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退火温度对金属催化四面体非晶碳转变为石墨烯过程的影响 被引量:6
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作者 刘盼盼 李汉超 +3 位作者 杨林 郭婷 柯培玲 汪爱英 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第5期341-347,共7页
设计了金属催化剂Ni/四面体非晶碳(ta-C)/基底三层结构,使用磁过滤阴极真空电弧设备制备了ta-C薄膜,用电子束蒸镀技术制备Ni薄膜,并对其进行快速热处理调控非晶碳转变石墨烯的过程,重点研究了热处理温度对石墨烯生长的影响。结果表明,... 设计了金属催化剂Ni/四面体非晶碳(ta-C)/基底三层结构,使用磁过滤阴极真空电弧设备制备了ta-C薄膜,用电子束蒸镀技术制备Ni薄膜,并对其进行快速热处理调控非晶碳转变石墨烯的过程,重点研究了热处理温度对石墨烯生长的影响。结果表明,沉积态的ta-C和Ni层均表面平整、均匀致密,其中Ni薄膜呈(111)晶面择优取向生长,为石墨烯的高质量生长提供了条件。同时,退火温度显著影响了非晶碳的石墨烯转变,当退火温度高于400℃时Ni表面能生成多层石墨烯,在500℃保温15 min可制备出质量较高的多层石墨烯。 展开更多
关键词 无机非金属材料 多层石墨烯 快速热处理 Ni催化 四面体非晶碳
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不同厚度四面体非晶碳薄膜的拉曼表征和内应力 被引量:4
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作者 朱嘉琦 韩杰才 +1 位作者 高巍 孟松鹤 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期59-63,共5页
为了探讨膜厚对四面体非晶碳薄膜拉曼结构表征和内应力的影响规律,进而确定应力与拉曼光谱之间的关系,采用过滤阴极真空电弧技术以相同的工艺条件在P(100)单晶抛光硅衬底上制备了从3nm^350nm不同厚度的四面体非晶碳薄膜。利用表面轮廓... 为了探讨膜厚对四面体非晶碳薄膜拉曼结构表征和内应力的影响规律,进而确定应力与拉曼光谱之间的关系,采用过滤阴极真空电弧技术以相同的工艺条件在P(100)单晶抛光硅衬底上制备了从3nm^350nm不同厚度的四面体非晶碳薄膜。利用表面轮廓仪和原子力显微镜测试膜厚,表面轮廓仪确定曲率半径并计算薄膜应力,共聚焦拉曼光谱表征薄膜的结构细节。实验发现,随着膜厚的增加,四面体非晶碳薄膜的应力持续下降,当膜厚超过30nm时,应力的下降趋势变得平缓,并保持在小于5GPa的较低水平。随着膜厚的增加,可见光拉曼光谱中衬底硅的一阶和二阶谱峰强度逐渐降低,在50nm^80nm膜厚范围,半高宽最窄,峰强最高,能够最有效地获得拉曼结构信息。随着膜厚的增加和应力的下降,非晶碳一阶谱峰的峰位表现为逐渐向低频偏移。 展开更多
关键词 四面体非晶碳 过滤阴极真空电弧 拉曼光谱 应力
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磁过滤阴极电弧技术沉积高sp^3键含量四面体非晶碳薄膜的工艺优化研究 被引量:5
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作者 韩亮 张涛 刘德连 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期203-207,共5页
通过对不同基片偏压下磁过滤器电流对四面体非晶碳(ta-C)薄膜sp3键含量影响的研究,探讨了磁过滤阴极电弧技术制备高sp3键ta-C薄膜优化工艺条件。在不同的基片偏压下,薄膜沉积率随着磁过滤器电流增大而增大。当基片偏压为200 V时,磁过滤... 通过对不同基片偏压下磁过滤器电流对四面体非晶碳(ta-C)薄膜sp3键含量影响的研究,探讨了磁过滤阴极电弧技术制备高sp3键ta-C薄膜优化工艺条件。在不同的基片偏压下,薄膜沉积率随着磁过滤器电流增大而增大。当基片偏压为200 V时,磁过滤器电流从5A增大至13 A,ID/IG从0.18增加到0.39;当基片偏压500V时,ID/IG从1.3增加到2.0;证明随着磁过滤器电流的增大,薄膜中的sp3键含量在减少,sp2键及sp2团簇在逐渐增加。研究表明除了基片偏压,ta-C薄膜sp3键含量与制备工艺中磁过滤电流也具有及其密切的关联.因此,基片偏压与磁过滤器电流是ta-C薄膜制备中需要优化的工艺条件。优化和选择合适的基片偏压与磁过滤器电流对ta-C薄膜的大规模工业化生产应用具有极其重要的意义。 展开更多
关键词 四面体非晶碳 拉曼光谱 sp3键 基片偏压 磁过滤器电流
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脉冲偏压对磁过滤阴极电弧离子镀ta-C薄膜性能的影响 被引量:4
4
作者 董中林 于振华 +4 位作者 施毅 李琦 杨木 王永庆 干蜀毅 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期78-82,共5页
