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基频反射膜元件表面等离子体烧蚀对传输光束畸变的影响
被引量：
1
1
作者
陈惟肖
李大伟
+3 位作者
刘晓凤
刘文文
方周
张蕾
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第3期337-342,共6页
激光预处理后的高反膜表面会形成等离子体烧蚀,等离子体烧蚀结构的存在会对传输光束的光强分布产生调制效应,引起光束畸变。实验测试了1064nm连续光束经过烧蚀样品后的光斑能量分布,分析了产生调制的原因并讨论了这种调制效应随距离的...
激光预处理后的高反膜表面会形成等离子体烧蚀,等离子体烧蚀结构的存在会对传输光束的光强分布产生调制效应,引起光束畸变。实验测试了1064nm连续光束经过烧蚀样品后的光斑能量分布,分析了产生调制的原因并讨论了这种调制效应随距离的变化情况,为功能性损伤阈值判断及安全有效使用预处理样品提供依据。实验结果表明,等离子体烧蚀结构中的锥形坑可引起峰值强度增强并形成环状条纹,经烧蚀斑结构调制的光束与未经调制的光束之间的峰值强度对比度和调制度都随传输距离的增加逐渐降低,即调制效应随光束传输距离的增加而逐渐减小。
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关键词
薄膜
调制效应
光强分布
等离子体烧蚀
激光预处理
原文传递
耗尽区调制对氢化MILC Poly-Si TFT热产生漏电的影响
2
作者
朱臻
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2011年第2期43-46,共4页
研究了热载流子应力下耗尽区调制效应对氢化金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热产生漏电的影响.从理论上论证了热载流子应力下氢化金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热产生漏电中的耗尽区调制效应的存在.并利用正、反向测量模式,从实...
研究了热载流子应力下耗尽区调制效应对氢化金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热产生漏电的影响.从理论上论证了热载流子应力下氢化金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热产生漏电中的耗尽区调制效应的存在.并利用正、反向测量模式,从实验上进一步确认这种效应对氢化金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热产生漏电的影响.发现在热载流子应力下,正、反向测量模式时,氢化金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热产生漏电均随应力时间的增加而减小.但由于漏极和源极附近沟道区的表面势受热空穴注入影响的程度不同,热载流子应力下,正、反向测量模式的热产生漏电减小程度不同.理解热载流子应力下耗尽区调制效应对氢化金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热产生漏电的影响,有助于成功设计电路.
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关键词
金属诱导横向结晶
多晶硅薄膜晶体管
热载流子应力
热产生漏电
耗尽区调制效应
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职称材料
题名
基频反射膜元件表面等离子体烧蚀对传输光束畸变的影响
被引量：
1
1
作者
陈惟肖
李大伟
刘晓凤
刘文文
方周
张蕾
机构
中国科学院上海光学精密机械研究所强激光材料重点实验室
中国科学院大学
出处
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第3期337-342,共6页
基金
国家自然科学青年基金(61107080)资助课题
文摘
激光预处理后的高反膜表面会形成等离子体烧蚀,等离子体烧蚀结构的存在会对传输光束的光强分布产生调制效应,引起光束畸变。实验测试了1064nm连续光束经过烧蚀样品后的光斑能量分布,分析了产生调制的原因并讨论了这种调制效应随距离的变化情况,为功能性损伤阈值判断及安全有效使用预处理样品提供依据。实验结果表明,等离子体烧蚀结构中的锥形坑可引起峰值强度增强并形成环状条纹,经烧蚀斑结构调制的光束与未经调制的光束之间的峰值强度对比度和调制度都随传输距离的增加逐渐降低,即调制效应随光束传输距离的增加而逐渐减小。
关键词
薄膜
调制效应
光强分布
等离子体烧蚀
激光预处理
Keywords
thin
films
,
modulation
effect
distribution
of
laser
intensity
plasma
scalds
laser
preconditioning
分类号
O436.1 [机械工程—光学工程]
TB43 [理学—光学]
原文传递
题名
耗尽区调制对氢化MILC Poly-Si TFT热产生漏电的影响
2
作者
朱臻
机构
华东师范大学信息科学技术学院电子工程系
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2011年第2期43-46,共4页
文摘
研究了热载流子应力下耗尽区调制效应对氢化金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热产生漏电的影响.从理论上论证了热载流子应力下氢化金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热产生漏电中的耗尽区调制效应的存在.并利用正、反向测量模式,从实验上进一步确认这种效应对氢化金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热产生漏电的影响.发现在热载流子应力下,正、反向测量模式时,氢化金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热产生漏电均随应力时间的增加而减小.但由于漏极和源极附近沟道区的表面势受热空穴注入影响的程度不同,热载流子应力下,正、反向测量模式的热产生漏电减小程度不同.理解热载流子应力下耗尽区调制效应对氢化金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热产生漏电的影响,有助于成功设计电路.
关键词
金属诱导横向结晶
多晶硅薄膜晶体管
热载流子应力
热产生漏电
耗尽区调制效应
Keywords
metal-induced
lateral
crystallization
polycrystalline
silicon
thin
film
transistors
hot-carrier
stress
thermally
generated
leakage
current
depletion
region
modulation
effect
分类号
TN325.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基频反射膜元件表面等离子体烧蚀对传输光束畸变的影响
陈惟肖
李大伟
刘晓凤
刘文文
方周
张蕾
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
1
原文传递
2
耗尽区调制对氢化MILC Poly-Si TFT热产生漏电的影响
朱臻
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2011
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职称材料
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