孔成本昂贵且制作难度较大,因此通孔填... PCB速向轻、薄、小及高密度互连发展,为在有限的表面填装更多的元器件,促使设计趋向多层,小孔进化,小孔径的发展也促使填孔工艺不断革新。通孔填孔成熟工艺主要集中在导电物质塞孔上,而导电物质塞孔成本昂贵且制作难度较大,因此通孔填孔为行业里一直所努力的方向。文章主要是研究在0.5 mm板厚的基板上将0.2 mm通孔进行填孔项目,通过调整电镀参数(周期、反向电流、喷压)完成通孔填孔的研发。同时,因PCB产品终端品质要求,需进行相关一系列的信赖性实验,所以制作实验板进行相关信赖性实验,实验结果表明,通过调整电镀参数能够实现高纵横比HDI通孔电镀填孔进而满足PCB产品品质要求。 展开更多

关键词 通孔填孔 周期 反向电流 喷压 信赖性

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导通孔填充镀铜技术

16

作者 蔡积庆(译) 《印制电路信息》 2013年第10期47-51,共5页

概述了导通孔填充镀铜技术的应用和工艺条件,贯通孔填充和Si贯通电极(TSV)填充等其它的填充镀铜技术和今后的展望。

关键词 导通孔填充 贯通孔填充 Si贯通电极 电镀铜

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导通孔和通孔填孔镀用的CuSO_4电镀工艺“Cu-BRITE TFⅡ”

17

作者 蔡积庆（编译） 《印制电路信息》 2009年第12期38-42,共5页

概述了CuSO4电镀工艺"CU-BRITE TFⅡ"的开发和特性,适用于镀铜层填充导通孔和贯通孔。

关键词 导通孔填充 贯通孔填充 CuSO4电镀工艺 Cu-BRITE TFⅡ

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高密度互连通孔填孔电镀铜工艺研究

18

作者 彭佳 王翀 +3 位作者 何为 席道林 程骄 梁坤 《印制电路信息》 2016年第A02期111-117,共7页

传统的利用导电胶填充通孔的方式已经不能满足高密度互连应用中芯板的制造要求，而为提高高密度互连的可靠性、导电性能、散热性能，提高生产效率，降低制造成本，通孔电镀填孔工艺应运而生。本文在基于一系列整平剂筛选的基础上，选出... 传统的利用导电胶填充通孔的方式已经不能满足高密度互连应用中芯板的制造要求，而为提高高密度互连的可靠性、导电性能、散热性能，提高生产效率，降低制造成本，通孔电镀填孔工艺应运而生。本文在基于一系列整平剂筛选的基础上，选出一种目标整平剂，将其应用于通孔电镀填孔中。同时，本文对通孔填孔的影响因素进行了详尽的研究。分别研究了气流量高低、硫酸浓度、氯离子浓度、整平剂浓度、抑制剂浓度对通孔填充效果的影响。通过研究结果发现，气流量高低是影响通孔填充效果的关键性因素，过高的气流量将直接导致通孔无法填充起来。而为了更好地了解通孔填充过程，文章还对不同时间段的通孔填充情况进行了分析。最终实现了良好的通孔电镀填充效果。 展开更多

关键词 通孔填孔 电镀铜 高密度互连 整平剂

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低铜体系脉冲电镀填通孔作用机理研究

19

作者 柳祖善 陈蓓 《印制电路信息》 2017年第A02期124-131,共8页

文章研究了低铜体系的脉冲电镀填充通孔的填孔过程.着重对不同厚径比通孔深度能力进行了研究分析,发现对于一定板厚的通孔,其深镀能力随厚径比的变化有截然不同的趋势,提出了低铜浓度体系脉冲电镀填通孔作用机理.在此基础上,采用一种控... 文章研究了低铜体系的脉冲电镀填充通孔的填孔过程.着重对不同厚径比通孔深度能力进行了研究分析,发现对于一定板厚的通孔,其深镀能力随厚径比的变化有截然不同的趋势,提出了低铜浓度体系脉冲电镀填通孔作用机理.在此基础上,采用一种控制面铜的电镀方法实现了对大孔径通孔的镀铜填塞,这对现有高厚径比通孔填孔技术进行了一个延伸补充. 展开更多

关键词 脉冲电镀 低铜体系 通孔 填孔过程 大孔径

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通孔电镀填孔的工艺研究

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作者 付凤奇 陆玉婷 +2 位作者 李森 曾平 王俊 《印制电路信息》 2017年第A01期188-195,共8页

文章研究了三种主要通孔电镀填孔药水的通孔填孔能力。通过测试0.20mm板厚不同通孔孔径（0.15mm-0.4mm）的填孔能力，筛选出符合特定要求下（电镀填孔面铜小于35μm、盲孔无空洞及填孔凹陷小于15μm）的通孔填孔工艺。

关键词 通孔 电镀 填孔

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