在不同脉冲偏压值下采用90°弯管磁过滤阴极电弧离子镀于硅片表面制备四面体非晶碳膜(Ta-C),研究了脉冲偏压对薄膜硬度、沉积速率、表面形貌及键价结构的影响。结论表明,薄膜沉积速率随脉冲偏压值的增加呈先增后减趋势,偏压值与膜... 在不同脉冲偏压值下采用90°弯管磁过滤阴极电弧离子镀于硅片表面制备四面体非晶碳膜(Ta-C),研究了脉冲偏压对薄膜硬度、沉积速率、表面形貌及键价结构的影响。结论表明,薄膜沉积速率随脉冲偏压值的增加呈先增后减趋势,偏压值与膜层硬度值呈负相关性,高的偏压会抑制膜层中sp3键的形成,还能在一定程度上抑制大颗粒形成。本文研究内容为工业应用中通过脉冲偏压调整优化膜层综合性能提供参考。 展开更多
关键词 脉冲偏压 磁过滤 四面体非晶碳 sp^3键 硬度
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四配位非晶碳薄膜的研究进展 被引量:2
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作者 魏爱香 周友国 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 2000年第4期75-79,共5页
四配位非晶碳薄膜是近年来发展的一种新型宽带隙半导体材料 ,具有独特的物理和化学特性。本文对四配位非晶碳薄膜的研究意义 ,制备方法 ,形成机理 ,结构和性能表征及应用前景作较全面的介绍。
关键词 四配位非晶碳薄膜 制备方法 形成机理 结构 性能
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Optical Properties of Tetrahedral Amorphous Carbon Films and Their Potential for Lab-on-a-Chip 被引量:1
6
作者 Katja Guenther Frank Sonntag +1 位作者 Teja Roch Andrés Fabián Lasagni 《Materials Sciences and Applications》 2015年第5期445-455,共11页
In this study, tetrahedral amorphous carbon (ta-C) films with thicknesses between several 100 nm and several micrometers have been deposited onto polished tungsten carbide and steel substrates by pulsed laser depositi... In this study, tetrahedral amorphous carbon (ta-C) films with thicknesses between several 100 nm and several micrometers have been deposited onto polished tungsten carbide and steel substrates by pulsed laser deposition (PLD) using an excimer laser (248 nm wavelength). We investigate the optical properties (e.g. the refractive index (n) and extinction coefficient (k) in the visible and near-infrared wavelength range) of these layers in dependence of the used laser ablation fluence on the target. It is shown that n of ~2000 nm thick ta-C films can be tuned, depending on the sp3-content, between n = 2.5 and 2.8 at a wavelength of 632 nm. Besides of this k reduces with the sp3-content and is as low as 0.03 at sp3-contents of more than 75%. We proof that this gives the opportunity to prepare coating with tailored optical properties. Furthermore, it is shown that the ta-C films have low background fluorescence in the wavelengths range of 380 - 750 nm, which make this thin films attractive for certain optical, medical and biotechnological applications. We present for the first time that one possible application is the use in Lab-on-a-Chip-systems (LOC). Within