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通过添加表面活性剂和螯合剂改进硅片化学清洗工艺的研究 被引量：7
1
作者 黄绍春 刘新 +1 位作者 叶嗣荣 刘小芹 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期468-471,共4页
通过在传统RCA清洗法所用的SC-1液中,添加表面活性剂四甲基氢氧化铵(TMAH)和/或螯合剂乙二胺四乙酸(EDTA),实验比较了不同清洗方法对颗粒粘污、金属粘污的去除效率;并测试了其对硅片表面粗糙度的影响。用MOS电容结构的击穿电场强度Weib... 通过在传统RCA清洗法所用的SC-1液中,添加表面活性剂四甲基氢氧化铵(TMAH)和/或螯合剂乙二胺四乙酸(EDTA),实验比较了不同清洗方法对颗粒粘污、金属粘污的去除效率;并测试了其对硅片表面粗糙度的影响。用MOS电容结构的击穿电场强度Weibull分布,评价了不同清洗方法所得氧化层的质量。结果表明,上述改进能够显著提高对颗粒粘污和金属粘污的去除效果,同时能省去RCA的SC-2清洗步骤,具有节省工时、化学试剂消耗量小的优势。 展开更多
关键词 RCA清洗法 湿法化学清洗 四甲基氢氧化铵(tmah) 乙二胺四乙酸(EDTA)
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液晶面板显影液废水中常见物质对TMAH厌氧降解的影响
2
作者 曹依晴 吕娟 +2 位作者 董佳奇 倪琪 欧昌源 《净水技术》 CAS 2023年第4期111-120,共10页
四甲基氢氧化铵(TMAH)是薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)生产过程中所产生显影液废水的主要成分,具有强碱性和生物毒性。为研究显影液废水中常见物质对TMAH厌氧生物降解的影响,文中选取实际显影液废水中常见的二甲基亚砜(DMSO)、N-甲基... 四甲基氢氧化铵(TMAH)是薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)生产过程中所产生显影液废水的主要成分,具有强碱性和生物毒性。为研究显影液废水中常见物质对TMAH厌氧生物降解的影响,文中选取实际显影液废水中常见的二甲基亚砜(DMSO)、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、二甲基乙酰胺(DMAC)和硫酸盐作为研究对象,分别考察了其对TMAH厌氧去除和生成产物的影响。批次试验结果表明,质量浓度为500~3000 mg/L的DMSO和质量浓度为50~1000 mg/L的DMAC对TMAH的厌氧去除无明显影响;较高质量浓度(300~2000 mg/L)的NMP会抑制TMAH及中间产物三甲胺的降解,引起三甲胺的累积;硫酸盐(100~2000 mg/L)会抑制TMAH的降解,导致中间产物积累。且这4种物质都对产甲烷菌的活性具有抑制作用,进而导致甲烷产量降低。研究结论可为实际显影液废水厌氧处理的工艺设计提供理论参考依据。 展开更多
关键词 显影液废水 四甲基氢氧化铵 厌氧 共存物质 活性污泥法
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TMAH湿法腐蚀工艺制备微台面结构 被引量：3
3
作者 任霄峰 《微纳电子技术》 北大核心 2018年第7期526-531,共6页
针对目前四甲基氢氧化铵（TMAH）湿法腐蚀工艺制备微台面结构工艺可控性差、需要添加添加剂、溶液使用周期短及工艺维护繁琐、无法实现大尺寸晶圆工程化应用等问题,研究了无添加剂时,微台面的腐蚀形貌与TMAH溶液质量分数和循环速率之间... 针对目前四甲基氢氧化铵（TMAH）湿法腐蚀工艺制备微台面结构工艺可控性差、需要添加添加剂、溶液使用周期短及工艺维护繁琐、无法实现大尺寸晶圆工程化应用等问题,研究了无添加剂时,微台面的腐蚀形貌与TMAH溶液质量分数和循环速率之间的关系,提升了大尺寸晶圆凸角腐蚀尺寸的均匀性及表面质量,6英寸（1英寸=2.54 cm）硅晶圆内,凸角腐蚀尺寸不均匀性小于5%,台面高度不均匀性小于3%,且腔体底部平整光亮,腐蚀速率较快,实现了工程化应用。当TMAH溶液pH值为12.2-12.6时,微台面结构制备工艺稳定可控、维护简单,实现了高质量微台面结构的可批量化生产。 展开更多
