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低剂量SIMOX圆片线缺陷和针孔的研究 被引量：2
1
作者 郑望 陈猛 +2 位作者 陈静 林梓鑫 王曦 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2001年第4期431-433,共3页
用Secco法、Cu-plating法分别表征了低剂量SIMOX圆片顶层硅线缺陷、埋层的针孔密度。结果显示,低剂量SIMOX圆片的顶层硅缺陷密度低,但埋层质量稍差。通过注入工艺和退火过程的进一步优化,低剂量SIMOX将是一种有前途的SOI材料制备工艺。
关键词 SOI SIMOX Secco Cu-plating 线缺陷 针孔
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