these systems, the ultrasensitive detection of fluorescence markers and dyes is a challenge. In order to increase the signal-to-noise-ratio, a setup was developed, that used the specific optical properties of ta-C films produced by PLD. We used the ta-C film as an integrated reflector that combined low background fluorescence, a low reflectivity at the excitation wavelength and the high reflectivity at the emission wavelength. We prove that this setup improves the detection of fluorescence photons. 展开更多
关键词 tetrahedral amorphous carbon PULSED Laser Deposition Thin Films DIAMOND-LIKE carbon LAB-ON-A-CHIP
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磁过滤器电流对非晶碳薄膜摩擦学特性影响的研究 被引量:3
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作者 韩亮 杨立 +2 位作者 杨拉毛草 王炎武 赵玉清 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期530-534,共5页
研究了过滤阴极真空电弧技术中,不同的磁过滤器电流下(5—13A),制备的四面体非晶碳(ta-C)薄膜对摩擦学特性的影响.通过对薄膜厚度,薄膜结构以及薄膜表面粗糙度随磁过滤电流的变化结果进行了测试,结果表明,随着磁过滤器电流的增大,薄膜的... 研究了过滤阴极真空电弧技术中,不同的磁过滤器电流下(5—13A),制备的四面体非晶碳(ta-C)薄膜对摩擦学特性的影响.通过对薄膜厚度,薄膜结构以及薄膜表面粗糙度随磁过滤电流的变化结果进行了测试,结果表明,随着磁过滤器电流的增大,薄膜的sp3键含量逐渐减少,表面粗糙度从0.13增大到0.38.磁过滤器电流在5A时,薄膜的摩擦系数最小约为0.08,当电流增大到7A时,摩擦系数显著增大,磁过滤器电流从7A增大到13A时,薄膜的摩擦系数再次减小约为0.1. 展开更多
关键词 四面体非晶碳 过滤阴极真空电弧 磁过滤器电流 摩擦系数
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真空阴极多弧离子镀不同厚度四面体非晶碳薄膜的结构和性能 被引量:3
8
作者 李玉婷 代明江 +5 位作者 李洪 林松盛 石倩 韦春贝 苏一凡 郭朝乾 《电镀与涂饰》 CAS CSCD 北大核心 2018年第16期716-721,共6页
以真空阴极多弧离子镀技术在P(100)型单晶抛光硅衬底和YG6硬质合金上制备了四面体非晶碳(ta-C)薄膜。用扫描电镜(SEM)测量薄膜厚度,并观察其表面及断面形貌;用X射线衍射仪(XRD)分析薄膜的相组成;用拉曼光谱标定薄膜中的sp3键和sp2键;用... 以真空阴极多弧离子镀技术在P(100)型单晶抛光硅衬底和YG6硬质合金上制备了四面体非晶碳(ta-C)薄膜。用扫描电镜(SEM)测量薄膜厚度,并观察其表面及断面形貌;用X射线衍射仪(XRD)分析薄膜的相组成;用拉曼光谱标定薄膜中的sp3键和sp2键;用轮廓仪测量薄膜的表面粗糙度;用划痕法和压痕法测试了膜/基结合强度。在0.5~1.5μm的厚度范围内,随着ta-C薄膜厚度增加,薄膜的sp3键含量逐渐降低,表面碳颗粒数量及尺寸逐渐增加,与YG6基体的结合强度不断降低。0.5μm厚的ta-C薄膜具有最小的表面粗糙度(0.17μm),最高的结合强度(剥离时的临界载荷为61 N,压痕等级为HF2),表现出最优的综合力学性能。 展开更多
关键词 真空阴极多弧离子镀 硬质合金 四面体非晶碳 薄膜 形貌 粗糙度 拉曼光谱 结合强度
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掺硼四面体非晶碳膜的微观结构及光谱表征
9
作者 张化宇 檀满林 +2 位作者 韩杰才 朱嘉琦 贾泽纯 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期180-184,共5页
分别采用过滤阴极真空电弧技术制备了不同含硼量四面体非晶碳(ta-C:B)膜,并用X射线光电子能谱(XPS)、Raman光谱对薄膜的微观结构和化学键态进行了研究.XPS分析表明薄膜中B主要以石墨结构形式存在,随着B含量的增加,sp^3杂化碳的含量逐渐... 分别采用过滤阴极真空电弧技术制备了不同含硼量四面体非晶碳(ta-C:B)膜,并用X射线光电子能谱(XPS)、Raman光谱对薄膜的微观结构和化学键态进行了研究.XPS分析表明薄膜中B主要以石墨结构形式存在,随着B含量的增加,sp^3杂化碳的含量逐渐减小,Ta-C:B膜的Raman谱线在含硼量较高时,其D峰和G峰向低频区偏移,且G峰的半峰宽变窄,表明B的引入促进了sp^2杂化碳的团簇化,减小了原子价键之间的变形,从而降低了薄膜的内应力. 展开更多
