期刊文献+
共找到8篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
Interface phonon-polaritons in quantum well systems of polar ternary mixed crystals 被引量:1
1
作者 包锦 梁希侠 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2010年第9期360-367,共8页
The interface phonon-polaritons in quantum well systems consisting of polar ternary mixed crystals are investi-gated. The numerical results of the interface phonon-polariton frequencies in the GaAs/AlxGa1-xAs, ZnSxSe1... The interface phonon-polaritons in quantum well systems consisting of polar ternary mixed crystals are investi-gated. The numerical results of the interface phonon-polariton frequencies in the GaAs/AlxGa1-xAs, ZnSxSe1-x/ZnS, and ZnxCd1-xSe/ ZnSe quantum well systems are obtained and discussed. It is shown that there are six branches of interface phonon-polariton modes distributed in three bulk phonon-polariton forbidden bands in the systems. The electric fields of interface phonon polaritons are also presented and show the interface locality of the modes. The effects of the 'two-mode' and 'one-mode' behaviours of the ternary mixed crystals on the interface phonon-polariton modes are shown in the dispersion curves. 展开更多
关键词 interface phonon-polaritons quantum wells ternary mixed crystals
下载PDF
三元混晶四层系统的表面和界面声子极化激元 被引量:2
2
作者 包锦 闫翠玲 闫祖威 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第10期365-371,共7页
运用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,结合电磁场的麦克斯韦方程和边界条件,研究了真空/极性二元晶体薄膜/极性三元混晶薄膜/极性二元晶体衬底四层系统的表面和界面声子极化激元.以AlxGa1-xAs/GaAs和ZnxCd1-xSe/ZnSe为例,获得了... 运用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,结合电磁场的麦克斯韦方程和边界条件,研究了真空/极性二元晶体薄膜/极性三元混晶薄膜/极性二元晶体衬底四层系统的表面和界面声子极化激元.以AlxGa1-xAs/GaAs和ZnxCd1-xSe/ZnSe为例,获得了表面和界面声子极化激元模的色散关系以及表面模和界面模的频率随混晶组分和薄膜厚度的变化关系.结果表明,三元混晶四层异质结系统中存在七支表面和界面声子极化激元模,且这七支表面模和界面模的频率随混晶组分和薄膜厚度呈非线性变化,三元混晶的"单模"和"双模"性也在色散曲线中得到了很好的体现. 展开更多
关键词 表面和界面声子极化激元 四层系统 三元混晶
原文传递
三元混晶异质结系统的界面声子极化激元 被引量:1
3
作者 闫翠玲 包锦 《内蒙古农业大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2013年第6期177-181,共5页
运用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,结合电磁场的麦克斯韦方程和边界条件,研究了三元混晶异质结系统GaAs/Al0.4Ga0.6As和GaN/Ga0.35In0.65N中的界面声子极化激元,获得了界面声子极化激元模的色散关系以及界面模的频率随混晶组... 运用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,结合电磁场的麦克斯韦方程和边界条件,研究了三元混晶异质结系统GaAs/Al0.4Ga0.6As和GaN/Ga0.35In0.65N中的界面声子极化激元,获得了界面声子极化激元模的色散关系以及界面模的频率随混晶组分的变化关系.结果表明:三元混晶异质结系统中存在三支界面声子极化激元模,且这三支界面模的频率随混晶组分呈非线性变化.三元混晶的"单模"和"双模"性也在色散曲线中体现了出来. 展开更多
关键词 界面声子极化激元 异质结 三元混晶
原文传递
三元混晶中光学极化子的内激发态 被引量:1
4
作者 诺敏碧力戈 赵凤歧 +1 位作者 王旭 梁希侠 《内蒙古大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1992年第3期372-379,共8页
本文研究了三元混晶中光学极化子的内激发态.在弱耦合的情况下分别对几种不同的混晶材料A_xB_(1-z)C进行了计算,计算出极化子的藕合常数,基态以及第一激发态能量随组分x变化的一系列值;对极化子的内激发态的存在以及性质也进行了讨论.
