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MEMS火工品换能元的研究进展 被引量:25
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作者 张彬 褚恩义 +3 位作者 任炜 王可暄 李慧 尹明 《含能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期428-436,共9页
换能元作为微机电系统(Micro Electro-Mechanical Systems,MEMS)火工品的核心部件,是MEMS火工品安全性和可靠性的重要影响因素,对整个武器系统的影响也是不可忽视的。文中从换能元的基底和电阻材料研究、结构设计等角度,综述了近年来MEM... 换能元作为微机电系统(Micro Electro-Mechanical Systems,MEMS)火工品的核心部件,是MEMS火工品安全性和可靠性的重要影响因素,对整个武器系统的影响也是不可忽视的。文中从换能元的基底和电阻材料研究、结构设计等角度,综述了近年来MEMS火工品换能元的最新发展研究。介绍了MEMS火工品换能元的两大关键技术:MEMS火工品换能元的设计制备方法以及换能元性能参数的测试表征。指出:具有微型化、集成化、多功能化和高可靠性的MEMS火工品换能元是未来研究的热点。为M EM S火工品换能元的设计研究提供理论支撑,应加强微尺度下的热散失特性以及桥区电阻特性研究。认为复合含能薄膜桥换能元是MEMS火工品换能元的一个重要发展方向。 展开更多
关键词 微机电系统(MEMS)火工品 换能元 薄膜桥 桥区结构
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氮化钽薄膜换能元低能化研究 被引量:9
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作者 任小明 刘兰 +3 位作者 余可馨 解瑞珍 刘卫 薛艳 《火工品》 CAS CSCD 北大核心 2021年第1期5-8,共4页
为了实现TaN薄膜换能元的低能化,设计制作了不同桥膜厚度、不同桥区尺寸、不同桥区形状的TaN薄膜换能元,依据GJB/z 377A-94感度试验用兰利法,对其进行了发火感度测试。结果表明:当桥区尺寸、形状一定时,随着桥膜厚度的增加,换能元的发... 为了实现TaN薄膜换能元的低能化,设计制作了不同桥膜厚度、不同桥区尺寸、不同桥区形状的TaN薄膜换能元,依据GJB/z 377A-94感度试验用兰利法,对其进行了发火感度测试。结果表明:当桥区尺寸、形状一定时,随着桥膜厚度的增加,换能元的发火电压先减小后增加,当桥膜厚度为0.9μm时,发火电压最小。通过优化桥区尺寸和桥区形状,获得的TaN薄膜换能元最小平均发火电压低于5V。 展开更多
关键词 换能元 TaN薄膜 桥区参数 发火感度
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薄膜桥点火电阻器的制备与仿真
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作者 朱雪婷 魏栩曼 +2 位作者 温占福 王利凯 张铎 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2018年第6期45-48,共4页
采用金属Ni Cr合金箔作为电阻材料,用光刻技术在玻纤板上制备薄膜桥点火电阻器,研究了薄膜桥点火电阻器的发火性能,并结合Ansys仿真软件,建立薄膜桥点火电阻器的有限元模型,模拟了1.5 A、5 ms发火条件下电阻体的电压分布及温度分布情况... 采用金属Ni Cr合金箔作为电阻材料,用光刻技术在玻纤板上制备薄膜桥点火电阻器,研究了薄膜桥点火电阻器的发火性能,并结合Ansys仿真软件,建立薄膜桥点火电阻器的有限元模型,模拟了1.5 A、5 ms发火条件下电阻体的电压分布及温度分布情况。试验结果表明:此种薄膜桥点火电阻器具有良好的发火性能。仿真结果表明,施加电载荷时热量主要集中在薄膜桥桥区中心处。 展开更多
关键词 点火电阻器 Ni Cr合金箔 光刻技术 ANSYS仿真 发火性能 薄膜桥
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桥区参数对Ni-Cr薄膜换能元发火性能的影响 被引量:18