关键词 四面体非晶碳(ta-C) XPS RAMAN光谱
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ENHANCING ADHESION OF TETRAHEDRAL AMORPHOUS CARBON FILMS
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作者 赵玉清 林毅 +2 位作者 王晓艳 王炎武 魏新宇 《Journal of Pharmaceutical Analysis》 SCIE CAS 2005年第1期33-35,39,共4页
Objective The high energy ion bombardment technique is applied to enhancing the adhesion of the tetrahedral amorphous carbon (TAC) films deposited by the filtered cathode vacuum arc (FCVA). Methods The abrasion method... Objective The high energy ion bombardment technique is applied to enhancing the adhesion of the tetrahedral amorphous carbon (TAC) films deposited by the filtered cathode vacuum arc (FCVA). Methods The abrasion method, scratch method, heating and shaking method as well as boiling salt solution method is used to test the adhesion of the TAC films on various material substrates. Results The test results show that the adhesion is increased as the ion bombardment energy increases. However, if the bombardment energy were over the corresponding optimum value, the adhesion would be enhanced very slowly for the harder material substrates and drops quickly, for the softer ones. Conclusion The optimum values of the ion bombardment energy are larger for the harder materials than that for the softer ones. 展开更多
关键词 tetrahedral amorphous carbon filtered cathode vacuum arc ion bombardment ADHESION
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高能氮离子轰击对四面体非晶碳膜的表面改性和摩擦系数影响的研究 被引量:1
11
作者 韩亮 陈仙 +3 位作者 杨立 王炎武 王晓艳 赵玉清 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期584-588,共5页
利用过滤阴极真空电弧技术制备了sp3键含量不小于80%的四面体非晶碳(ta-C)膜.利用冷阴极潘宁离子源产生不同能量的氮离子对制备的ta-C薄膜进行轰击,通过X射线光电子能谱和原子力显微镜对薄膜表面结构与形貌进行分析研究.研究表明,随着... 利用过滤阴极真空电弧技术制备了sp3键含量不小于80%的四面体非晶碳(ta-C)膜.利用冷阴极潘宁离子源产生不同能量的氮离子对制备的ta-C薄膜进行轰击,通过X射线光电子能谱和原子力显微镜对薄膜表面结构与形貌进行分析研究.研究表明,随着氮离子的轰击能量的增大,薄膜中的CN键结构略有增大,形成了轻N掺杂;同时,在薄膜表层发生了sp3键结构向sp2键结构的转化;薄膜的表面粗糙度在经过氮离子轰击后从0.2nm减小至0.18nm,然后随着轰击能量的增大,表面的粗糙度又增大到0.33nm.氮离子轰击前后的ta-C薄膜的摩擦系数发生显著改变,从轰击前的0.09nm左右增大至0.16nm左右,但是轰击后的薄膜的摩擦系数与氮离子轰击能量没有明显的依赖关系. 展开更多
关键词 四面体非晶碳 X射线光电子能谱 摩擦系数
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Raman spectra of nitrogen-doped tetrahedral amorphous carbon from first principles