关键词 三元混晶 光学声子 内激发态
下载PDF
三元混晶Al_xGa_(1-x)N和Rb_xK_(1-x)Cl材料的极化子能量
5
作者 温静 《信息记录材料》 2015年第3期8-12,共5页
基于混晶模型和极化子微扰理论,研究了弱藕合下三元混晶AxB1-xC材料的极化子能级问题,推导了极化子能级表达式,给出了其随组分x变化的函数关系。对AlxGa1-xN和RbxK1-xCl两种典型的三元混晶进行了数值计算,与线性内插法计算结果进行了对... 基于混晶模型和极化子微扰理论,研究了弱藕合下三元混晶AxB1-xC材料的极化子能级问题,推导了极化子能级表达式,给出了其随组分x变化的函数关系。对AlxGa1-xN和RbxK1-xCl两种典型的三元混晶进行了数值计算,与线性内插法计算结果进行了对比研究。研究结果表明:极化子能量随组分x增大而逐渐增加,呈现出线性变化趋势;两种计算方法在AlxGa1-xN中吻合较好,而在混晶RbxK1-xCl中明显偏大于线性内插法,且随组分x增加偏差逐渐扩大。 展开更多
关键词 三元混晶 极化子能量 电子-声子相互作用 量子阱
下载PDF
膜厚对三元混晶双层系中声子极化激元模的影响
6
作者 包锦 梁希侠 《内蒙古大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期401-406,共6页
采用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,运用电磁场的麦克斯韦方程和边界条件,研究了薄膜厚度对由极性三元混晶组成的双层薄膜系统中的表面和界面声子极化激元的影响.以GaAs/AlxGa1-xAs双层系统为例,获得了其中表面和界面声子极化... 采用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,运用电磁场的麦克斯韦方程和边界条件,研究了薄膜厚度对由极性三元混晶组成的双层薄膜系统中的表面和界面声子极化激元的影响.以GaAs/AlxGa1-xAs双层系统为例,获得了其中表面和界面声子极化激元作为膜厚之函数的数值结果并进行了讨论.结果指出:在双层系统的六支表面和界面声子极化激元模中,当两种薄膜材料的厚度均变化时,只有三支界面声子极化激元的频率随之变化,而另外三支表面声子极化激元的频率则几乎不变.而当只有其中一种薄膜材料的厚度发生变化时,则只对其与另一种薄膜材料界面处且位于此种材料的纵横光学声子频率区间内的界面极化激元的频率有影响,而对其他的表面和界面极化激元的频率则没有太大的影响. 展开更多
关键词 表面和界面声子极化激元 三元混晶 双层薄膜系统
下载PDF
Zn_(1-x)Cd_xS三元混晶的电子结构及光学性质计算与实验验证 被引量:1
7
作者 李萍 辛传祯 +3 位作者 徐建萍 张晓松 李德军 李岚 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第7期720-728,共9页
基于密度泛函理论的平面波超软赝势法,计算了Zn1-xCdxS三元混晶的电子结构和光学性质。计算结果表明,Cd进入ZnS晶格后,禁带宽度变窄,硫空位(VS)缺陷能级随x值增大逐渐向费米能级移动,在紫外和可见波段的吸收截止波长随着x值增大逐渐红... 基于密度泛函理论的平面波超软赝势法,计算了Zn1-xCdxS三元混晶的电子结构和光学性质。计算结果表明,Cd进入ZnS晶格后,禁带宽度变窄,硫空位(VS)缺陷能级随x值增大逐渐向费米能级移动,在紫外和可见波段的吸收截止波长随着x值增大逐渐红移。采用共沉淀法制备了Zn1-xCdxS三元混晶,XRD图谱表明形成了Zn1-xCdxS合金相,吸收光谱显示了与理论计算相符的能带和吸收截止边的移动规律,荧光光谱显示与VS相关的发射峰随x增大逐渐红移,与计算得到的VS缺陷能级的移动规律相同。 展开更多
关键词 密度泛函理论 电子结构 光学性质 Zn1-xCdxS三元混晶
下载PDF
三元混晶膜的表面激子极化激元
8
作者 张媛媛 梁希侠 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期1026-1030,共5页
运用麦克斯韦方程组和波恩-黄昆(Born-Huang)近似,对几种典型膜材料的三元混晶(TMC)膜中的表面激子极化激元进行了研究和数值计算。结果表明:TMC膜中存在两支激子极化激元表面模,与二元材料定性类似,但定量明显不同;TMC膜两支表面模频... 运用麦克斯韦方程组和波恩-黄昆(Born-Huang)近似,对几种典型膜材料的三元混晶(TMC)膜中的表面激子极化激元进行了研究和数值计算。结果表明:TMC膜中存在两支激子极化激元表面模,与二元材料定性类似,但定量明显不同;TMC膜两支表面模频率和分裂能均随组分非线性变化;非线性程度与混晶膜厚(或频率)有关,在某些膜厚(或频率)下,可呈现非单调性。 展开更多
关键词 表面激子极化激元 三元混晶(TMC) 半导体薄膜
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部