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电绝缘用ta-C薄膜的微观结构与电学特性
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作者 宋朝瑞 俞跃辉 +2 位作者 邹世昌 张福民 王曦 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2003年第4期415-418,共4页
采用ta-C薄膜用于SOI结构中的绝缘层,在高温高功率器件中有很大的应用潜力。应用真空磁过滤弧源沉积(FAD)的方法制备了ta-C薄膜。通过AFM、non-RBS、IR、I-V、C-V等方法对薄膜的表面形貌、微观结构和电学性能进行了研究。研究表明,ta-C... 采用ta-C薄膜用于SOI结构中的绝缘层,在高温高功率器件中有很大的应用潜力。应用真空磁过滤弧源沉积(FAD)的方法制备了ta-C薄膜。通过AFM、non-RBS、IR、I-V、C-V等方法对薄膜的表面形貌、微观结构和电学性能进行了研究。研究表明,ta-C薄膜的sp^3键含量高达87％,且具有很高的表面光洁度(粗糙度低于0.5nm)及较好的电绝缘性能,击穿场强达到4.7MV/cm。 展开更多
关键词 ta-c薄膜 微观结构 电学特性 电绝缘性能 真空磁过滤弧源沉积 SOI
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