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作者 NIU Li ZHU JiaQi +2 位作者 GAO Wei HAN Xiao DU ShanYi 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 2009年第23期4376-4380,共5页
The non-resonant vibrational Raman spectra of nitrogen-doped tetrahedral amorphous carbon have been calculated from first principles, including the generation of a structural model, and the calculation of vibrational ... The non-resonant vibrational Raman spectra of nitrogen-doped tetrahedral amorphous carbon have been calculated from first principles, including the generation of a structural model, and the calculation of vibrational frequencies, vibrational eigenmodes and Raman coupling tensors. The calculated Raman spectra are in good agreement with the experimental results. The broad band at around 500 cm-1 arises from mixed bonds. The T peak originates from the vibrations of sp3 carbon and the G peak comes from the stretching vibrations of sp2-type bonding of C=C and C=N. The simulation results indicate the direct contribution of N vibrations to Raman spectra. 展开更多
关键词 共振拉曼光谱 四面体非晶碳 氮掺杂 振动频率 莫尔 第一原理 结构模型 伸缩振动
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硼掺杂对四面体非晶碳膜电导性能的影响
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作者 檀满林 朱嘉琦 +2 位作者 张化宇 朱振业 韩杰才 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期6551-6556,共6页
以单质硼和高纯石墨的混合粉末压制成型的靶材作为靶源,采用过滤阴极真空电弧技术制备不同硼含量的掺硼四面体非晶碳膜.分别采用四探针法、阻抗分析仪和电化学界面对薄膜的变温电导率、I-V特性和C-V特性进行了测试和研究.实验结果表明,... 以单质硼和高纯石墨的混合粉末压制成型的靶材作为靶源,采用过滤阴极真空电弧技术制备不同硼含量的掺硼四面体非晶碳膜.分别采用四探针法、阻抗分析仪和电化学界面对薄膜的变温电导率、I-V特性和C-V特性进行了测试和研究.实验结果表明,当B含量由0增加至6.04 at%时,薄膜的室温电导率先逐渐增大而后逐渐减小,相应薄膜的电导激活能先逐渐减小而后逐渐增大,并在2.13 at%时分别出现最大和最小值1.42×10-7S/cm和0.1 eV.此外,掺硼四面体非晶碳/n型硅异质结的I-V曲线表现出典型的整流特性,表明p-n结二极管已经形成,且结两端的掺杂能级在空间上连续统一. 展开更多
关键词 四面体非晶碳 电导率 I-V曲线 C-V曲线
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掺磷四面体非晶碳薄膜的电学性能
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作者 刘爱萍 朱嘉琦 +1 位作者 唐为华 李超荣 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期201-205,共5页
采用过滤阴极真空电弧技术以PH_3为掺杂源,施加0—200 V基底负偏压,制备了掺磷四面体非晶碳(ta-C:P)薄膜,利用X射线光电子能谱(XPS)和Raman光谱研究ta-C:P薄膜的微观结构,通过测定变温电导率和电流-电压曲线,考察ta-C:P薄膜的导电行为... 采用过滤阴极真空电弧技术以PH_3为掺杂源,施加0—200 V基底负偏压,制备了掺磷四面体非晶碳(ta-C:P)薄膜,利用X射线光电子能谱(XPS)和Raman光谱研究ta-C:P薄膜的微观结构,通过测定变温电导率和电流-电压曲线,考察ta-C:P薄膜的导电行为。结果表明,磷掺入增加了薄膜中sp^2杂化碳原子含量和定域电子π/π~*态的数量,提高了薄膜的导电能力,且以-80 V得到的ta-C:P薄膜导电性能最好,在293—573 K范围内ta-C:P薄膜中的载流子表现出跳跃式传导和热激活传导两种导电机制,电流-电压实验证明ta-C:P薄膜为n型半导体材料。 展开更多