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作者 解瑞珍 薛艳 +3 位作者 任小明 刘兰 卢斌 姚小宁 《火工品》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期18-20,共3页
依据GJB/z 377A-94感度试验用兰利法,对设计制作的不同桥区参数的Ni-Cr薄膜换能元进行了发火感度测试。结果显示:当桥区尺寸、形状一定时,随着桥膜厚度的增加,换能元的发火电压减小,当桥膜的厚度增加到0.9μm,换能元发火电压又有增加的... 依据GJB/z 377A-94感度试验用兰利法,对设计制作的不同桥区参数的Ni-Cr薄膜换能元进行了发火感度测试。结果显示:当桥区尺寸、形状一定时,随着桥膜厚度的增加,换能元的发火电压减小,当桥膜的厚度增加到0.9μm,换能元发火电压又有增加的趋势;当桥膜厚度、桥区形状一定时,随着桥区宽度减小,发火电压降低,但当桥区宽度小于0.10mm时,发火电压反而上升;当桥膜厚度、桥区宽度一定时,桥区长度越长,发火电压越高,而且不同桥区形状对换能元发火感度有明显的影响。 展开更多
关键词 Ni-Cr薄膜 桥区参数 磁控溅射 发火感度
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(B/Ti)_n/TaN薄膜点火桥的制备及点火性能 被引量:10
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作者 蔡贤耀 蒋洪川 +3 位作者 闫裔超 张宇新 邓新武 张万里 《含能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第3期265-269,共5页
利用磁控溅射与微细加工技术,将B/Ti多层膜沉积在TaN模桥制备了(B/Ti)n/TaN薄膜点火桥(膜桥),其中TaN膜桥的尺寸为80m×40m×2m,B/Ti多层膜尺寸为4mm×4mm,层数为40层,第一层B厚度400nm,其后每层B或Ti厚度为200nm,总μ... 利用磁控溅射与微细加工技术,将B/Ti多层膜沉积在TaN模桥制备了(B/Ti)n/TaN薄膜点火桥(膜桥),其中TaN膜桥的尺寸为80m×40m×2m,B/Ti多层膜尺寸为4mm×4mm,层数为40层,第一层B厚度400nm,其后每层B或Ti厚度为200nm,总μμμ厚度约8m。用电压40V、电容47F的钽电容对样品进行发火性能测试。结果表明:TaN膜桥的点火延迟时间为85s、点火输μμμ入能量15mJ、爆炸温度2500-3500K、火焰持续时间0.15ms左右、炸药持续高度5mm左右,而(B/Ti)n/TaN膜桥的点火延迟时间为37s、点火输入能量6mJ、爆炸温度4000-8500K、火焰持续时间大于0.25ms、火焰持续高度10mm以上。在点火桥上沉积B/Tiμ多层膜可降低点火延迟时间和点火输入能量,有效提升火工品的点火性能。 展开更多
关键词 磁控溅射 (B/Ti)n/TaN膜桥 TaN膜桥 B/Ti多层膜
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薄膜铂热电阻PT1000在热测试中的应用 被引量:8
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作者 陆心宇 郭庆 《仪器仪表用户》 2016年第1期73-75,共3页
电子设备的热测试是在电子设备完成热分析、热设计和完成样机之后,对电子设备样机的实际测试,以检测验证热设计与热分析的正确性。八路温度实时测量装置采用了薄膜铂热电阻PT1000作为温度传感器,以满足热测试的需求,文章给出了八路实时... 电子设备的热测试是在电子设备完成热分析、热设计和完成样机之后,对电子设备样机的实际测试,以检测验证热设计与热分析的正确性。八路温度实时测量装置采用了薄膜铂热电阻PT1000作为温度传感器,以满足热测试的需求,文章给出了八路实时温度测量装置设计和工作原理。 展开更多
关键词 热测试 薄膜铂热电阻 测量电桥 单片机
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毫米波RF MEMS开关的研制 被引量:6
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作者 党元兰 赵飞 +2 位作者 梁广华 刘晓兰 徐亚新 《电子工艺技术》 2016年第1期35-39,共5页