关键词 四甲基氢氧化铵(tmah) 湿法腐蚀 微台面结构 凸角 黑点 循环速率 不均匀性
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端氨基聚硅氧烷的合成与表征 被引量：3
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作者 王航航 申静静 +2 位作者 陈燕红 陈会琴 曾小君 《中国胶粘剂》 CAS 北大核心 2014年第10期5-8,共4页
以D4(八甲基环四硅氧烷)为活性单体、AT[1,3-双(3-氨基丙基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷]为封端剂、TMAH(四甲基氢氧化铵)为催化剂和DMSO(二甲亚砜)为促进剂,采用本体聚合法制备了端氨基聚硅氧烷(ATPS)。研究结果表明:采用单因素试验法优... 以D4(八甲基环四硅氧烷)为活性单体、AT[1,3-双(3-氨基丙基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷]为封端剂、TMAH(四甲基氢氧化铵)为催化剂和DMSO(二甲亚砜)为促进剂,采用本体聚合法制备了端氨基聚硅氧烷(ATPS)。研究结果表明:采用单因素试验法优选出合成ATPS的最佳工艺条件是聚合温度为90℃、聚合时间为3 h、n(D4)∶n(AT)=1.2∶1.0、n(TMAH)∶n(AT)=1.5∶1.0和w(DMSO)=0.5%(相对于D4和AT总质量而言),此时ATPS的产率(95.13%)相对最大、氨值(2.1100 mmol/g)相对最低且黏度(628 mPa·s)适宜。 展开更多
关键词 聚硅氧烷 八甲基环四硅氧烷 四甲基氢氧化铵 1 3-双(3-氨基丙基)-1 1 3 3-四甲基二硅氧烷
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TMAH+Triton中Si湿法腐蚀机理研究现状 被引量：2
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作者 姚明秋 苏伟 +1 位作者 唐彬 王芳 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2014年第6期386-393,共8页
在微机电系统(MEMS)领域硅各向异性湿法腐蚀是制作许多元器件的一项重要技术,加入非离子型表面活性剂的腐蚀液可以在硅基片上制作出各种形状,但是对于真正的腐蚀机理还有待进一步研究。介绍了硅湿法腐蚀机理的研究现状,通过不同腐蚀条... 在微机电系统(MEMS)领域硅各向异性湿法腐蚀是制作许多元器件的一项重要技术,加入非离子型表面活性剂的腐蚀液可以在硅基片上制作出各种形状,但是对于真正的腐蚀机理还有待进一步研究。介绍了硅湿法腐蚀机理的研究现状,通过不同腐蚀条件下得出的不同腐蚀结果分析其腐蚀机理。介绍了当非离子型表面活性剂加入碱性溶液时固体表面的活性剂吸附层结构,重点介绍了表面活性剂Triton X-100加入各向异性碱性腐蚀剂四甲基氢氧化铵(TMAH)后对活性剂吸附状态和硅腐蚀速率产生影响的根本原因。不同晶向硅表面的H基和OH基数量会影响其表面活性剂的吸附能力,硅在纯TMAH腐蚀液和加入活性剂Triton后的TMAH腐蚀液中的腐蚀速率存在一定差异,高质量分数的TMAH下加入不同体积分数的Triton时,不同晶面在活性剂吸附和腐蚀速率上也存在不同,给出了出现这些现象的机理分析。研究硅腐蚀机理可以为器件设计提供有效的理论支持,有助于制作更多新的MEMS结构。 展开更多
关键词 各向异性湿法腐蚀 四甲基氢氧化铵(tmah) TRITON X-100 表面活性剂吸附 腐蚀速率
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