关键词 掺磷 四面体非晶碳 基底偏压 电导率 导电机制
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椭偏法表征四面体非晶碳薄膜的化学键结构 被引量:12
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作者 李晓伟 周毅 +1 位作者 孙丽丽 汪爱英 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期298-304,共7页
采用自主研制的双弯曲磁过滤阴极真空电弧(FCVA)技术,在不同衬底负偏压下制备了四面体非晶碳(ta-C)薄膜。通过分光光度计和椭偏(SE)联用技术精确测量了薄膜厚度,重点采用椭偏法对不同偏压下制备的ta-C薄膜sp3 C键和sp2 C键结构进行了拟... 采用自主研制的双弯曲磁过滤阴极真空电弧(FCVA)技术,在不同衬底负偏压下制备了四面体非晶碳(ta-C)薄膜。通过分光光度计和椭偏(SE)联用技术精确测量了薄膜厚度,重点采用椭偏法对不同偏压下制备的ta-C薄膜sp3 C键和sp2 C键结构进行了拟合表征,并与X射线光电子能谱(XPS)和拉曼光谱的实验结果相对比,分析了非晶碳结构的椭偏拟合新方法可靠性。结果表明,在-100V偏压时薄膜厚度最小,为33.9nm;随着偏压的增加,薄膜中的sp2 C含量增加,sp3 C含量减小,光学带隙下降。对比结果发现,椭偏法作为一种无损、简易、快速的表征方法,可用于ta-C薄膜中sp2 C键和sp3 C键含量的准确测定,且在采用玻璃碳代表纯sp2 C的光学常数及拟合波长选取250~1700nm时的椭偏拟合条件下,拟合数值最佳。 展开更多
关键词 薄膜 化学键 椭偏法 磁过滤阴极真空弧 四面体非晶碳
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不同能级加速过滤电弧沉积四面体非晶碳膜的结构和性能 被引量:11
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作者 朱嘉琦 王景贺 +2 位作者 孟松鹤 韩杰才 张连生 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期1150-1156,共7页
采用过滤阴极真空电弧技术 ,通过施加 0— 2 0 0 0V衬底负偏压使沉积离子获得不同能级的入射能量 ,在单晶硅上制备了四面体非晶碳薄膜 .拉曼光谱分析表明 ,薄膜的结构为非晶sp3 骨架中镶嵌着平面关联长度小于 1nm的sp2 团簇 .原子力显... 采用过滤阴极真空电弧技术 ,通过施加 0— 2 0 0 0V衬底负偏压使沉积离子获得不同能级的入射能量 ,在单晶硅上制备了四面体非晶碳薄膜 .拉曼光谱分析表明 ,薄膜的结构为非晶sp3 骨架中镶嵌着平面关联长度小于 1nm的sp2 团簇 .原子力显微镜研究表明 :在低能级、富sp3 能量窗口和次高能级 ,薄膜中sp3 的含量越多 ,其表面就越光滑 ,应用sp3 浅注入生长机制能够圆满地解释薄膜表面形态与离子入射能量之间的关系 ;但在高能级 ,具有适当入射能量的离子对表面将起到溅射平滑作用 ,甚至可以得到比sp3 含量最高时均方根粗糙度更低的光滑表面 .纳米压入测试表明 ,高能 (-2 0 0 0V)沉积的四面体非晶碳膜具有比不加偏压时更高的硬度和杨氏模量 ,并具有比sp3 展开更多
关键词 四面体非晶碳 过滤阴极真空电弧技术 拉曼光谱分析 薄膜结构 能级分布
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新型Ta-C涂层铣刀切削性能研究 被引量:5
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作者 张而耕 黄彪 +1 位作者 何澄 周琼 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第6期125-130,共6页
目的研究Ta-C涂层刀具与普通类金刚石涂层刀具切削2A50铝合金时的性能对比。方法通过实验比较两刃、四刃Ta-C涂层铣刀和两刃、四刃普通类金刚石涂层铣刀,在干式切削条件下切削2A50铝合金的性能。通过相同切削条件下刀具切削距离的长短,... 目的研究Ta-C涂层刀具与普通类金刚石涂层刀具切削2A50铝合金时的性能对比。方法通过实验比较两刃、四刃Ta-C涂层铣刀和两刃、四刃普通类金刚石涂层铣刀,在干式切削条件下切削2A50铝合金的性能。通过相同切削条件下刀具切削距离的长短,比较刀具的使用寿命,并在显微镜下观察切屑的表面形貌,用表面粗糙度仪检测铝合金表面的粗糙度。结果两刃Ta-C涂层铣刀干式切削铝合金时的使用寿命最长,切削距离为116 m。Ta-C涂层铣刀与普通类金刚石涂层铣刀加工工件的表面粗糙度总体呈上升趋势,两刃Ta-C涂层铣刀加工出来的工件表面质量较好,工件表面粗糙度均值为0.692μm。结论相同刀刃数量且结合力良好的涂层铣刀相比较,Ta-C涂层铣刀较普通类金刚石涂层铣刀加工出来的工件表面粗糙度平均值低,同种涂层加工得到的切屑表面微观形貌无明显差别。Ta-C涂层铣刀与普通类金刚石涂层铣刀切削铝合金时,抑制粘刀效果都十分明显,但Ta-C涂层铣刀效果更优。 展开更多