RF MEMS开关加工工序多,过程复杂,加工难度较大,影响开关加工质量的因素众多。从工艺流程入手,对加工过程中的牺牲层平坦化、牺牲层释放、薄膜微桥厚度及均匀性控制、薄膜微桥应力处理等关键技术和重要影响因素进行了分析。研制的20-40 ... RF MEMS开关加工工序多,过程复杂,加工难度较大,影响开关加工质量的因素众多。从工艺流程入手,对加工过程中的牺牲层平坦化、牺牲层释放、薄膜微桥厚度及均匀性控制、薄膜微桥应力处理等关键技术和重要影响因素进行了分析。研制的20-40 GHz RF MEMS开关,其插入损耗≤0.4 d B,回波损耗≤-20 d B,隔离度≥20 d B,驱动电压50-100 V,热切换寿命≥106次。 展开更多
关键词 RF MEMS开关 牺牲层平坦化 牺牲层释放 薄膜微桥 应力释放
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薄膜热导率测量结构的研究 被引量:5
8
作者 宋青林 夏善红 +1 位作者 陈绍凤 吕耀 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期228-229,共2页
提出了一种用于薄膜热导率测量的微器件。利用微机械加工技术制作出相应的结构,其桥状薄膜的面积为800μm×2000μm,悬梁的面积为30μm×100μm,薄膜电阻经悬梁穿过氮化硅薄膜用于加热和测温。薄膜上的热流和温度分布十分均匀,... 提出了一种用于薄膜热导率测量的微器件。利用微机械加工技术制作出相应的结构,其桥状薄膜的面积为800μm×2000μm,悬梁的面积为30μm×100μm,薄膜电阻经悬梁穿过氮化硅薄膜用于加热和测温。薄膜上的热流和温度分布十分均匀,可减小系统误差。实验中对0.5μm到2μm的一系列氮化硅薄膜进行了测量,得到了薄膜热导率的尺寸效应。 展开更多
关键词 热导率 桥状结构
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10~3000MHz电压基准的研究 被引量:1
9
作者 甄真 田伟 +2 位作者 阎景莲 蒋志清 侯立新 《计量学报》 CSCD 北大核心 2006年第4期297-303,共7页
论述了10~3000MHz电压基准的工作原理及特点,分析了不确定度。通过自行研制的电阻臂可变自动平衡电桥,建立了应用测热技术的射频电压自动校准系统。理论分析和实验表明:该基准装置在10~3000MHz频段内,0.1~2V量程中,不确定度为0... 论述了10~3000MHz电压基准的工作原理及特点,分析了不确定度。通过自行研制的电阻臂可变自动平衡电桥,建立了应用测热技术的射频电压自动校准系统。理论分析和实验表明:该基准装置在10~3000MHz频段内,0.1~2V量程中,不确定度为0.25%~0.7%,置信概率为99.73%。 展开更多
关键词 计量学 电压基准 测辐射热式电压标准 电阻臂可变自平衡电桥 双薄膜测热电阻 射频座 不确定度评定
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LCP基RF MEMS开关的工艺研究 被引量:1
10
作者 党元兰 赵飞 +5 位作者 韩磊 徐亚新 梁广华 刘晓兰 陈雨 庄治学 《电子与封装》 2016年第5期43-47,共5页
在柔性LCP基板上制备RF MEMS开关,加工难度较大,影响开关质量的因素较多。主要研究影响LCP基RF MEMS开关加工质量的主要因素,寻找工艺过程控制解决方案。通过对关键工序的试验,对加工过程中的基板清洗、LCP基板覆铜面镀涂及整平、LCP基... 在柔性LCP基板上制备RF MEMS开关,加工难度较大,影响开关质量的因素较多。主要研究影响LCP基RF MEMS开关加工质量的主要因素,寻找工艺过程控制解决方案。通过对关键工序的试验,对加工过程中的基板清洗、LCP基板覆铜面镀涂及整平、LCP基板无铜面溅射金属膜层、LCP基板平整度保持、二氧化硅膜层生长及图形化、牺牲层加工、薄膜微桥加工、牺牲层释放等工序进行了参数优化。研制的LCP基RF MEMS开关样件频率≤20 GHz、插入损耗≤0.5 d B,回波损耗≤-20 d B,隔离度≥20 d B,驱动电压30~50 V。该加工方法对柔性基板上可动结构的制造具有一定的借鉴价值。 展开更多
关键词 LCP基材 柔性 桥式RF MEMS开关 薄膜微桥
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不同桥区结构MEMS爆炸换能元电爆性能研究 被引量:1