关键词 Ta-C涂层 类金刚石涂层 铝合金 切屑 表面粗糙度
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过滤阴极真空电弧法制备四面体非晶碳薄膜 被引量:3
18
作者 韩杰才 朱嘉琦 孟松鹤 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2003年第2期118-122,共5页
利用离面双弯曲过滤阴极真空电弧沉积系统,在Φ200mm单晶硅片上制备四面体非晶碳薄膜。利用Dectek3型表面轮廓仪检验膜厚均匀性(小于5%),并利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、激光拉曼光谱(Raman)、X射线光电子谱(XPS)以及... 利用离面双弯曲过滤阴极真空电弧沉积系统,在Φ200mm单晶硅片上制备四面体非晶碳薄膜。利用Dectek3型表面轮廓仪检验膜厚均匀性(小于5%),并利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、激光拉曼光谱(Raman)、X射线光电子谱(XPS)以及纳米压痕(Nano-Indenter)仪器测试薄膜的性能和结构。结果表明:试验制备的薄膜是四面体非晶碳薄膜,其中sp3键含量高达80%以上,薄膜表面纯净,几乎没有大颗粒的污染,表面粗糙度(Rq)小于0.3nm(取样面积1μm2),薄膜硬度可达50GPa,杨氏弹性模量高于550GPa。 展开更多
关键词 四面体非晶碳薄膜 过滤阴极真空电弧 拉曼光谱 X射线光电子谱 纳米压入仪 制备
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不同厚度四面体非晶碳薄膜的高通量制备及表征 被引量:4
19
作者 魏菁 李汉超 +1 位作者 柯培玲 汪爱英 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第11期1173-1178,共6页
材料基因组工程能大幅度提高材料研发速度,降低材料研发成本,近年来受到广泛关注。本研究采用高通量制备工艺,结合碳等离子体束流和基片位置的调控,利用自主设计研制的45°双弯曲磁过滤阴极真空电弧设备,沉积了厚度为4.7~183 nm的... 材料基因组工程能大幅度提高材料研发速度,降低材料研发成本,近年来受到广泛关注。本研究采用高通量制备工艺,结合碳等离子体束流和基片位置的调控,利用自主设计研制的45°双弯曲磁过滤阴极真空电弧设备,沉积了厚度为4.7~183 nm的系列四面体非晶碳(ta-C)薄膜,使用椭偏仪、原子力显微镜、拉曼光谱仪和X射线光电子能谱仪(XPS)表征了厚度对ta-C薄膜表面粗糙度、微结构和原子键态的影响。结果表明:通过碳等离子体束流和基片位置的调控,实现了不同厚度ta-C薄膜的高通量制备。尽管膜厚不同,所制备的ta-C薄膜均具有几乎不变的光滑表面(R_a=(0.38±0.02) nm)和色散值(Disp(G)),说明不同厚度ta-C薄膜的sp^3含量、sp^2团簇尺寸保持相对稳定。XPS结果进一步证实ta-C薄膜的sp3相对含量均维持在(55±5)%。此外,不同厚度ta-C薄膜的光学带隙E_(opt)均保持在(1.02±0.08)eV。相关结果为设计制备结构和光学性能可控的不同厚度ta-C薄膜提供了一种新思路。 展开更多
关键词 四面体非晶碳膜 高通量 厚度 微结构 光学带隙
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含氢四面体非晶碳膜的制备与结构及力学性能 被引量:3
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作者 许世鹏 占发琦 +2 位作者 郑月红 陈维铅 喇培清 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第10期2651-2656,共6页
采用化学气相沉积法制备具有优异力学性能的含氢四面体非晶碳膜有望满足工业应用的要求。通过自主设计的等离子体增强化学气相沉积实验系统制备含氢四面体非晶碳膜,并对其微观结构与力学性能进行研究。随着偏压从-200 V增加到-500 V,薄... 采用化学气相沉积法制备具有优异力学性能的含氢四面体非晶碳膜有望满足工业应用的要求。通过自主设计的等离子体增强化学气相沉积实验系统制备含氢四面体非晶碳膜,并对其微观结构与力学性能进行研究。随着偏压从-200 V增加到-500 V,薄膜硬度和弹性模量先增加后减少,最大达到34.0 GPa和282.0 GPa。压应力随着偏压的变化表现出相同的变化趋势。与传统等离子体增强化学气相沉积方法相比,自主设计的等离子体增强化学气相沉积系统制备的碳膜硬度和弹性模量明显提升,碳膜sp3含量(摩尔分数)超过62.3%,制备出的碳膜具有典型的含氢四面体非晶碳膜特征,而非含氢碳膜,主要是由于水冷射频双螺旋电极与平板电极结合增强了粒子的轰击和离化率,提高了薄膜sp3含量。这为在工业中应用制备高硬度和弹性模量的含氢四面体非晶碳膜提供了可能。 展开更多
关键词 含氢四面体非晶碳膜 力学性能 等离子增强化学气相沉积 微观结构
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