11
作者 王锋 侯新鹏 彭志凌 《弹箭与制导学报》 北大核心 2022年第4期12-16,共5页
为研究薄膜换能元电爆特性的影响因素,通过对不同桥区结构薄膜换能元进行电热模拟仿真,分析桥区结构的改变对其电爆特性的影响,并进行电爆试验,与仿真结果进行对比,得出结论:倒V形桥区结构的薄膜换能元电爆输出能量高,响应时间短,电爆... 为研究薄膜换能元电爆特性的影响因素,通过对不同桥区结构薄膜换能元进行电热模拟仿真,分析桥区结构的改变对其电爆特性的影响,并进行电爆试验,与仿真结果进行对比,得出结论:倒V形桥区结构的薄膜换能元电爆输出能量高,响应时间短,电爆性能稳定,六边形结构能量利用率比方形桥结构高,曲线形结构的能量利用率最低。 展开更多
关键词 薄膜换能元 微机电系统火工品 桥区结构 电爆性能
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光谱辐射测量金属薄膜桥电爆炸温度 被引量:1
12
作者 王广海 李国新 +1 位作者 焦清介 刘桂林 《含能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期616-618,共3页
采用光谱辐射法测量了Ni-Cr金属薄膜桥的电爆炸温度。通过六通道瞬态光学高温计测量金属薄膜桥电爆炸时在514nm、631nm、692nm、715nm、910nm、1068nm波长处的辐照强度,根据黑体辐射理论计算温度值。研究表明,金属薄膜桥在50V、100μF... 采用光谱辐射法测量了Ni-Cr金属薄膜桥的电爆炸温度。通过六通道瞬态光学高温计测量金属薄膜桥电爆炸时在514nm、631nm、692nm、715nm、910nm、1068nm波长处的辐照强度,根据黑体辐射理论计算温度值。研究表明,金属薄膜桥在50V、100μF条件下电爆炸时的最高温度在5000K左右,4000K以上持续时间为300ns。 展开更多
关键词 军事化学与烟火技术 Ni-Cr薄膜 电爆炸 光谱
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基于LabVIEW和.NET的动态轴重测量系统
13
作者 吴雨桐 《河北建筑工程学院学报》 CAS 2017年第1期34-38,共5页
针对目前日益繁重的交通运输现象,为减免超重车辆对桥梁结构产生的不利影响,文中以压电式传感器为基础原件,通过LabVIEW编程来控制PCI-6013完成数据的采集及存储工作.结合现场实测数据,对整个动态轴重测量系统进行现场安装调试,结果表明... 针对目前日益繁重的交通运输现象,为减免超重车辆对桥梁结构产生的不利影响,文中以压电式传感器为基础原件,通过LabVIEW编程来控制PCI-6013完成数据的采集及存储工作.结合现场实测数据,对整个动态轴重测量系统进行现场安装调试,结果表明,该系统能够很好地达到车辆数据动态采集的目的,具有良好的稳定性和可靠性,精度满足工程要求. 展开更多
关键词 压电薄膜传感器 动态轴重测试系统 桥梁工程
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衬底热导对Mn-Co-Ni-O薄膜热敏红外探测器性能的影响
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作者 张飞 《红外》 CAS 2020年第9期25-30,共6页
研究了用Mn-Co-Ni-O薄膜材料制备的热敏红外探测器件,并主要通过调控衬底热导改进了器件性能。对于较薄的探测元,研究了具有微桥结构的红外器件。结果表明,该器件的响应率比非微桥器件高80%左右,探测率高44%左右。这主要是因为其独特的... 研究了用Mn-Co-Ni-O薄膜材料制备的热敏红外探测器件,并主要通过调控衬底热导改进了器件性能。对于较薄的探测元,研究了具有微桥结构的红外器件。结果表明,该器件的响应率比非微桥器件高80%左右,探测率高44%左右。这主要是因为其独特的结构形式降低了器件热导,且对光的全反射效应提高了探测元对光的吸收率。对于较厚的探测元,在衬底上增加了抛光的散热铜片,使器件衬底的导热系数提高了47%左右,但响应电压降低了50%左右。因此需要合理选择散热铜片,以获得合适的时间常数和响应率。 展开更多
关键词 Mn-Co-Ni-O薄膜 红外探测器 微桥 导热系数 响应率
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